• Title/Summary/Keyword: 전극 형태

Search Result 563, Processing Time 0.025 seconds

Electrochemical Characteristics of Camphorsulfonic Acid Doped Polyaniline by Secondary Doping (CSA도핑된 폴리아닐린 이차 도핑과 전기화학적 특성)

  • Park Jong-Ho;Cho Seung-Koo
    • Journal of the Korean Electrochemical Society
    • /
    • v.7 no.3
    • /
    • pp.138-142
    • /
    • 2004
  • The polyaniline films of emeraldine base (EB) and leucoemeraldine base (LEB) form doped with cam-phorsulfonic acid (CSA) were prepared by casting the mixed solution of chloroform and m-cresol on ITO (indium tin oxide) electrode. By analyzing UV-vis spectra of the mixed solutions, the effects of the secondary doping by m-cresol were obtained. And the conductivity of polyaniline film was increased with increasing m-cresol content. As the results of analyzing cyclic voltammograms, it was known that the redox peak currents of polyaniline electrode prepared from LEB were larger and more reversible than those of polyaniline eleclrodes prepared from EB. The charge transfer resistances $(R_{ct})$ of polyaniline electrodes were reduced with increasing m-cresol content, showing smaller Rct for LEB/CSA than EB/CSA.

The Development of the Process for LCD Fabrication (LCD 제조 공정 개발)

  • Hur, Chang-Wu
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
    • /
    • 2008.10a
    • /
    • pp.583-587
    • /
    • 2008
  • 본 연구는 LCD 용 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정에서 가장 중요한 광 식각 공정을 중심으로 전체 공정을 개발하고, 공정의 안정성을 개선하여 소자의 신뢰성을 높이고자 한다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연층, 전도층, 에치스토퍼 및 포토레지스터층을 연속 증착한다. 스토퍼층을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에 $n^+a-Si:H$ 층 및 NPR(Negative Photo Resister)을 형성시킨다. 상부 게이트 전극과 반대의 패턴으로 NPR층을 패터닝하여 그것을 마스크로 상부 $n^+a-Si:H$ 층을 식각하고, 남아있는 NPR층을 제거한다. 그 위에 Cr층을 증착한 후 패터닝하여 소오스-드레인 전극을 위한 Cr층을 형성시켜 박막 트랜지스터를 제조한다. 여기서 각 박막의 패터닝은 광 식각 공정으로 각 단위 박막의 특성에 맞는 광식각 공정이 필요하다. 제조한 박막 트랜지스터에서 가장 흔히 발생되는 문제는 주로 광식각공정시 발생하며, PR의 잔존이나 세척 시 얇은 화학막이 표면에 남거나 생겨서 발생되기도 하며, 이는 소자를 파괴시키는 주된 원인이 될 수 있다. 이와 같이 공정에 보다 엄격한 기준의 PR 패터닝, 박막의 식각 그리고 세척 등의 처리공정을 정밀하게 조절하여 소자의 특성을 확실히 개선 할 수 있었다.

  • PDF

The Development of Etching Process of TFT-LCD (TFT-LCD의 식각 공정 개발)

