PCB 기판의 구리 식각 시 전기도금된 배선과 기지층의 전도층은 다른 에칭 특성을 가지며 이로 인한 배선의 과에칭과 배선기저부의 언터컷 현상이 보고되고 있다. 본 연구에서는 구리 에칭의 조성 변화에 따른 구리 에칭 특성에 대하여 연구하였다. 분극법과 OCV (open circuit voltage)를 이용하여 에칭액의 전기도금 구리와 기지층 구리의 최적 과산화수소와 황산의 농도를 얻었다. OCV와 ZRA (zero resistance ammeter)분석법을 이용하여 억제재의 효과를 비교하였다. 구리배선과 기지층간의 갈바닉 전류를 ZRA 방법을 이용하여 측정 비교하였다. 갈바닉 전류를 최소화하는 억제재를 ZRA를 이용한 갈바닉 쌍으로부터 선택할 수 있었다.
직경 $190{\mu}m$ Cu 와이어에 $Ni_{80}Fe_{20}$ 연자성 물질을 전기도금법으로 증착하여 금속 코어/연자성 쉘 구조의 복합 와이어를 제작하고 이 와이어에서 자기임피던스 효과(MI 효과)를 연구하였다. 원통 좌표계에서 복합 와이어의 임피던스 텐서의 두 대각 성분 $Z_{{\theta}{\theta}}$와 $Z_{zz}$는 z 방향으로 가한 자기장에 대해 큰 MI 효과를 나타낸 반면, 비대각 임피던스 $Z_{{\theta}z}$의 MI 효과는 매우 약하게 나타났다. 비대각 자기임피던스 효과가 큰 복합 와이어를 만들기 위해 비틀림 스트레인 하에서 전기도금하는 방법을 시도하였다. Cu 와이어의 한쪽 끝을 약 $270^{\circ}$ 이상 회전한 상태에서 전기도금 된 복합 와이어는 뚜렷하게 증대된 비대각 MI 효과를 보였으며 $360^{\circ}$ 회전한 상태에서 도금 된 와이어에서 최대의 비대각 MI 효과를 얻을 수 있었다. 본 연구를 통해 비대각 MI 효과가 큰 복합와이어를 제작하는 방법을 개발한 것은 금속 코어/자성 쉘 복합 와이어의 자기센서 소재로써의 응용가능성을 높일 것으로 기대된다.
최근 투명전극분야에서 ITO필름을 대체할 수 있는 메탈메쉬가 연구되어지고 있다. 현재, 메탈메쉬는 유연하면서도 높은 전기전도성을 지니고 있는 장점이 있지만 영구적으로 쓰는데 한계가 있다. 이에 반영구적으로 사용할 수 있는 메탈마스터를 제작함으로써 공정상 쉽게 메탈메쉬를 제작하는 방법을 연구하고 있다.
The experiments of boiling heat transfer were performed to investigate the boiling enhancement in saturated water by using multi-stage electroplated surface. In order to optimize the boiling performance, current flux and duration in multi-stage electroplating were varied. Current flux, 2 $A/12cm^2$ and 0.33 $A/cm^2$, and duration ranging from 15 second to 50 second are considered. The results showed that multi-stage electro plated surfaces generate enhancement of boiling parameters such as boiling incipient superheat, boiling heat transfer coefficient, and critical heat flux compared to plain surface. The SEM images of the coated surfaces were captured to examine the structure of porous surface, which provides the enhancement of boiling heat transfer.
In this paper, we proposed the optimal process conditions on the electro-gilding process. The responses are plating thickness and Sn proportion. The factors are temperature, current density, and addition. We minimized the total number of experiments based on the principle of dividing into small part. We grouped the factors using the plating process information which we already knew. We did Hull Cell test to find relationship between plating solution and electric effects, and applied ANOVA and RSM to estimate the optimal process conditions.
The influence of the boron content on the various properties of Ni-B alloy films produced by electrodeposition was investigated. The considerable reduction in grain size was observed with increasing boron content. The internal stress was tensile and increased linearly with increasing boron content. Hardness increased up to $750H_{v}$ at 2 at% boron and then kept the value to 11 at% boron for as-plated Ni-B coatings. The hardness of Ni-B films increased up to $1,250H_{v}$ due to the intermetallic$ Ni_3$B precipitation by the heat treatment, and maximum hardness of each coating increases with boron content. Wear resistance decreased with increasing the boron content because of high friction coefficient and brittle fracture of film which has higher content of boron.
COF에 사용되는 구리배선은 폴리이미드 필름에 subtractive 방법을 이용하여 만들어지고 있으나 선폭이 작아짐에 따라 subtractive 방법은 폭방향으로 에칭 현상으로 인하여 사용에 제한이 되고 있다. Semi-additive 방법은 리소그래피 공정과 전기도금범을 사용하여 구리배선을 만드는 방법으로 $10-40{\mu}m$의 좁은 선폭에 대한 연구를 하였다. AZ4620과 PMER900의 두꺼운 PR을 사용하였으며 전기도금법을 이용하여 구리 배선을 형성하였다. 기존의 용액은 높은 잔류응력으로 인하여 구리도금층에 crack이 발생하였으며 via filling에 사용된 도금액을 사용한 경우 잔류응력이 낮아서 crack이 없는 구리배선을 얻을 수 있었다. 기지층의 에칭시 배선의 폭방향으로의 에칭 현상은 관찰되지 않았다.
본 연구에서는 도핑하지 않은 다이아몬드 박막에서의 전류전도 경로를 체계적으로 규명하고 다이아몬드 박막의 전도기구에 대해 조사하였다. 도핑되지 않은 다결정 다이아몬드 박막에서 두께와 측정방향에 따른 교류 임피던스법에 의해 측정된 저향값이 기존의 표면전도 모델과는 일치하지 안니하였다. 다이아몬드 박막에 구리를 전기도금한 결과 구리는 결정립계에만 불연속적으로 도금되었고 다이아몬드 박막 위에 은을 증착한 후 전지에칭을 한 결과 결정립계가 우선 에칭이 되어 전류가 결정립계를 통하여 흐름을 확인하였다. 또, 리본형 다이아몬드 박막의 표면을 절연층으로 형성시킨 후 박막 내부의 결정립계를 통하여 전류가 흘러 전기도금이 되는 것으로부터 다결정 다이아몬드 박막의 주요 전기전도 경로는 결정립계임을 확인하였다. 높은 전기전도도를 보여주는 다이아몬드 박막은 전도 활성화 에너지가 45meV 정도이었고 dangling bond 밀도는 낮았다. 그러나 산소 열처리나 수소플라즈마처리가 Si passivation 이론과는 반대로 dangling bond 밀도를 증가시키면서 전기전도성을 떨어뜨렸다. 이 결과들과 표면의 탄소화학결합을 연결시켜 높은 전도성을 야기시키는 결합은 H-C-C-H 결합임을 추론하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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