• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.11a
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• pp.46.2-46.2
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• 2009

휴대전화, 랩톱 컴퓨터 등 각종 모바일기기 및 디스플레이 기기의 경박단소화 및 고기능화에 따라 연성회로기판(FPCB)의 사용량이 증가하고있다. 연성회로기판의 핵심소재인 동박적층필름(FCCL)은 폴리이미드필름과 접착층, Cu 층으로 구성되는데, 이 중접착층으로 사용되는 Ni-20Cr합금은 에칭공정 후 Cr의 잔류에 의해 불량률 증가가 문제되고 있어, Ni-Cr합금 스퍼터링 타깃의 Cr 함량 저감 또는 Cr-free Ni합금 개발 등이 요구되고 있다. 본 연구에서는 차세대 FCCL 본드층에 적합한 Ni기 합금을 개발하기 위한 기초연구로써 Cr 함량 및 가공열처리조건에 따른 미세조직과 집합조직 변화를 조사하였다. 4N급의 고순도Ni과 Cr을 진공 플라즈마 용해장치로 용해하여Ni-xCr (x=5, 10, 15, 20wt.%)합금 잉곳을 만들고, 이를 두께감소율 90%로 냉간압연한 후, $600^{\circ}C$ 및 $800^{\circ}C$에서 10~120분 동안 어닐링하여 시편을 준비하였다. 광학현미경으로 미세조직을 관찰하고, Micro-Vickers 경도시험을 통해 어닐링 조건에 따른 경도변화를 조사하였다. 또한 SEM-EBSD를 이용하여 집합조직 및 입계특성을 분석하였다. $600^{\circ}C$ 어닐링 시 Cr함량이 증가할수록 재결정 완료시간이 증가하여 Ni-20Cr합금의 경우 2시간이상 어닐링에도 재결정이 일어나지 않았다. $800^{\circ}C$ 어닐링 시 10분 어닐링 조건에서 4종류 합금 모두 재결정이 완료되었으며, 동일한 어닐링 조건에서 Cr함량이 증가할수록 결정립이 작아지는 것으로 나타났다. $800^{\circ}C$ 2시간 어닐링 조건에서 Ni-5Cr 합금의 주요 집합조직은 {223}<113>과 {122}<112>로 나타났으며, 이중 {223}<113>은Cr 함량이 증가함에 따라 점차 {122}<112>에 가까운 방향으로 변화되어 Ni-20Cr 합금의 경우 {123}<112>만이 형성되었다. 이러한 집합조직의 변화는 적층결함에너지 감소에 의한 ${\Sigma}3$ 입계의 분율 증가와 밀접한 관련이 있는 것으로 사료된다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.4 no.3
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• pp.713-719
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• 2000

In order to Prepare the$Ge_xSi_{1-x}/Si$(111) heterosructure by solid phase epitaxy (SPE), about 1000A of Au and about 1000A Ge were sequentially deposited on the Si(111) substrate. The resulting Ge/Au/Si(111) samples were isochronically annealed in the high vacuum condition. The behaviors of Au and Ge during thermal annealing and the structural Properties of $Ge_xSi_{1-x}$ films were characterized by Auger electron spectroscopy (AES), X-ray diffraction (XRD) and high resolution transmission electron microscopy (TEM). The a-Ge/Au/Si(111) structure was converted to the Au/GeSi/Si(111) structure. Defects such as stacking faults, point defects and dislocations were found at the GeXSil-X(111) interface, but the film was grown epitaxially with the matching face relationship of $Ge_xSi_{1-x}/$(111)/Si(111). Twin crystals were also found in the $Ge_xSi_{1-x}/$(111) matrix.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.12 no.3
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• pp.94-98
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• 2002

