• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
• /
• 제41권4호
• /
• pp.316-322
• /
• 2017

본 논문의 주 목적은 수치해석 도구를 활용하여 저항성능 관점에서 우수한 선형을 개발하는 것이다. 최종 개발된 선형의 성능 평가를 위해 수조 모형시험을 수행하였다. 현존선은 도면을 바탕으로 실물과 도면의 타당성 검토를 위해 실태조사를 수행하였다. 실태조사 시에 실제 운항 상태인 주 운항 배수량 및 주 운항 선속을 확인하였다. 수치해석을 바탕으로 현존선의 저항성능을 검토하였다. 개발선은 선수어깨의 파형개선, 배수량 분포의 균형화, 단면형상의 수정 그리고 중앙 스케그의 크기와 형상 변경에 관한 스터디를 통해 도출되었다. 수치해석 결과 개발선은 조파저항 개선에 의해 저항성능 관점에서 주 운항 선속인 11노트에서 약 15% 개선된 양을 보여주었다(Table 4 참조). 개발된 선형의 성능 평가를 위해서 수조 모형시험을 수행하였으며 그 결과 11노트에서 약 17% 개선된 양을 보여주었다(Table 5 참조).

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.199-199
• /
• 2012

최근 그래핀의 대면적 합성 및 롤투롤 전사 공정의 개발로 그래핀의 상용화가 가시화 되고 있다. 하지만, 그래핀의 독특한 특성인 선형적이고 밴드갭이 없는 에너지 띠 분포 때문에 반도체 소자로서의 직접적인 적용에는 한계가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위한 돌파구로써, 그래핀 복합체의 연구와 개발이 활발히 진행되고 있으며 본 연구에서는 그래핀 복합 적층 구조를 다룬다. 이는 디스플레이, 초고속 반도체 소자, 고성능 광전자소자 및 초고감도 센서 등 다양한 분야에 대한 그래핀의 실용화 가능성이 높아진 것을 의미한다. 특히, 높은 가시광 투과도와 낮은 면저항으로 기존 투명 전극에 대표적으로 사용되고 있는 ITO (Indium Tin Oxide)를 그래핀으로 대체하는 것에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만 그래핀이 높은 전자이동도를 가지는 것에 비하여 비저항과 투과도 측면에 있어서는 ITO의 성능을 뛰어넘지 못하는 실정이다. 따라서 본 연구에서는 ITO가 가지는 취약점인 기판과의 약한 접착력, 높은 취성, 기판과의 열팽창률 차이 등의 공정상 문제점을 극복하고자 하였다. 그래핀 복합 적층 필름은 플라스틱 기판 (PET) 위에 열 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)을 이용하여 합성한 그래핀을 전사하고, ITO 용액을 도포한 다음 다시 그래핀을 씌워 제작하여 샌드위치 구조(sandwich structure)를 형성하였다. 완성된 필름은 광학적, 전기적 특성 분석을 수행하였다. 광학적 분석으로는 라만 분광을 이용한 그래핀 품질평가와 파장대에 따른 광 투과도, 그리고 반사도 측정을 하였으며, 전기적 특성은 면저항을 측정함으로써 분석한다. 결함이 적고, 대면적에 걸쳐 한 층을 이루어야 하는 고품질 그래핀의 요구사항에 따라 라만 분광의 G, 2D, D 띠를 분석하였다. G와 2D 띠의 비율을 통해 그래핀의 층 수를, D 띠의 강도를 통해 결함의 유무를 판단하였다. 또한, 가시광 영역에서 90% 이상의 광 투과도를 보여야 하는 투명 소자의 요구사항 달성 정도를 UV-VIS를 이용하여 확인하였다. 마지막으로, 제작한 필름의 면저항 또한 4-프로브 멀티미터를 이용하여 측정하고, 일반적인 터치스크린의 면저항인 $500{\Omega}/sq$를 만족하는지 평가하였다.

• 지구물리와물리탐사
• /
• 제3권3호
• /
• pp.88-93
• /
• 2000

화강암이 분포하는 경기도 여주군 대신면 상구리 양지말 지역에서, 측선길이 400m에 걸친 2극법 전기비저항 탐사를 실시하여 약 l00m 심도까지의 지질구분 즉 신선한 암석, 연약지반, 대수층 등을 탐지할 수 있었다. 이어서 실시한 슬럼버저 수직탐사도 이를 뒷받침하는 결과를 보여주었다. 또한 물리탐사 종료 직후 실시한 시추에 의하여 암반 대수층의 존재를 60m 심도에서 확인하였다. 이 심도는 전기비저항 구조단면도에 나타난 것과 대체로 일치한다. 시추로서 추가 확인된 l00m 심도의 작은 대수층은 상기한 비저항 단면도에는 보이지 않는다. 간단한 수치모델링을 실시하여 다른 전극배열법으로는 상기한 제 2의 대수층을 확인할 수 있는가를 검토하였으나 웨너, 슐럼버저, 쌍극자, 단극-쌍극자 어떤 방법으로도 이 대수층을 탐지할 수 없다는 것을 알았다.

