• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.11a
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• pp.74-76
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• 2005

수평형 에미터 스위치트 사이리스터(Lateral Emitter Switched Thyristor, LEST)의 고전압 전류 포화 특성을 위한 새로운 보호회로가 제안하였으며 성공적으로 제작 및 측정하였다. LEST의 부유(浮遊, floating) n+ 전압이 보호 MOSFET의 문턱 전압 보다 커지면 보호 회로는 LEST의 동작 모드를 regenerative 상태에서 non-regerative 상태로 전환시킨다. 일반적인 LEST의 전압 전류 포화 특성이 17 V로 제한되는 것에 비해 제안된 회로와 결합된 LEST는 200V 이상의 고전압 전류 포화 특성을 보였으며, Hard Switching Fault(HSF) 단락 회로 상황에서도 $10{\mu}s$ 이상 견디는 단락 회로 유지 능력을 보였다.

• 한국지구물리탐사학회:학술대회논문집
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• 2009.10a
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• pp.90-92
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• 2009

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.11a
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• pp.99-101
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• 2002

개선된 FB-SOA 및 낮은 턴-오프 시간의 특성을 가지는 수평형 애노드-스위칭 사이리스터(LAST)의 고온에서의 전류-전압 특성을 연구하였다. LAST는 고온에서도 훌륭한 전류 포화 특성을 가져 개선된 FB-SOA의 특성을 보였다. 고온에서 LAST의 순방향 전압 강하는 감소되었다. 또한 LAST는 온도가 상승함에 따라 포화 전류가 감소하여. 병렬연결 동작 시에 전류 균형 특성을 기대할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.05b
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• pp.165-168
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• 2004

Bias magnet에 의한 평면자심재료의 전자기적 특성 변화를 분석하기 위해 E형 코어 사이에서 영구자석의 유무 및 위치 등의 gap 형성 조건에 따른 측성변화를 관찰하였다. 영구자석과 air Gap이 평면코어에 삽입 될 경우 높은 포화 전류값을 가지는데 이는 자기저항이 자성체에 비해서 상당히 높은 에어 갭의 존재로 인해 외부 인가 전류가 증가되어도 자성체에서 생성되는 자속이 대부분 에어갭 내에서 소비되기 때문이다. 그리고 Bias magnet 역할을 하는 영구자석을 자심재료에 가하게 되면 Bias에 의한 역자장과 자성체에서 발생하는 자장이 서로 상쇄되어 포화 전류는 증가하게 된다. 또한, Bias magnet로 영구자석을 삽입하연 공진주파수는 고주파 대역으로 이동하므로 대전류 고주파 특성이 요구되는 응용장치에 적용가능하다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.3 no.1
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• pp.61-69
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• 1998

In this paper, discrete current control of voltage source inverters is proposed. As a current control scheme, the constant switching frequency predictive current control is adopted and implemented with DSP microprocessor system. In particular, the proposed method is for the compensation of the control lagging due to calculation delays in the microprocessor controller. In controlling the current, the inverter output voltage saturation problem is inevitable and usually affects the current control performance. So, the saturation boundary condition of the inverter output voltage and its effects on the current controal performance of the proposed current control scheme are investigated with experiment. Finally, the proposed scheme is applied to the active power filter system and some results are described for validation.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1998.06a
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• pp.457-460
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• 1998

단 채널 MOSFET 소자의 드레인 전압-드레인 전류 특성을 예측하기 위해서 caughey-thomas 이동도 모델을 수치적으로 구현하는 방법을 제안한다. 구현된 caughey-thomas 모델의 정확한 특성을 검증하기 위해서 0.5[.mu.m]의 설계규칙을 가즌 ASIC용 공정으로 n-MOSFET과 p-MOSFET을 제작하였다. 전자 및 정공의 포화속도 값이 각각 6.2*10/sup 6/[cm/sec] 과 1.034*10/sup 7/[cm/sec]인 경우에 채널길이가 0.5[.mu.m] 이상인 n-MOSFET과 p-MOSFET의 드레인 전압-드레인 전류특성의 모의실험 결과는 측정값에 비하여 10% 이내의 상대오차를 보였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.40 no.1
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• pp.1-10
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• 2003