Sputtering conditions and various underlayer such as Al, Cu, Ni, Cr, Ag, Mg, Fe, Co, Pd, Au, Pt, Mo and Hf were investigated for coercivity enhancement of 20 nm Ti/CoCrPt thin films in order to increase the coercivity of the films thinner than 20 nm. Among them, Ag and Mg were effective to increase the coercivity. Particularly 2 nm Ag was very effective to increase the coercivity and nucleation field as well as to reduce ${\alpha}$ value in CoCrPt thin film such that the coercivity of 2 nm Ag/18 nm Ti/10 nm CoCrPt film was 2200 Oe. However, it seemed that other coercivity enhancement mechanism operated in CoCrPt films because Ti (002) preferred texture was not developed with Ag underlayer contrary to a general expectation. And the coercivity and nucleation field were decreased when glass substrate with rougher surface was used.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.19 no.8
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• pp.447-451
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• 2009

The long-period stacking order (LPSO) structures and stacking faults (SFs) in rapidly solidified powder metallurgy (RS P/M) $Mg_{97}Zn_1Y_2$ alloy were investigated by high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) observations. The 18R-type LPSO structure with a stacking sequence of ACBCBCBACACACBABAB and a period of 4.86 nm was observed in the as-extruded RS P/M $Mg_{97}Zn_1Y_2$ alloy. After annealing at 773 K for 5 hr, the 18R-type LPSO structure was transformed to the 14H-type LPSO structure with a stacking sequence of ABABABACBCBCBC and a period of 3.64 nm. The 24R-type LPSO structure containing 24 atomic layers of ABABABABCACACACABCBCBCBC with period of 6.18 nm coexists with the 14H-type LPSO structure in the same grains. The LPSO structures contain intrinsic Type II SFs such as BCB/CABA and ABA/CBCB stacking sequences of a closely packed plane.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.129-129
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• 2010

적외선 검출소자(Infrared Photodetector)는 근적외선에서 원적외선 영역에 이르는 광범위한 파장 범위의 적외선을 이용하는 기기로서 대상물이 방사하는 적외선 영역의 에너지를 흡수하여 이를 영상화할 수 있는 장비이다. 적외선 관련 기술은 2차 세계대전 기간에 태동하였으며, 현재에는 원거리 감지기술 등과 접목되면서 그 활용 분야가 다양해지고 있다. 특히 능동형 정밀 타격무기를 비롯한 감시 정찰 장비 및 지능형 전투 장비 시스템 등에 대한 요구를 바탕으로 보다 정밀하고 신속한 표적 감지 및 정보처리 기술에 관한 연구가 선진국을 통해서 활발히 진행되고 있다. 기존의 Bolometer 형식의 열 감지 소자는 반응 속도가 느리고 측정 감도가 낮은 단점이 있으며, MCT(HgCdTe)를 이용한 적외선 검출기의 경우 높은 기계적 결함과 77K 저온에서 동작해야하기 때문에 발생하는 추가 비용 등이 문제점으로 지적되고 있다[1]. 이에 반해 화합물 반도체 자기조립 양자점(self-assembled quantum dot)을 이용한 적외선 수광소자는 양자점이 가지는 불연속적인 내부 에너지 준위로 인하여, 높은 내부 양자 효율과 온도 안정성을 기대할 수 있으며, 고성능, 고속처리, 저소비전력 및 저소음의 실현이 가능하다. 본 연구에서는 적층 InAs/InGaAs dot-in-a-well 구조를 유기금속화학기상증착법을 이용하여 성장하고 이를 소자에 응용하였다. 균일한 적층 양자점의 성장을 위해서 원자현미경(atomic force microscopy)을 이용하여, 각 층의 양자점의 크기와 밀도를 관찰하였고, photoluminescence (PL)를 이용하여 발광특성을 연구하였다. 각 층간의 GaAs space layer의 두께와 온도 조절 과정을 조절함으로써 균일한 적층 양자점 구조를 얻을 수 있었다. 이를 이용하여 양자점의 전도대 내부의 에너지 준위간 천이(intersubband transition)를 이용하는 n-type GaAs/intrinsic InAs 양자점/n-type GaAs 구조의 양자점 적외선수광소자 구조를 성장하였다. 이 과정에서 상부 n-type GaAs의 성장 온도가 600도 이상이 되는 경우 발광효율이 급격히 감소하고, 암전류가 크게 증가하는 것을 관찰하였다. 이는 InAs 양자점과 주변 GaAs 간의 열에 의한 상호 확산에 의하여 양자점의 전자 구속 효과를 저해하는 것으로 설명된다.

• Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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• v.35 no.3
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• pp.200-205
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• 2015

An ultra-precise infrared microscope consisting of a high-resolution infrared objective lens and infrared sensors is utilized successfully to obtain location information on the plane and depth of local heat sources causing defects in a semiconductor device. In this study, multi-layer semiconductor chips are analyzed for the positional information of heat sources by using a lock-in infrared microscope. Optimal conditions such as focal position, integration time, current and lock-in frequency for measuring the accurate depth of the heat sources are studied by lock-in thermography. The location indicated by the results of the depth estimate, according to the change in distance between the infrared objective lens and the specimen is analyzed under these optimal conditions.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.54 no.6
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• pp.723-733
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• 2016

Intensive researches have been focused on the 3-dimensional packaging technology using through silicon via (TSV) to overcome the limitation in Cu interconnection scaling. Void-free filling of TSV by the Cu electrodeposition is required for the fabrication of reliable electronic devices. It is generally known that sufficient inhibition on the top and the sidewall of TSV, accompanying the selective Cu deposition on the bottom, enables the void-free bottom-up filling. Organic additives contained in the electrolyte locally determine the deposition rate of Cu inside the TSV. Investigation on the additive chemistry is essential for understanding the filling mechanisms of TSV based on the effects of additives in the Cu electrodeposition process. In this review, we introduce various filling mechanisms suggested by analyzing the additives effect, research on the three-additive system containing new levelers synthesized to increase efficiency of the filling process, and methods to improve the filling performance by modifying the functional groups of the additives or deposition mode.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.32 no.5
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• pp.169-174
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• 2022

This study is to verify the feasibility of SiC single crystal growth using recycled SiC powder. The fundamental physical properties such as particle size, shape, composition and impurities of the recycled powder were analyzed, and the sublimation behavior occurring inside the reactor were predicted using the basic data. As a result of comprehensive judgment, the physical properties of the recycled powder were suitable for single crystal growth, and single crystal growth experiments were conducted using this. 100 mm 4H-SiC single crystal ingot with a height of 25 mm was grown without polytype inclusion. In the case of micro-pipe density was 0.02 ea/cm² and resistivity characteristics was 0.015~0.020 ohm·cm², commercial level quality was obtained, but additional analysis related to dislocation density and stacking faults is required for device application.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.11a
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• pp.44.2-44.2
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• 2010

차세대 태양전지로써 플렉서블 태양전지에 대한 연구가 활발하다. CIS 박막태양전지의 경우도 Glass base 태양전지 시스템 연구와 더불어 금속과 플라스틱 등 연성 기판재를 이용한 전지 시스템에 관한 연구가 진행 되고 있다. 그러나 태양전지의 핵심 부자재라고 할 수 있는 기판재에 대한 체계적인 연구는 미흡한 실정이다. 특히 플렉서블 박막태양전지용 기판재와 그 위에 적층되어 태양전지를 구성하는 박막 소재의 열팽창 거동들 사이에 차이가 있어 태양전지 시스템에 결함을 야기할 수 있다. 본 연구에서는 플렉서블 태양전지용으로 적용되거나 연구되고 있는 SUS 300 계열과 SUS 400번 계열을 중심으로 철계 연성 기판재의 열팽창 거동을 비교 분석하였다. 그리고 CIS 박막태양전지 제조 공정인 고온 박막 생성 공정의 열분석을 통해 기판재의 성능을 평가 하였다.

• Transactions of the Korean Society of Automotive Engineers
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• v.2 no.2
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• pp.95-102
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• 1994

Aluminum sheet application to automobile body panels has now become an important objective to meet the requirements of automobile weight reduction. As the Mg content in Al-Mg based alloys increased up to 7.19%, the strength and elongation increased. For instance. Al-7.19Mg alloy had a high strength of 305MPa and a high elongation of 35%. A study was also made to investigate the interrelation between grain size and tensile properties with varying the contents of Mg, Ti and Zr elements and annealing conditions. The yield stress decreased as the grain size increased, which increased the uniform elongation. The strain hardening exponents n increased as the Mg content increased, which depended on the increasing difficulties of the cross slip of dislocation.