• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.186-188
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• 2019

현재 신재생에너지 발전원은 계속 증가되고 있으며, 발전기의 용량 또한 점점 증가하고 있다. 늘어나는 신재생에너지 발전원에 의해 계통 연계의 중요성이 증대되고 있고 아울러 계통에서 발생할 수 있는 여러 가지 사고로 인한 발전기의 PCS의 고장에 대한 문제 또한 중요해지고 있다. 본 논문에서는 신재생발전원의 용량이 증가함에 따라서 각 스위치의 전기적 스트레스를 줄일 수 있는 3-level NPC 타입의 컨버터회로를 기반으로 이중 전류 제어기를 이용하였고, 계통 사고시에도 강인한 위상 추종 특성을 가지는 DDSRF(Decoupled Double Synchronous Reference Frame 이하 DDSRF)방식의 PPL을 채택하여 시뮬레이션을 진행하였다. 현재 계통의 사고에 의한 사고전압은 ABC 분류에 의해서 크게 A~G 타입으로 나타내고 있다. 본 논문에서는 각 타입별 사고전압의 불평형 지수(Imbalance Factor, 이하 IF)에 따른 중성점 전류의 고조파 성분을 분석하여 도식화 하고자 한다. 이는 계통사고 발생 시 계통연계형 컨버터의 제어 및 계통탈락 여부에 활용 할 수 있을 것으로 예상된다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.299-300
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• 2019

본 논문에서는 MVDC(Medium-Voltage DC) 차단기의 성능평가를 수행하기 위해 사용되는 단락 시험 설비의 새로운 구조를 제시한다. 단락 시험 설비는 직류 고전압과 고전류를 발생시키고 이러한 조건에서 차단기의 개폐 성능을 검증한다. 고전압과 고전류를 단일 회로로 합성하는 구조의 경우, 단락 시험 설비의 규모와 전력용량이 매우 크다. 제시하는 단락 시험 설비는 별개의 회로인 고전류원과 고전압원으로 구성된다. 각 회로에서 직류 고전압과 고전류를 발생시켜 단락 시험을 수행하는 구조이다. 제시하는 단락 시험 설비의 구조와 동작 원리를 설명하고 시뮬레이션 분석을 통하여 그 성능을 검증하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.229.2-229.2
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• 2016

본 연구에서는 Host와 Dopant $Ir(ppy)_3$의 도핑 위치 변화에 따른 bottom emission 인광 OLED를 제작하여 발광 효율 및 특성을 분석하였다. 소자의 EML은 $Ir(ppy)_3/CBP$와 $CBP/Ir(ppy)_3$ 순으로 증착하여 제작하였다. $Ir(ppy)_3/CBP$은 낮은 구동 전압에서 큰 전류밀도와 큰 luminance을 측정하였고, 반대로 $CBP/Ir(ppy)_3$은 높은 구동 전압에서 $CBP/Ir(ppy)_3$은 큰 전류밀도와 큰 luminance가 측정되었다. 이는 $Ir(ppy)_3/CBP$에서 HTL과 EML 사이에 hole direct injection이 발생으로 Hole이 증가하지만 charge balance 불일치로 roll-off가 발생하고, $CBP/Ir(ppy)_3$에서 electron direct injection에 의한 electron 증가로 charge balance가 향상된다. EL spectrum 측정에서 $Ir(ppy)_3$은 파장 512nm 발광이 일어나고, CBP와 NPB은 각각 파장 380nm, 433nm로 분석된다. 각 물질의 triplet의 전달은 energy level이 큰 곳에서 작은 곳으로 전달되는데 이러한 이유로 전압에 따른 recombination zone 변화로 각 물질에서 나오는 파장의 intensity가 달라지는 것을 확인하였다. $Ir(ppy)_3/CBP$은 낮은 전류 밀도에서는 CBP의 영향으로 380nm 파장대가 크고, 높은 전류 밀도에서는 $Ir(ppy)_3$의 영향으로 512nm 파장대가 크게 나오는 것을 확인했고, $CBP/Ir(ppy)_3$에서는 낮은 전류 밀도에서 512nm 파장대가 커지고, 큰 전류 밀도에서는 CBP에서 NPB로의 triplet 에너지 전달의 증가로 433nm 파장대가 커지는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.04b
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• pp.217-220
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• 2008