• 한국작물학회지
• /
• 제26권4호
• /
• pp.324-331
• /
• 1981

대두 씨스트 선충포에 있어서 대두 품종별 선충저항성정도를 검정하여 내선충성 대두 품종육성시 기초자료로 삼고져 본 시험을 실시하였던 바 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 지표품종에 대한 평균 종실중 감소율은 저항성 품종은 38\sim44%, 감수성 품종은 6972%로 차리가 뚜렷하였으며 전중 및 협수도 같은 경향이었다. 2. 공시된 품종중 저항성정도가 $\ulcorner$최강$\lrcorner$인 품종은 5, $\ulcorner$강$\lrcorner$에 속하는 것이 8품종으로써 이를은 모두 중ㆍ만생종이었다. 저항성 품종으로 유망시 되는 것으로는 울산, 강림, pickett 71, Forrest, Bedford 등이었다. 3. 선충포에 있어서 종실중, 전중 및 협수의 감소율을 조생종을 62\sim75%, 중생종은 39\sim65%, 만생종은 29\sim36%로써 생육일수가 짧은 품종일수록 저항성이 약하게 나타났다. 이 원인으로서는 선충의 분포범위와 대두 뿌리의 발생심도 및 발생량, 가해시기와 대두의 개화기 및 회복가능기간이 밀접히 관여하고 있는 것으로 고찰되었다. 4. 내선충성 품종선파을 위한 유의 상관 형질은 전중, 협수, 100입중, 주전장이었으며 특히 전종과 협수는 모두 +0.9 이상의 고도의 상관계수를 보였다.

• 한국터널지하공간학회 논문집
• /
• 제11권4호
• /
• pp.361-371
• /
• 2009

전기비저항 토모그래피법은 터널 주변의 물성분포나 그 변화를 탐지하는데 매우 효과적인 물리탐사 방법이다. 따라서 전기비저항 토모그래피 영상은 터널의 효과적인 유지관리를 위한 중요한 정보를 제공해 준다. 그러나 공기로 채워진 터널은 토모그래피 자료를 심하게 왜곡시키며, 이러한 현상은 송, 수신점이 터널에 근접할수록 심화된다. 또한 이러한 왜곡은 결과적으로 토모그래피 모니터링 자료의 해석에 오류를 가져오게 된다. 이런 문제점의 해결을 위하여 터널을 포함한 모델링 및 시간경과 역산법을 개발하였다. 개발된 프로그램을 사용하여 터널을 고려한 역산법이 기존의 역산법에 비하여 월등히 정밀한 영상을 제공함을 확인하였다. 또한 모니터링 자료에 시간경과 역산을 사용하여 보다 효과적으로 터널주변의 시간에 따른 전기비저항 변화대를 파악할 수 있었다.

• 지질공학
• /
• 제19권1호
• /
• pp.1-8
• /
• 2009

지구물리 탐사는 대전대학교에 위치한 자연사면의 상부에서 2개 측선을 실시하였다. 전기비저항 탐사와 탄성파 굴절법 탐사는 천부에 퍼한 지층 경계, 풍화대 지역 및 지질 특성을 파악하기 위해 실시한 반면, AMT 탐사는 비교적 깊은 심도에 대한 정보를 얻기 위해 측선 2에서 병행하였다. 탐사 결과를 보면, 전기비저항 탐사와 탄성파 굴절법 탐사는 찾고자 하는 지질 특성에 관련하여 서로 일치하는 양상으로 나타났으며, AMT 탐사는 전반적인 기반암의 분포와 파쇄대에 대한 영상을 제시하였다. 그러므로 자연사면에서 복합 물리탐사의 적용은 지하 구조에 대해 상세한 정보를 제공하므로, 이를 통해 사면붕괴에 대해 보다 정확한 해석을 할 수 있다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
• /
• 한국산학기술학회 2002년도 춘계학술발표논문집
• /
• pp.151-154
• /
• 2002

