• 제목/요약/키워드: 적화

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예취 및 적화처리에 따른 시호의 생육특성 및 saikosaponin 함량 (Saikosaponin Contents and Growth Characteristics on Cutting and Flower Removal in Bupleurum falcatum L.)

  • 이호;김길웅;손태권;이지언;이상철
    • 한국약용작물학회지
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    • 제10권5호
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    • pp.353-365
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    • 2002
  • 본 시험은 국내 재래종 정선시호와 일본에서 도입된 삼도시호를 공시하여 시호근의 비대촉진을 위하여 예취 및 적화처리가 시호의 생육과 saikosaponin 함량에 기여하는 요인들을 구명하여 얻어진 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 예취 및 적화처리에 따른 시호 계통간 및 재배년수에 따른 생육에 있어서 정선시호는 삼도시호보다 분지수는 적었지만 생근중, 건근중 및 지근수는 많았다. 1년생 정선시호는 삼도시호보다 주근장이 길었고 2년생에서는 초장과 경수가 많았다. Saikosaponin함량은 1년생 및 2년생 모두 정선시호가 삼도시호보다 saikosaponin-a, saikosaponin-d 및 total-saikosaponin 함량이 높게 나타났다. 2. 수확시기가 늦을수록 1년생 시호 지상부 생육의 초장, 경태, 지상부중과 지하부중의 주근장, 생근중 및 건근중 등 생육은 촉진되었고, 2년생 시호에 있어서 예취 및 적화처리 횟수에 따른 생육은 2회를 한 것이 1회보다 초장이 짧았지만 주근장은 길었다. 3. 1년생 및 2년생 시호의 예취에 따른 생육은 초장, 분지수는 감소하고 1년생 시호의 적화처리구에서 지상부중은 높았고 1년생 시호의 30cm 예취 처리구와 적화처리구에는 근경과 생근중은 증가하였으나 지근수는 감소되고 건근중은 유의적인 차이가 없었다. 2년생 시호의 예취 처리구와 적화처리구의 근경 및 50 cm 예취 처리구와 적화처리구의 생근중과 건근중은 무처리구보다 증가하였다. Saikosaponin 함량은 1년생 시호의 saikosaponin-c 함량만 차이가 인정되었고, 2년생 시호의 saikosaponin-a, saikosaponin-d, total-saikosaponin 함량은 무처리구보다 증가하였다. 4. 예취 및 적화처리에서 수확시기에 따른 생육은 11월 20일에 한 것이 9월 20일에 한 것보다 초장, 경태 및 지상부중과 지하부의 주근장, 생근중 및 건근중 등의 생육이 촉진되었으나 saikosaponin-a, saikosaponin-d 및 total-saikosaponin 함량은 감소되는 경향이었다.

조생종 '한아름' 및 중생종 '신고' 배의 적화처리에 따른 과실 비대 및 품질 비교 (Comparison of Fruit Development and Quality Indices According to Blossom Thinning on Early-season 'Hanareum' and Mid-season 'Niitaka' Pears)

  • 이욱용;김윤경;신일섭;오광석;정억근;천종필
    • 원예과학기술지
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    • 제33권4호
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    • pp.486-491
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    • 2015
  • 본 연구에서는 조생종 '한아름'과 중생종 '신고'에서 만개전 적화처리가 과실의 비대 및 품질에 미치는 영향을 조사하기 위하여 만개 전 5일에 적화처리를 실시하였다. 처리내용은 무처리구, 기부로부터 1, 2번화 제거구(T1), 6, 7번화 제거구(T2)로 나누어 실시하였다. 조생종 '한아름'의 경우 최종수확기에는 3.6%(T1) 및 4.6%(T2)의 크기 증가를 보였고 수확기 과실무게도 10.5%(T1) 및 11.0%(T2)의 증가를 보였다. 중생종 '신고'에서는 최종 수확기에는 12.6%(T1) 및 16.8%(T2)의 과실무게 증가를 보였고 두 품종 모두 대과의 생산비율이 증가하는 경향을 보였다. 적화처리구는 수확기 가용성고형물 함량이 $1^{\circ}Brix$ 정도 증가하였으며 '신고'의 경우에도 무처리구에 비해 적화처리구의 과실에서 높은 적색도를 보였다. 따라서 조생종 '한아름'과 중생종 '신고' 배에 대한 만개 전 적화 처리는 과실의 비대촉진 및 가용성 고형물 증가 및 과피색 향상에 효과를 보이는 것으로 조사되었으며 화총의 기부로부터 6, 7번째 착색된 꽃을 제거하는 것이 보다 실용적인 방법으로 추천되었다.