  • Hur, Chang-Wu
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
    • /
    • 2008.10a
    • /
    • pp.575-578
    • /
    • 2008
  • 본 연구는 LCD 용 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정중 가장 중요한 식각 공정에서 각 박막의 특성에 맞는 습식 및 건식식각공정을 개발하여 소자의 특성을 안정시키고자 한다. 본 연구의 수소화 된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 Inverted Staggered 형태로 게이트 전극이 하부에 있다. 실험 방법은 게이트전극, 절연층, 전도층, 에치스토퍼 및 포토레지스터 층을 연속 증착한다. 스토퍼층을 게이트 전극의 패턴으로 남기고, 그 위에 $n^+$a-Si:H 층 및 NPR(Negative Photo Resister)을 형성시킨다. 상부 게이트 전극과 반대의 패턴으로 NPR층을 패터닝하여 그것을 마스크로 상부 $n^+$a-Si:H 층을 식각하고, 남아있는 NPR층을 제거한다. 그 위에 Cr층을 증착한 후 패터닝하여 소오스-드레인 전극을 위한 Cr층을 형성시켜 박막 트랜지스터를 제조한다. 여기서 각 박막의 패터닝은 식각 공정으로 각 단위 박막의 특성에 맞는 건식 및 습식식각 공정이 필요하다. 제조한 박막 트랜지스터에서 가장 흔히 발생되는 문제는 주로 식각 공정시 over 및 under etching 이며, 정확한 식각을 위하여 각 박막에 맞는 식각공정을 개발하여 소자의 최적 특성을 제공하고자한다. 이와 같이 공정에 보다 엄격한 기준의 건식 및 습식식각 공정 그리고 세척 등의 처리공정을 정밀하게 실시하여 소자의 특성을 확실히 개선 할 수 있었다.

  • PDF

펜타센의 박막두께 변화와 전극의 종류에 따른 펜타센 유기박막 트랜지스터의 특성 변화

  • Kim, Tae-Uk;Min, Seon-Min;No, Yong-Han
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
    • /
    • 2011.02a
    • /
    • pp.112-112
    • /
    • 2011
  • 유기박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor: OTFT)는 낮은 공정비용과 기존의 고체 실리콘 트랜지스터로서 실혐 할 수 없는 플렉시블 디스플레이, 스마트카드, 태양전지 등의 매우 넓은 활용범위로 각광받고 있는 연구 분야 중 하나이다. 본 연구에서는 열 증발 증착장비(Thermal Evaporator)를 이용하여 펜타센을 활성층으로 사용한 유기박막 트랜지스터를 제작하였다. Heavily doped된 N형 실리콘 기판을 메탄올, 에탄올, 불산 처리를 하여 세척을 한 후 PECVD를 이용하여 SiO2를 200 nm 증착하였다. 그 후 열 증발 증착 장비를 사용하여 펜타센을 활성층으로 사용하였고, 분말 형태의 펜타센의 질량을 15~60 mg으로 조절하여 활성층의 두께를 조절하였다. 펜타센 증착 후 100도에서 열처리를 하고, 그 후 Shadow Mask를 이용하여 전극을 150nm 증착하였다. 이때 전극은 Au, Al, Ni 세가지 종류를 사용하였다. 펜타센의 질량을 조절하여 증착한 활성층의 두께는 60 mg일 때 약 60 nm, 45 mg일 때 약 45 nm로 1:1의 비율로 올라가는 것을 확인 할 수 있었고, 펜타센의 두께가 30 nm일 때 특성이 가장 잘 나오는 것을 볼 수 있었다. 펜타센의 두께가 두꺼울수록 게이트에서 인가되는 전압의 필드가 제대로 걸리지 않아 특성이 나쁘게 나온 것으로 보인다. 또한 활성층을 30 nm로 고정하고 전극의 종류를 바꿔가며 전기적 특성(캐리어 이동도, 문턱전압, 전달특성 등)을 측정 했을 때 전극으로 Al보다는 Au와 Ni를 사용했을 때 전기적 특성이 더 우수하게 나오는 것을 볼 수 있었다. 메탈과 펜타센과의 일함수 차이에 따른 결과로 보여진다.

