Kim, Jeong-Seop;Ha, Seung-Gyu;Yang, Chang-Jae;Lee, Jae-Yeol;Park, Se-Hun;Choe, Won-Jun;Yun, Ui-Jun
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.129-129
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2010
적외선 검출소자(Infrared Photodetector)는 근적외선에서 원적외선 영역에 이르는 광범위한 파장 범위의 적외선을 이용하는 기기로서 대상물이 방사하는 적외선 영역의 에너지를 흡수하여 이를 영상화할 수 있는 장비이다. 적외선 관련 기술은 2차 세계대전 기간에 태동하였으며, 현재에는 원거리 감지기술 등과 접목되면서 그 활용 분야가 다양해지고 있다. 특히 능동형 정밀 타격무기를 비롯한 감시 정찰 장비 및 지능형 전투 장비 시스템 등에 대한 요구를 바탕으로 보다 정밀하고 신속한 표적 감지 및 정보처리 기술에 관한 연구가 선진국을 통해서 활발히 진행되고 있다. 기존의 Bolometer 형식의 열 감지 소자는 반응 속도가 느리고 측정 감도가 낮은 단점이 있으며, MCT(HgCdTe)를 이용한 적외선 검출기의 경우 높은 기계적 결함과 77K 저온에서 동작해야하기 때문에 발생하는 추가 비용 등이 문제점으로 지적되고 있다[1]. 이에 반해 화합물 반도체 자기조립 양자점(self-assembled quantum dot)을 이용한 적외선 수광소자는 양자점이 가지는 불연속적인 내부 에너지 준위로 인하여, 높은 내부 양자 효율과 온도 안정성을 기대할 수 있으며, 고성능, 고속처리, 저소비전력 및 저소음의 실현이 가능하다. 본 연구에서는 적층 InAs/InGaAs dot-in-a-well 구조를 유기금속화학기상증착법을 이용하여 성장하고 이를 소자에 응용하였다. 균일한 적층 양자점의 성장을 위해서 원자현미경(atomic force microscopy)을 이용하여, 각 층의 양자점의 크기와 밀도를 관찰하였고, photoluminescence (PL)를 이용하여 발광특성을 연구하였다. 각 층간의 GaAs space layer의 두께와 온도 조절 과정을 조절함으로써 균일한 적층 양자점 구조를 얻을 수 있었다. 이를 이용하여 양자점의 전도대 내부의 에너지 준위간 천이(intersubband transition)를 이용하는 n-type GaAs/intrinsic InAs 양자점/n-type GaAs 구조의 양자점 적외선수광소자 구조를 성장하였다. 이 과정에서 상부 n-type GaAs의 성장 온도가 600도 이상이 되는 경우 발광효율이 급격히 감소하고, 암전류가 크게 증가하는 것을 관찰하였다. 이는 InAs 양자점과 주변 GaAs 간의 열에 의한 상호 확산에 의하여 양자점의 전자 구속 효과를 저해하는 것으로 설명된다.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.30
no.2
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pp.43-51
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2023
In this paper, we introduce the development trends of power devices which is the key component for power conversion system in electric vehicles, and discuss the characteristics of the next-generation wide-bandgap (WBG) power devices. We provide an overview of the characteristics of the present mainstream Si insulated gate bipolar transistor (IGBT) devices and technology roadmap of Si IGBT by different manufacturers. Next, recent progress and advantages of SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) which are the most important unipolar devices, is described compared with conventional Si IGBT. Furthermore, due to the limitations of the current GaN power device technology, the issues encountered in applying the power conversion module for electric vehicles were described.