반도체 소자의 기판 재료로 사용되고 있는 실리콘 웨이퍼는 그 정밀도가 매우 중요하다. 본 연구에서는 균일한 Dopant 농도 분포를 얻을 수 있는 중성자 변환 Doping을 이용하여 실리콘에 인(P)을 Doping하는 연구를 수행하였다. 중성자 변환 Doping, 즉 NTD(Neutron Transmutation Doping)란 원자번호 30인 실리콘 동위원소에 중성자가 조사되면 원자번호 31인 실리콘으로 변환되고, 2.6시간의 반감기를 갖고 decay 되면서 인(P)으로 변하게 되어 실리콘 웨이퍼에 n-type 전도를 갖게 하는 것을 말한다. 본 연구에서는 하나로 원자로를 이용하여 고저항(1000-2000Ωcm) FZ 실리콘 웨이퍼 에 두 개의 조사공에서 중성자 조사하여 저항의 변화를 관찰하였고, 중성자 조사시 발생하는 점결함을 분석하여 점결함이 저항 변화에 미치는 영향을 알아보았다. 중성자 조사 전 이론적 계산에 의해 HTS조사공은 5Ωcm, 20.1Ωcm 이고 IP3조사공은 5Ωcm, 26.5Ωcm, 32.5Ωcm 이었고, 중성자 조사 후 SRP로 측정한 결과 실제 저항값은 HTS-1 2.10Ωcm, HTS-2 7.21Ωcm 이었고, IP-1은 1.79Ωcm, IP-2는 6.83Ωcm, 마지막으로 IP-3는 9.23Ωcm 이었다. DLTS 측정 결과 IP조사공에서 새로운 피의 결을 발견할 수 있었다.

• 전자공학회논문지SC
• /
• 제40권4호
• /
• pp.275-281
• /
• 2003

0.5㎛ 2중 폴리 CMOS 공정을 이용하여 새로운 뉴럴 오실레이터를 설계, 제작하였다. 제안하는 뉴럴 오실레이터는 트랜스콘덕터 및 캐패시터와 비선형 가변 부성저항으로 이루어진다. 뉴럴 오실레이터의 입력단으로 사용되는 비선형 가변 부성저항은 정귀환의 트랜스콘덕터와 가우시안 분포의 전류전압 특성을 지니는 범프 회로를 이용하여 구현하였다. 또한 SPICE 모의실험을 통하여 제안한 오실레이터의 특성분석 후 집적회로 설계를 실시하였다. 한편 흥분성 및 억제성 시냅스로 연결된 4개의 뉴럴 오실레이터로 간단한 신경회로망을 구성하여 그 특성을 확인하였다. 집적회로로 제작된 뉴럴 오실레이터에 대하여 ± 2.5 V 전원 조건하에서 측정된 결과를 분석하고 모의실험 결과와 비교한다.

• 한국지능시스템학회논문지
• /
• 제16권1호
• /
• pp.24-29
• /
• 2006

연산기능을 갖는 새로운 진동성 신경회로를 설계하여 $0.5{\mu}m$ CMOS 공정으로 칩 제작을 하였다. 제안하는 진동성 신경회로는 흥분성 시냅스를 가진 3개의 신경진동자와 억제성 시냅스를 가진 1개의 신경진동자로 이루어진다. 사용된 진동자는 가변 부성저항과 트랜스콘덕터를 이용하여 설계하였다. 진동자의 입력단으로 사용되는 가변 부성저항은 가우시안 분포의 전류전압 특성을 지니는 범프 회로를 이용하여 구현하였다. 뉴럴 회로의 SPICE 모의실험결과 간단한 연산기능을 확인하였다. 제작된 칩을 ${\pm}$ 2.5 V 의 전원전압 조건에서 측정하였고 이를 모의실험결과와 비교 분석하였다.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제27권3호
• /
• pp.72-78
• /
• 1990

본 논문에서는 LDD 소자의 최적화의 물리적 의미를 수치 씨뮬레이션을 통해 다루었으며 관련 실험을 통하여 최적화된 LDD 구조를 해석해 보았다. 첫째, 수치해석에 의하면 최적화 조건시에 드레인 n-영역에서의 전계는 고르며 낮은 분포를 보이고 있고, 전류는 이 영역에서 넓게 퍼져 흘렀다. 아울러 이때 최적점은 모든 공정 및 전기조건을 고려하여 총체적으로 최적화하여 얻어져야함이 발견되었다. 둘째, 실험에 의하면 최적 조건의 경우 기판전류와 드레인 전류비에 의해 n-영역의 최대전계는 극소화되었다. 이때 소자의 수명은 최대가 되었으며 n-영역의 저항은 channel 저항에서 $n^+$ 접합 저항으로 유연하게 변환이 되었다.