전력용 커패시터는 부하의 역률개선과 선로전류의 감소에 의한 변압기 용량의 여유와 선로의 리액턴스나 저항에 의한 전압강하가 감소로 전압이 안정되어 부하설비의 생산 능률과 제품의 품질 향상에 도움이 되기 때문에 송배전 회로망 또는 부하설비에 설치 운영되고 있다. 한편 부하의 변동에 따른 역률조정을 위한 스위칭 동작과 비선형 부하 등의 사용은 고조파 전류의 유입으로 전압 및 전류 스트레스를 증가시킬 수 있다. 커패시터는 낙뢰와 같이 일시적인 과전압에 의해 커패시터를 고장 나는 것도 있지만, 오랫동안의 스트레스로 고장이 나는 경우가 많아 커패시터가 고장 나는 정확한 원인분석을 체계적으로 한 보고서가 많지 않다. 본 연구에서는 국내외 일부 발표된 자료를 가지고서 커패시터가 전기품질 변동에 의해 고장이 일어날 수 있는 원인 등을 찾아 분석하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1987.07a
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• pp.674-677
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• 1987

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2004.11a
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• pp.81-84
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• 2004

다수의 소형 추진모터가 배치된 유도탄의 자세를 제어하기 위해서는 유도탄 비행 중 추진모터를 선택적으로 점화할 수 있는 추력 점화제어기가 필요하다. 점화 제어기가 추진모터 점화를 제어하기 위해서는 수십 채널의 많은 펄스 전류전원이 요구되며, 유도탄 특성상 소형으로 구현되고 고 신뢰성이 보장되어야 한다. 본 논문에서는 다채널 펄스 전류원의 고밀도 소형화 회로를 구현함에 있어 6Sigma 방법을 통하여 신뢰성을 분석하였고, 점화전류 확보를 위하여 필요한 회로경로의 최적화된 설계를 다루었다. 통계적 시뮬레이션을 이용한 설계 최적화는 실험결과를 통하여 그 유효성이 확인되었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.07a
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• pp.31-32
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• 2012

능동클램프 타입의 전류원 컨버터는 입력전류 리플이 작으며 클램프로 서지제거는 물론 스위치의 ZVS 턴온을 가능하게 한다. 그 중 부스트 하프브리지 컨버터는 변압기 턴비와 다이오드 정격이 낮고 모든 소자가 대칭적 구조를 가지며 변압기의 마그네타이징 오프셋이 없으므로 연료전지와 같은 대전류 고승압 응용에 적합하다. 본 논문에서는 준공진 기법을 적용하여 스위치 턴오프 전류를 크게 감소시킨 능동클램프 타입의 부스트 하프브리지 컨버터를 제안한다. 16V, 1.2kW급 시작품으로 기존 방식과의 비교분석을 통하여 제안하는 방식의 타당성을 입증하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.432-433
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• 2008

본 논문은 국산화 개발중인 GIL시스템의 장기신뢰성 시험방안을 검토 및 분석한 것이다. 개발될 GIL시스템을 실선로에 적용하기 위해서는 사전에 그 성능을 검증하기 위한 일련의 시험이 필요한 데, 본 논문은 그 첫 단계로 국산화 개발 GIL의 사양을 근거로 시험전압원 및 전류원, 시험선로 구성, 그리고 주요 시험항목 등에 대한 내용을 다룬다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2010.11a
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• pp.207-208
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• 2010

연료전지와 같은 신재생에너지원은 부하변동에 강인하게 대처하기 어려운 특성을 지니고 있어 단독으로 사용될 경우 전력품질 문제를 야기 할 수 있으며, 따라서 이를 보상하기 위한 보조 에너지 저장장치의 사용이 요구된다. 슈퍼커패시터는 전력밀도가 높고 사이클 수명이 긴 특성을 지니고 있어, 주 에너지원의 느린 응답특성을 보상하는 데에 유용하게 사용될 수 있다. 본 논문에서는 슈퍼커패시터의 최적 충방전을 위한 양방향 하프브리지 컨버터의 설계 및 제어에 관해 기술한다. 최적 충방전 전류의 값을 결정하기 위해 EIS 실험을 통해 슈퍼커패시터 모듈의 임피던스 특성을 분석하였고, 충전 전류별 충전 효율이 달라지는 원인을 분석하였으며, 위상제어에 의한 하프브리지 컨버터의 충방전 제어방법에 관해 제시한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2006.05a
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• pp.869-872
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• 2006

In this paper, the threshold voltage roll-off been analyzed for nano structure double gate FinFET. The analytical current model has been developed , including thermionic current and tunneling current models. The potential distribution by Poisson equation and carrier distribution by Maxwell-Boltzman statistics are used to calculate thermionic emission current, and WKB(Wentzel- framers-Brillouin) approximation to tunneling current. The threshold voltage roll-offs are obtained by simple adding two currents since two current is independent. The threshold voltage roll-off by this model are compared with those by two dimensional simulation and two values are good agreement. Since the tunneling current increases especially under channel length of 10nm, the threshold voltage roll-off Is very large. The channel and gate oxide thickness have to be fabricated as thin as possible to decrease this short channel effects and this process has to be developed.