This study was carried out to investigate the performance of a radio-frequency/vacuum dryer combined with a mechanical compressive load (RF/VC) with a scale of about $3m^3$ during drying board of Azobe (Lophira alata) and Korean red pine (Pinus densiflora). The degree of vacuum of the RF/VC system was maintained at 80~105 torr, and wood temperature was increased from $40^{\circ}C$ at the beginning of drying to $60^{\circ}C$ at the end of drying and the radiofrequency generator was operated with schedule of 7 minute-ON and 3 minute-OFF. The wood temperatures near charge plate always remained higher than those of the control during all of the drying stage, whereas the wood temperature near ground plate always remained lower than those of the controlled. As drying time proceeding, the temperature of the wood near ground plate presented lower than those of the control. Whereas the temperature of the wood near charge plate presented higher than those of the controlled. The final average moisture contents of the Azobe boards stacked near the input side of the RF generator showed slightly lower than those near the opposite side. Those of the wood stacked in the layers near the charge plate were lower than those of near the ground plate. The average length of surface checks of the Azobe boards stacked near the charge plate was very slight, whereas that toward the ground plate represented high values. The efficiency of input energy was simliar with the commercial systems.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.38
no.1
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pp.13-22
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2001
This paper presents three dimensional structure of RF packages and the improvement effect of its electrical characteristics when implementing RF transceivers. We divided RF modules into several subunits following each subunit function based on the partitioning algorithm which suggests a method of three dimension stacking interconnection, PAA(pad area array) interconnection and stacking of three dimensional RF package structures. 224MHz ITS(Intelligent Transportation System) RF module subdivided into subunits of functional blocks of a receiver(RX), a transmitter(TX), a phase locked loop(PLL) and power(PWR) unit, simultaneously meeting the requirements of impedance characteristic and system stability. Each subfunctional unit has its own frequency region of 224MHz, 21.4MHz, and 450KHz~DC. The signal gain of receiver and transmitter unit showed 18.9㏈, 23.9㏈. PLL and PWR modules also provided stable phase locking, constant voltages which agree with design specifications and maximize their characteristics. The RF module of three dimension stacking structure showed $48cm^3$, 76.9% reduction in volume and 4.8cm, 28.4% in net length, 41.8$^{\circ}C$, 37% in maximum operating temperature, respectively. We have found that three dimensional PAA package structure is able to produce high speed, high density, low power characteristics and to improve its functional characteristics by subdividing RF modules according to the subunit function and the operating frequency, and the features of physical volume, electrical characteristics, and thermal conditions compared to two dimensional RF circuit modules.
본 연구에서는 독일 율리히 연구소에서 도입된 면적 200mm*200mm의 연료극 지지체 평판형 SOFC 셀 및 금속 분리판 40장을 적층하여 5kW급 SOFC 스택을 제작하고 연속운전을 수행하여 운전특성을 분석했다. 본 연구를 통해 도입된 5kW급 SOFC 스택은 외국에서 시도된 적이 없는 평판형 SOFC스택의 가압운전을 시도해 보는 것으로서, 스택의 임계압력 특성을 확인하고, 이를 바탕으로 가스터빈-연료전지 하이브리드 시스템에서의 SOFC 스택 가압 운전기술을 확보하는 것이다 이러한 목적을 위해 본 연구에서는 상압형 5kW급 SOFC 스택 운전시스템에 대한 구성과 설계, 전반적인 운전 특성평가 (40셀 스택 운전 열 사이클 시험 연료 전환 $(H_2{\rightarrow}pre-reformed\;gas)$, 1200시간 연속운전 등)가 이뤄졌다.
Proceedings of the Korea Society for Energy Engineering kosee Conference
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1998.05a
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pp.259-263
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1998
SOFC가 실제 발전 목적으로 사용되려면 SOFC의 성능 및 수명의 향상과 아울러 발전 목적에 따른 대용량화가 요구된다. 분산형 전원으로 SOFC를 사용하게 될 경우 수백 kW 이상의 발전 용량이 요구되며, 이러한 대형 SOFC 발전 시스템은 수십 ㎾급 SOFC를 기본 단위로 하여 이들을 서로 연결함으로써 구성 가능하다. 평판형 SOFC의 대형화는 기본적으로 개별 전지의 전극 면적을 확대하여 출력 전류를 증가시키고, 단위 전지를 여러 단 적층하여 출력 전압을 증가시킴으로써 가능해 진다. (중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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