• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2013.07a
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• pp.506-507
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• 2013

본 논문은 단상 전원 시스템에서 입력전원의 위상각 추정에 2차 일반화 적분기(Second-Order Generalized Integrator - SOGI)를 기반으로 하는 적응 필터구조를 적용한다. SOGI 출력은 전원 위상각과 관련되고, 올바른 출력을 위해서는 중심 주파수 ${\omega}^{\prime}$이 전원 주파수를 빠르게 추정할 수 있도록 FLL(Frequency Locked Loop)제어가 필요하다. SOGI-FLL의 기존의 방법과는 다르게 비선형 특성이 강한 주파수 동기화 동특성 모델에 퍼지제어를 적용함으로써 복잡한 선형화 과정이 필요하지 않으며, 실시간 이득 조절로 빠르게 전원 주파수 추정을 할 수 있는데 이는 최종적으로 빠른 전원 위상각 추정을 의미한다. 제안된 방법에 대해서 시뮬레이션을 통하여 그 타당성을 검증한다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.47 no.2
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• pp.47-55
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• 2010

The power line communication channel has characteristic variation problems which are caused by load. The spread spectrum technique has been used to overcome these problems. One of that is the direct sequence spread spectrum(DS/SS) system which is not necessary to additional hardwares. The BER of DS/SS system is decreased by longer length of PN code, but data transfer rate is decreases, so data transfer rate is hard to satisfies their own specifications especially in narrowband PLC systems. Spread Spectrum system with Dual-processing Gain tries to reflect cyclic characteristics of power line noise. But that system assumes that shapes of power line channel are symmetrical with respect to the 1/4 point of main frequency(60Hz in Korea), therefore cannot achieves various shapes of real power line noise. Thus in this paper, noise adaptive DS/SS system which PN code is changed by noise levels for various channel noises is proposed and simulated. The different kinds of noises are modeled and measured for simulation, the proposed system is verified that has lower data transfer rate and lower error rate than conventional system by simulation results.

• Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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• v.40 no.11
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• pp.940-947
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• 2012

The target system is a middle size UAV, which is a low-speed long-endurance UAV with a weight of 18 kg and wingspan of 6.4 m. Three electric power sources, i.e. solar cells, a fuel cell, and a battery, are considered. The optimal takeoff time is determined to maximize the endurance because the generated solar cell's energy is heavily dependent on it. Each power source is modeled in Matlab/Simulink, and the component models are verified with the component test data. The component models are integrated into a power system which is used for power simulations. When takeoff time is at 6 pm and 2 am, it can supply the power during 37.5 hrs and 27.6 hrs, respectively. In addition, the thermostat control simulation for fuel cell demonstrates that it yields more power supply and efficient power distribution.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.2209_2210
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• 2009

송전계통에서 가장 많이 발생하는 고장은 일시고장이며, 이 중 70%~80%가 아크지락 고장이다. 일시 고장시 계통의 빠른 복구를 위한 성공적인 재폐로를 이루기 위해서는 2차아크의 재점호와 소멸시간이 중요한 변수로 작용한다. 따라서 이러한 2차아크의 특성을 분석하고 적절한 소호시점을 알아내는 것이 성공적으로 고장 후 계통을 복구시키기 위해 필요하다. 본 논문에서는 전력 계통의 과도현상 분석 프로그램인 EMTP(Electro Magnetic Transient Program)를 이용하여 765kV 송전계통에서 아크 지락 고장을 시뮬레이션 하고, 송전선로내 고장지점을 다양하게 변화시켜 가며 아크 전압 특성을 분석하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2014.07a
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• pp.369-370
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• 2014

태양광 PCS개발과정에서는 온도나 방사량 등을 변화시키며 태양전지 패널의 I-V곡선을 모사할 수 있는 태양광 시뮬레이션 모델이 필요하다. 이러한 용도로 볼 때 특히 다이오드 기반의 등가회로 모델은 물리적인 성질을 바탕으로 태양광 패널의 특성을 비교적 정확히 설명할 수 있으나 특유의 비선형성으로 인하여 복잡한 회로 모델 파라미터 추출 기법을 필요로 한다. 본 논문에서는데이터 시트값에 기반한 새로운 태양광 패널 회로 모델링 알고리즘을 제안한다. 제안한 방법의 성능을 검증하기 위해 단결정 태양광 패널의 실제 데이터를 기반으로 최대전력점 ${\pm}10%$부근의 전류오차 적분값을 기준으로 기존 방법과 정확도를 비교한 결과 20%의 정확도 개선을 얻었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.11a
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• pp.167-168
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• 2015

본 논문에서는 전기자동차 충전용 자기유도방식 무선전력전송 (IPT) 시스템에서 zero current switching (ZCS) 동작으로 인한 스위치 손상을 방지하는 제어 알고리즘을 제안한다. 알고리즘을 제안하기 위해 IPT 시스템에서 공진전류 위상 변화를 일으키는 bifurcation 현상과 금속성 이물질의 영향에 대해 분석하고, 분석 결과를 고려하여 동작 주파수 제어 알고리즘을 제안한다. 제안한 알고리즘은 시스템을 zero voltage switching (ZVS) 영역에서 동작하게 하고 일정한 출력 전압을 얻도록 제어한다. 제안한 알고리즘의 타당성을 PSIM 시뮬레이션을 통해 검증한다.

