• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2010.11a
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• pp.359-362
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• 2010

본 논문에서는 적층형 백색유기발광 조명소자를 제작하여 단층형 구조와 비교 분석하는 연구와 CGL(Charge Generation Layer)의 두께 변화에 따른 소자특성 연구를 하였다.

• Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
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• 2003.05a
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• pp.762-769
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• 2003

본 연구에서는 적층형 압전소자를 이용하여 초소형 및 슬림형 광디스크 드라이브용 광픽업 구동기를 개발하였다. 최근에 휴대용 정보기기의 급격한 발달로 인해 다양한 형태의 초소형 정보저장기기가 사용되고 있으며 착탈식 형태의 초소형 광디스크를 사용하는 ODD가 개발 중에 있다. 적층 형태의 압전소자와 유연 힌지 형태의 변위 확대기구를 사용하여 구동기의 출력 힘과 허용 변위를 증가시키도록 설계하였다. 압전형 구동기의 동특성을 고려한 모델링과 이론적 해석을 통해 목표 변위와 성능을 만족하도록 설계 변수를 최적화하였고 이를 ANSYS를 이용한 해석과 비교하였다. 상용화된 적층형 압전소자를 이용한 prototype 올 제작하여 실험을 수행하였으며 이론적인 예상 값과 잘 일치함을 보였다. 이와 같은 이론적 해석과 실험 결과를 토대로 높이가 2.5mm이며 15V 에서 $\pm$400$\mu\textrm{m}$의 변위를 갖는 슬림형 및 초소형 ODD에 적합한 압전형 구동기를 설계하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.05c
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• pp.219-222
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• 2003

$0.2(PbMg_{1/3}Nb_{2/3}O_3)-0.8(PbZr_{0.475}Ti_{0.525}O_3)$ 조성을 이용하여 $5{\times}5{\times}5mm^3$의 적층형 세라믹 액츄에이터 소자를 tape casting 방법으로 제작하였다. 전극재로서는 Ag-Pd를 이용하여 총 50층의 layer를 적층하였으며, 적층된 액츄에이터를 $1100^{\circ}C$의 온도에서 소결하였다. X-ray diffractometer를 이용하여 제작된 소자와 열화된 소자의 구조적인 특성을 분석하였다. 제작된 소자의 열화 특성을 알아보기 위하여 60 Hz 의 triangular wave를 인가하여 열화전과 후의 p-E hystcresis loop의 변화를 살펴보았으며, 인가된 전압의 변화에 따라서 소자에서 발생되는 양의 열을 측정하였다. 파괴된 소자의 파단면에 대한 SEM 분석을 통하여 소자의 파괴 메카니즘을 알아보도록 하였다. 이로부터 전기적 기계적 열화가 소자의 동작에 미치는 영향에 대해서 알아 보았다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.9 no.2
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• pp.208-215
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• 1996

본 고에서는 최근 주목받고 있는 적층형 유기 전계발광소자의 일반적 형태와 발광특성등에 대해 알아보고자 한다. 현재 완전한 유기 전계발광소자의 개발을 위해 캐리어 수송재 즉, 정공수송재와 전자수송계의 캐리어 수송능력을 증가시키기 위해서 여러가지 새로운 물질들이 연구되고 있으며, 고효율의 발광특성을 얻어내기 위한 발광재료의 개발과 동작시의 안정성을 향상시키기 위한 소자구조의 개선에 대해서도 연구가 국내외적으로 활발히 진행되고 있다. 특히, 조만간 일본에서 30cd/m$^{2}$의 휘도를 갖는 적층형 유기 전계발광 소자가 상용화 될것으로 알려져있어 이를 계기로 고휘도, 고효율의 유기 전계발광 소자의 개발이 가까운 시일내에 이루워지리라 전망된다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.40 no.11
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• pp.1090-1095
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• 2003

In this paper, the modeling and design of high-Q multilayer passives and multilayer diplexer for GSM/DCS applications designed and fabricated using these passives have been investigated.. To miniaturize the system, configurations of inductor and capacitor have involved a square spiral structure and a vertically-interdigitated capacitor similar to 3D interdigital structure, respectively. Multilayer diplexers for GSM/DCS applications were designed and fabricated to apply high-Q multilayer passives to practical systems, which were designed by the proposed structural and equivalent circuit model. LPF for GSM band had the passband insertion loss of less than 0.55 dB, the return loss of more than 12 dB, and the isolation level of more than 26 dB by locating attenuation pole at 1800 MHz. HPF for DCS band had the passband insertion loss of less than 0.82 dB, the return loss of more than 11 dB, and the isolation level of more than 38 dB by locating attenuation pole at 930 MHz.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.18 no.11
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• pp.1767-1773
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• 1993

In this paper, the coupling characteristics as well as the self and the mutual Impedance of a two-element probe-fed stacked circular microstrip array antennas are presented. A full wave analysis for the structure is performed In the spectral domain using the vector Hankel transform(VHT). Also, we presented measured results for the impedance, the coupling characteristics of the antenna and the variation of the coupling with the distance between the two elements. Finally, the calculated and measured results are shown to agree well wlth each other through comparisons.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.254-254
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• 2010