Device characteristics of the Metal-Ferroclecric-Semiconductor FET(MFSFET) are simulated in this study. The field-dependent polarization model and the square-law FET model are employed in our simulation. C-V$_{G}$ curves generated from our MFSFET simulation exhibit the accumulation, the depletion and the inversion regions clearly. The capacitance, the subthreshold and the drain current characteristics as a function of gate bias exhibit the memory windows are 1 and 2 V, when the coercive voltages of ferroelectric are 0.5 and 1 V respectively. I$_{D}$-V$_{D}$ curves are composed of the triode and the saturation regions. The difference of saturation drain currents of the MFSFET device at the dual threshold voltages in I$_{D}$-V$_{D}$ curve is 1.5, 2.7, 4.0, and 5.7 ㎃, when the gate biases are 0, 0.1, 0.2 and 0.3V respectively. As the drain current is demonstrated after time delay, PLZT(10/30/70) thin film shows excellent reliability as well as the decrease of saturation current is about 18 % after 10 years. Our simulation model is expected to be very useful in the estimation of the behaviour of MFSFET devices.T devices.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.07e
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• pp.52-54
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• 2004

본 논문에서는 속도 포화이후 채널에 발생한느 과잉 캐리어에 의한 채널전하으 발생과 그 영향에 대하여 설명하고 있다. 일반적으로 게이트의 길이가 짧은 GaAs MESFET에서 속도 포화지점에서 전류의 포화가 발생한다. 본 논문은 속도 포화이후 드레인 전압의 증가에 의하여 유입되는 캐리어와 유출되는 캐리어의 차에 의하여 발생하는 채널의 과잉 캐리어에 발생과 이로인해 채널에 쌓이는 채널의 전기적인 특성을 설명하고 있다.

• Journal of Energy Engineering
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• v.8 no.1
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• pp.101-109
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• 1999

전력계통의 정태안정도 해석에서 발전기의 특성을 정확히 모델링하는 것을 해석결과의 정확도에 매우 큰 영향을 미치게 된다. 본 논문은 발전기 무한모선 계통을 사용하여 발전기의 특성을 정확히 해석하고자 하는 경우에 발전기의 포화특성을 종래의 동일축 전류성분에 의한 포화특성뿐만 아니라 교차자화 효과에 의한 포화특성까지 고려하여 보다 정확한 해석이 가능하도록 하였다. 동일축 성분의 포화 특성과 교차자화 효과에 의한 포화특성을 고려하여 발전기를 해석하기 위한 기준 좌표계로 발전기의 d축이 q축 보다 위상이 90$^{\circ}$앞서는 좌표계를 사용 관계식을 재정립하여 정태안정도 해석에 사용하던 기존의 발전기모델과 일치하도록 하였다. 사례연구를 통해서 포화특성을 정확히 고려하여 발전기를 모델링하는 것이 해석결과의 정확도에 매우 큰 영향을 미치는 것을 보였고, 다양한 계통조건에 대한 정태안정도 해석을 통해서 계통조건의 변화에 따라 포화특성에 영향을 미치는 요소들의 변화를 파악하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.4
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• pp.428-435
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• 2000

Negative ion generation in an inductively coupled oxygen plasma was investigated by using a Langmuir probe. It was observed that the probe current ratio of the positive ion saturation current and the negative current which is consisted of the electron current and the negative ion current, and also the potential difference between the floating potential and plasma potential vary with the RF input power and more sensitively with the operating pressure, respectively. Results show that the operating condition to achieve the maximum probe current ratio and the minimum potential difference shift from the low pressure region to the high pressure regions with increasing the input power. It implies that the generation of the negative oxygen ions increases and the recombination of the positive and negative ions are enhanced in the plasma.