성시혹구역도로망교통복무수평적화분표준 (The Standard for Differentiating Service Level Urang or Regional Highway Network)

  • Yang Peikun
    • 대한교통학회:학술대회논문집
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    • 대한교통학회 1993년도 한-중 국제학술회의 발표논문
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    • pp.255-258
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    • 1993
  • 본문제출료 일충여교통복무상태상련계적성시도로교통복무수평적화분방법, 귀납출료성시교통적오충복무상태,즉자유류, 교차구무일류, 일류은정, 일류연오저우가 접수겁한급교통엄중조새,환학인결정교통복무상태절환적인소시교차구진구도적포화도. 재차기출상, 근거유관수거급출료구분교통복무상태적포화도간치, 종이건립료화 분성시혹구역도로망교통복무수평적표준.

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슈퍼 칩 구현을 위한 헤테로집적화 기술 (Ultimate Heterogeneous Integration Technology for Super-Chip)

  • 이강욱
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제17권4호
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    • pp.1-9
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    • 2010
  • 삼차원 집적화기술의 현황과 과제 및 향후에 요구되어질 새로운 삼차원 집적화기술의 필요성에 대해 논의를 하였다. Super-chip 기술이라 불리우는 자기조직화 웨이퍼집적화 기술 및 삼차원 헤테로집적화 기술에 대해 소개를 하였다. 액체의 표면장력을 이용하여지지 기반위에 다수의 KGD를 일괄 실장하는 새로운 집적화 기술을 적용하여, KGD만으로 구성된 자기조직화 웨이퍼를 다층으로 적층함으로써 크기가 다른 칩들을 적층하는 것에 성공을 하였다. 또한 삼차원 헤테로집적화 기술을 이용하여 CMOS LSI, MEMS 센서들의 전기소자들과 PD, VC-SEL등의 광학소자 및 micro-fluidic 등의 이종소자들을 삼차원으로 집적하여 시스템화하는데 성공하였다. 이러한 기술은 향후 TSV의 실용화 및 궁극의 3-D IC인 super-chip을 구현하는데 필요한 핵심기술이다.

용액기반의 스프레이 공정을 적용한 유기태양전지 기술

  • 강용진;정성훈;유대성;김도근;김종국;김수형;강재욱
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.371-371
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    • 2011
  • 태양전지에 대한 관심과 수요가 증가함에 따라 태양전지의 대면적화 및 저가 생산을 위한 유기태양전지에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 유기태양전지의 대면적화는 현재의 태양전지 시장을 대체하기 위한 중요한 요소 중 하나이다. 기존의 유기태양전지는 주로 스핀코팅법에 의해 제작 되었으나 대면적화 및 유연성 박막 제조 시 공정상 어려움이 있기 때문에 스핀코팅을 대체할 새로운 제조 방법이 개발되고 있다. 그 중, 스프레이 공법을 적용한 유기태양전지 제조방법이 각광을 받고 있으며, 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구는 유기태양전지 제작을 위하여 금속 전극을 제외한 전 공정 (N형 ZnO 층 -P3HT:PCBM 광흡수층-P형 PEDOT:PSS층)을 용액기반의 스프레이 코팅 공정을 적용하여 제작하였다. 스프레이 공정을 통해 코팅한 ZnO, 광활성 및 PEDOT:PSS 박막의 경우, 각각의 표면거칠기는 스핀코팅에 의해 형성된 박막과 유사한 거칠기 값을 가졌다. 최적의 스프레이 공정을 통하여 ITO/ZnO/P3HT:PCBM/PEDOT:PSS/Ag의 구조를 가지는 invert형 유기태양전지를 제작한 결과, AM 1.5G의 광원조건에서 2.95 %의 광변환 효율을 얻을 수 있었다. 이는 기존의 스핀코팅법으로 제작된 소자와 거의 비슷한 성능으로써 저가형□대면적 유기태양전지의 제작 가능성을 보여준 결과이다.

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수직형 4-비트 SONOS를 이용한 고집적화된 3차원 NOR 플래시 메모리 (Highly Integrated 3-dimensional NOR Flash Array with Vertical 4-bit SONOS (V4SONOS))

  • 김윤;윤장근;조성재;박병국
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제47권2호
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    • pp.1-6
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    • 2010
  • 수직형 채널을 가지는 4-비트 SONOS 플래시 메모리를 이용하여, 고집적화된 3차원 형태의 NOR 플래시 메모리 어레이를 제안하였다. 수직형 채널을 가지기 때문에, 집적도의 제한 없이 충분히 긴 채널을 가질 수 있다. 이로 인하여, 짧은 채널의 멀티 비트 메모리에서 발생할 수 있는 비트 간의 간섭효과, 짧은 채널 효과, 및 전하 재분포 현상을 해결 할 수 있다. 또한, 제시된 어레이는 3차원 형태를 기반으로 고집적화되어, 발표된 NOR 중에서 최소의 셀 크기 값인 $1.5F^2$/bit을 가진다.