기존의 부유게이트를 이용한 플래시 메모리는 소자의 크기를 줄이는데 한계가 있기 때문에 이를 해결하기 위한 비휘발성 메모리 소자로 CTF가 큰 관심을 받고 있다. CTF 메모리 소자는 기존의 플래쉬 메모리 소자에 비해 쓰고 지우는 속도가 빠르고, 데이터의 저장 기간이 길며, 쓰고 지우는 동작에 의한 전계 스트레스에 잘 견뎌내는 장점을 가지고 있다. 최근 터널 장벽의 두께와 종류를 변화시킨 소자의 전기적 특성을 향상하기 위한 연구들은 많이 있었지만, 터널 장벽의 적층구조 변화에 대한 연구는 비교적 적다. 본 연구에서는 터널 장벽의 적층구조 변화에 따른 CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 특성 변화에 대해 관찰하였다. 기존의 단일 산화막 (silicon oxide; O) 대신 산화막과 higk-k 물질인 질화막 (silicon nitride; N)을 조합하여 ON, NON, ONO로 터널 장벽의 여러 가지 적층 구조를 가진 소자를 설계하여 각 소자의 프로그램 동작 특성을 조사하였다. CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 특성을 거리와 시간에 따른 연속방정식, Shockley-Read-Hall 유사 트랩 포획 방정식 및 푸아송 방정식을 유한차분법을 사용하여 수치해석으로 분석하였다. WKB 근사를 이용하여 인가된 전계의 크기에 따라 터널링 현상에 의해 트랩층으로 주입하는 전자의 양을 계산하였다. 또한, 터널 장벽의 적층구조 변화에 따른 트랩층의 전도대역과 트랩층 내부에 분포하는 전자의 양을 시간에 따라 계산하였다. 계산 결과에서 터널 장벽의 적층구조 변화가 CTF 메모리 소자의 프로그램 동작 특성에 미치는 영향을 알 수 있었다. 소자의 프로그램 동작 특성을 분석함으로써 CTF 메모리 소자에 적합한 터널 장벽의 구조를 알 수 있었다. 기존의 단일 산화막보다 얇아진 산화막의 두께와 낮은 질화막의 에너지 장벽 높이로 전자의 터널링 현상이 더 쉽게 일어나기 때문에 ON 구조로 터널 장벽을 적층한 CTF 메모리 소자의 프로그램 속도가 가장 빠르게 나타났다. 이러한 결과는 터널 장벽의 구조적 변화가 전자의 터널 효과에 미치는 영향을 이해하고 프로그램 동작 속도가 빠른 CTF 메모리 소자의 최적화에 도움을 줄 수 있다.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.8 no.2
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• pp.177-183
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• 1999

A Polymer material, PU-BCN and a low molar mass material D-BCN with the same chromophore were evaluated by fabricating various electroluminescent(EL) devices. A molecular structure of the chromophore was composed as two cyano groups for electron-injection and transport and two triphenylamine groups for hole-injection and transport. Various kinds of EL devices with two different types of EL materials, PU-BCN and D-BCN were fabricated, which were an Indium-tin oxide(ITO)/PU-BCN or D-BCN/MgAg device as a single-layer device(SL) and an ITO/PU-BCN or D-BCN/oxadiazole ferivative/MgAg as a double-layer device(DL-E) and an ITO/triphenylamine derivative/D-BCN/MgAg as a double-layer device(DL-H) device. Two kinds of materials, PU-BCN and D-BCN showed the same emission characteristics in the high current density and excellent EL characteristics even in the SL devices. Maximum EL peaks revealed red emission of about 640 nm, which were corresponded with the fluorescence peaks of the films of two materials.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07a
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• pp.114-116
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• 2004

적층형 piezoelectric ceramic actuators를 제작하여 신뢰성을 평가하였다. 소자의 신뢰성 측정을 위하여 3kV/mm, 5kV/mm, 7kV/mm의 정류된 교류전압을 인가하였으며, 실험중 온도와 습도를 일정하게 유지하기 위하여 항온항습조안에서 실험을 실시하였다. 각 실험의 경우에 16개의 소자를 동시에 평가하였으며, 평균파괴시간을 Weibull 통계방식을 이용하여 계산하였으며, Arrhenius model, Power law model을 이용하여 사용 조건하에서 예상수명을 예측하였다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.11 no.2
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• pp.443-448
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• 2010

Rapid advance in information technology requires high performance devices with compact size. Integrated multi-layer electronic element with different functions enables those compact devices to possess various performances and powerful capabilities. In mass production, the multi-layer electronic element is manufactured as a bulk type with a large number of parts for productivity. However, this may cause the electronic part to be damaged in the cutting process of the bulk elements to separate into each part. Therefore the cutting performance of multi-layer element bulk is playing an important role in the view of production efficiency. This study focuses on the cutting characteristics of multi-layer electronic elements. In order to increase the efficiency, the vibration cutting method was applied to the blade cutting machine. Flexure hinge structure, which is an physical amplifier of increasing displacement, was attached to the vibration cutting device for machining efficiency. The behaviors of flexure hinge were modeled with Lagrange equation and simulated with finite element method (FEM). Performance of hinge structure was verified by experimental modal analysis (EMA) for hinge structure to be tuned to the specific mode of vibrations. Cutting experiments of multi-layer elements were conducted with the proposed vibrating cutting module, and the characteristics was analyzed.