• The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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• v.3 no.1
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• pp.63-69
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• 2010

In this paper, a new design method of asymmetrical configuration of main amplifier and peaking amplifier using changed bias point is proposed for excellent linearity, instead of the conventional Doherty structure. We have utilized the uneven wilkinson power divider for the unequal power drive at the input network of amplifiers. And we proposed a compensating method of the decreasing efficiency due to improving linearity using 3-stage Doherty structures. From the simulation results of asymmetrical Dohertry power amplifier and asymmetrical 3-stage Doherty power amplifier with uneven power drive are implemented. From the implementation and measurement results of the each amplifier, IMD characteristics have -55 dBc as the good efficiency of 13% compensates the decreased entire efficiency due to the improving linearity characteristics.

• Journal of Satellite, Information and Communications
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• v.8 no.3
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• pp.10-14
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• 2013

In this paper, when applying current-mode circuit design technique showing constant power dissipation none the less operation frequency, to the low power design of dynamic voltage frequency scaling, we introduce the low power current-mode circuit design technique applying MOSFET in sub-threshold region, in order to solve the problem that has large power dissipation especially on the condition of low operating frequency. BSIM 3, was used as a MOSFET model in circuit simulation. From the simulation result, the power dissipation of the current memory circuit with sub-threshold MOSFET showed $18.98{\mu}W$, which means the consumption reduction effect of 98%, compared with $900{\mu}W$ in that with strong inversion. It is confirmed that the proposed circuit design technique will be available in DVFS using a current-mode circuit design.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2016.03a
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• pp.292-294
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• 2016

이황화몰리브덴을 활용한 전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor)는 채널 물질의 우수한 특성으로 차세대 저전력 고성능 스위치와 광전소자로 주목받고있다. Underlap 게이트 구조에서 게이트 길이(L_G), 절연체 두께(T), 절연체 상대유전율(${\varepsilon}_r$)에 따라 변화하는 소자특성을 분석하여 저전력 고성능 $MoS_2$ 전계효과트랜지스터를 위한 게이트 구조 최적화방법을 모색하였다. EDISON simulator 중 Tight-binding NEGF 기반 TMD FET 소자 성능 및 특성 해석용 S/W를 활용하여 게이트 구조에 따른 게이트 전압 - 드레인 전류 상관관계(transfer characteristic)를 얻고, Y-function method를 이용하여 채널 유효전하이동도(Effective Mobility), Sub-threshold Swing, on/off 전류비(on/off current ratio)를 추출하여 비교 분석하였다. 시뮬레이션으로 추출한 소자의 최대 채널 유효전하이동도는 $37cm^2V^{-1}s^{-1}$, on/off 전류비는 $10^4{\sim}10^5$, Sub-threshold Swing은 ~38mV/dec 수준을 보였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.11a
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• pp.172-175
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• 2003

새로운 전력 반도체 소자로 주목받고 있는 MOS 구동 사이리스터 중 대 전력용으로 사용되는 EST는 높은 전류 밀도에서 게이트에 의한 전류 조절이 가능할 뿐만 아니라 다른 MOS 구동 사이리스터 소자와는 달리 전류 포화 특성을 지녀 차세대 전력 반도체로 각광 받고 있는 소자이다. 하지만 소자의 동작 시에 스냅-백 특성을 지녀 전력의 손실을 유발할 뿐만 아니라 오동작을 일으킬 가능성이 있다. 따라서 본 논문에서는 기존의 EST에서 스냅-백 특성의 제거와 저지 전압의 향상을 위해 트랜치 전극을 가지는 새로운 구조를 제안하고 게이트 전극과 캐소드 전극의 트랜치 화에 따른 특성 변화 양상을 살펴보기 위해 게이트 전극만 트랜치로 구성한 경우와 캐소드 전극만 트랜치로 구성한 경우를 시뮬레이션을 통해 해석하였다. 그 결과 기존의 EST에서 게이트 전극만을 트랜치 형태로 바꾼 경우에는 스냅-백 특성이 1.1 V의 애노드 전압과 91 A/cm2의 전류 밀도에서 발생하고 순방향 저지 모드 시의 저지 전압은 800 V로 기존의 257에 비해 월등한 전기적 특성 향상을 가져왔다. 그러나 기존의 EST에서 캐소드 전극만을 트랜치 형태로 바꾼 경우에는 스냅-백 특성이 1.72 V의 애노드 전압과 25 A/cm2의 전류 밀도에서 발생하고 순방향 저지 모드 시의 저지 전압은 613 V로 스냅-백 특성은 향상되었으나 저지 전압은 기존의 EST 보다 감소하였다. 결국 기존의 EST에서 게이트 전극만을 트랜치 전극 형태로 구성한 경우에 가장 탁월한 전기적 특성을 갖는 것으로 나타났다.