  • PDF

고성능 전기화학 장치용 마이크로-나노 하이브리드 다공성 니켈 전극

  • Choe, U-Seong;Sin, Heon-Cheol
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
    • /
    • 2012.05a
    • /
    • pp.88.2-88.2
    • /
    • 2012
  • 활성 물질의 원활한 확산을 위한 경사형 마이크로 기공과 넓은 반응 면적을 제공하는 나노 기공을 동시에 가지는 하이브리드 다공성 구리의 전기화학적 합성법이 보고된 이후, 이를 기능성 전기화학 장치에 활용하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. 하지만, 구리는 일반적으로 전기화학적 비활성 물질이기 때문에 전극 활물질로서 직접 활용되는 것은 극히 제한적이다. 또한, 전해 도금에 의하여 합성되므로 비전도성 기재 위에 형성이 불가능하여, 비전도성 기재가 기본이 되는 장치에 적용하는 것 역시 어렵다. 본 연구에서는 전해 도금법을 기본으로 하여 마이크로-나노 하이브리드 다공성 구조를 가지는 니켈을 전도성 및 비전도성 기재 위에 형성하였다. 전도성 기재 위에 제조된 니켈의 구조는 전반적으로 기존의 다공성 구리와 거의 유사하였으나 마이크로 기공의 밀도와 수지상의 형태에 있어 차이점을 보였다. 비전도성 기재 위에 형성된 니켈의 경우에는 중간 열처리 과정으로 인해 나노 수지상 구조의 다소간의 뭉침이 발견될 뿐 전도성 기재 위에 형성된 니켈과 구조가 동일하였다. 전도성 및 비전도성 기재 위에 형성된 니켈 다공성 구조를 기본을 하여 각각 전기화학적 캐패시터용 전극과 연료전지용 전극을 제작하였고, 기본적인 전기화학 특성을 파악하여 니켈 다공성 구조의 응용 가능성을 타진하였다.

  • PDF

Estimate of stress condition by using patch type ECG electrode (패치형 심전도 전극을 이용한 스트레스 평가)

  • Yang, Hui-Gyeong;Lee, Jeong-Hwan;Lee, Yeong-Jae;Kim, Gyeong-Seop;Choe, Hui-Jeong;Lee, Gang-Hwi;Kim, Dong-Jun;Lee, In-Seong
    • Proceedings of the Korean Society for Emotion and Sensibility Conference
    • /
    • 2009.05a
    • /
    • pp.173-176
    • /
    • 2009
  • 심박동 변동에 반영되는 자율신경계 활동으로부터 정신적 부하 즉 스트레스 상태를 평가할 수 있다. 또한 일상생활 중에서 지속적인 심전도 모니터링인 가능하다면 심장에 부하를 줄 수 있는 운동 중에도 사전에 급작스러운 심장 이상 증세를 예상할 수 있다. 본 연구에서는 일상생활 속에서도 생체신호 측정이 가능한 무구속, 무자각, 무침습적인 심전도 측정 시스템을 개발하였다. 무선 통신을 사용하여 실시간으로 심장 활동 상태를 모니터링 할 수 있으며, 가슴에 부착이 가능한 패치 타입의 소형 전극 형태이다. 신뢰도 평가를 위하여 임상 심전도 신호와 본 전극으로 측정한 심전도 신호의 유사도를 평가하였으며 동잡음의 영향을 평가한 결과 $0{\sim}6m/h$로 걷는 경우, 심전도 파형이 안정적으로 나타나 일상생환에서의 활용가능성을 보여주었다. 동일한 피험자를 대상으로 HRV에 반영되는 스트레스의 영향을 평가하기 위하여 패치형 전극으로 심전도를 측정하여 불안, 스트레스 항목에 대한 설문지 평가, 스트레스 호르몬양을 측정하였다. 일상 상태와 스트레스 상태를 비교한 결과, 많은 파라미터에서 유의한 차이가 나타났다. 이러한 결과로부터 패치형 전극은 일상생활에서 건강 모니터링 시스템으로 활용도가 높을 것으로 기대된다.

  • PDF

Preparation and Property of Flexible/Stretchable Electrodes (유연성/신축성 전극의 제조 및 특성)

  • Lee, Gi-Bbeum;Nah, Changwoon
    • Elastomers and Composites
    • /
    • v.47 no.4
    • /
    • pp.272-281
    • /
    • 2012
  • Flexible/stretchable electronics have recently focused, since their applications extend to emerging flexible displays, sensors, dielectric elastomer actuator and generators, and smart surgical tools. Flexible/stretchable electrodes should be synchronized with employing mechanical deformations of either flexing or stretching modes. Thus, the research area is one of the tough subjects, since the electrodes should keep their basic functions of electrodes under various mode of mechanical deformations. In this review, we discuss the recent development in the preparation and properties of such flexible/stretchable electrodes.

$SnO_2$양극을 이용한 전기화학적 금속전환 mock-up(5 kg $U_3O_8$/batch) 시험

  • 오승철;홍순석;이원경;허진목;서중석;박성원
    • Proceedings of the Korean Radioactive Waste Society Conference
    • /
    • 2004.06a
    • /
    • pp.352-352
    • /
    • 2004
  • 산화물 형태의 사용후핵연료를 고온 용융염계에서 금속 형태로 전환하는 전기화학적 금속전환 공정 개발의 일환으로 $U_3O_8$ 분말로 충전된 다공성 마그네시아 용기 및 스테인레스강 고체전극으로 구성된 일체형 음극과 $SnO_2$ 재질의 양극을 사용하여 5kg $U_3O_8$/batch 규모의 mock-up 시험을 수행하였다. 백금 재질의 양극을 사용하였을 때 99% 이상의 금속전환율을 보인 동일한 전하량을 공급하고 실험을 중단한 결과 X-선 회절분석(XRD) 및 열중량 분석(TG)으로부터 스테인레스강 고체전극 부분에서는 거의 금속으로 전환되었으나 다공성 마그네시아 용기 부분에서는 비교적 금속전환율이 낮은 경향을 나타내었다.(중략)

  • PDF

The Fluid Analysis of a Switching Arc using the Finite Element Method (유한요소법을 이용한 스위칭 아크의 유동해석)

  • Jung, Yeon-Ha;Jang, Tae-Jun;Shong, Kil-Mok;Roh, Young-Su;Kwak, Hee-Ro
    • Proceedings of the KIEE Conference
    • /
    • 2005.11a
    • /
    • pp.106-108
    • /
    • 2005
  • 본 논문에서는 스위칭 아크방전의 유동특성을 분석하기 위해서 유한요소법을 사용하여 전극 사이에 가해지는 전계를 소스원으로 두고 열전달 및 유동 특성을 해석하였다. 그 결과 전계가 높은 곳에서 온도가 높게 나타나고 열선도 집중되는 것을 확인하였으며 전극의 형태에 따라 분포 형태가 변하는 것을 확인할 수 있었다. 이것은 개폐기의 아크 소호를 위한 기술 개발과 접점 개발 시에 기초 자료로 활용이 기대된다.

  • PDF

A Study on the Photoelectric Characteristics of Hybrid Thick Film EL Device (하이브리드 Thick Film EL 표시소자의 광전 특성 연구)

  • Kum, Jeong-Hun;Cho, Don-Chan;Lee, Seong-Eui
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
    • /
    • 2008.06a
    • /
    • pp.444-444
    • /
    • 2008
  • EL은 LCD와 같은 수광 형태의 소자에 비해 응답속도가 빠르고, 자체 발광 형태의 디스플레이로 휘도가 우수하며 구조가 간단하여 제조가 용이하고 경량 박형의 장점을 가지고 있다. EL을 이용하여 세븐 세그먼트나 픽셀별 발광으로 표시소자를 제작하였다. EL 소자의 구조는 전극은 금, 유전체는 PMN과 PZT를 이용하였으며 형광체를 적층하고 ITO를 증착하여 제작하였다. 4*4mm로 크기의 픽셀이 49개가 들어간 소자를 제작하고 ITO와 하부 전극을 교차하여 매트릭스 타입으로 제작하였다. 픽셀 하나에 교류 전압 펄스를 변화하여 가했을 때의 픽셀의 광전특성과 주변 픽셀에 미치는 영향에 대해 오실로스코프, 광 프로브 등을 이용하여 특성을 살펴보았다.

  • PDF