본논문은 단종된 전송선과 개방된 전송선 및 2개의 결합저항기로 구성된 초광대역전송선형 FM변별기의 동적인 해석(dynamic analysis)을 취급하였다. 변별기의 출력파형의 Harmonic Distortion과 입력신호의 최대허용주파수변위와의 제관계를 Fourier transfrom으로 상세하게 해석하였다. 결합저항계수r(Fig 1 참조)는 변별기의 감도와 입력신호의 전주파수변위에 걸쳐 입력 Impedance가 일정하다는 견지에서 일로 놓아야 된다는 것이 판명되었다. 이론상으로는 100%의 주파수변위를 가진 FM신호라도 본변별기로 불과 2.6% Harmonic distortion으로 검파할 수 있으며 또한 검파시에 변별기의 입력 Impedance는 전종선의 특성 Impedance Z0로 일정하게 유지된다. 이론적인 결과를 뒷받침하기 위하여 실험결과를 첨부하였다. 본실험에서는 변별기의 특성곡선이 중심주파수 85.5Mc를 중심으로 40%의 주파수변위에 대하여 Linear하며, 또한 이때의 변별기의 입력 Impedance의 변화율은 이상치 Z0의 ±14% 이내이다.
본 논문은 구형 마이크로스트립 안테나의 H-plane 상호결합에 관한 연구이다. 두 안테나의 상호결합을 계산하기 위해서 단일 마이크로스트립 패치의 교사저항을 구하였으며 결합된 전송선로를 even mode와 add mode로 분발하여 각 mode의 특성저항와 실효 유전률을 계산하였다. 이로부터 자계적으로 결합된 안테나를 S-band 주파수에서 S-parameter를 구한 결과 이론치와 실험치가 거의 일치함을 확인할 수 있었다.
본 논문에서는 NEC 코드와 Pareto 유전자 알고리즘 최적화 기법을 이용하여 초소형 유도결합 안테나를 설계하였다. 최적화된 유도결합 안테나 중 몇 가지 표본을 제작하고 성능을 측정하였다. 일반적으로 안테나의 크기가 작아질수록 입력 저항, 대역폭 및 효율이 감소하는데 비하여 제안된 방법으로 설계된 유도결합 안테나는 다른 부가적인 정합회로 없이 우수한 성능을 보인다. 간단한 회로 모델을 도입하여 제안된 유도결합 안테나의 동작원리를 설명하였고, Duroid 기판 위에 평면 구조로 제작하여 RFID 태그 안테나로써 성능을 입증하였다.
본 논문에서는 손실을 고려한 등가 회로 분석을 통하여 자계 결합 무선 전력 전송 시스템에서의 결합 계수 추출식을 유도하였다. 부하 저항을 고려한 유도된 추출식을 이용하여 결합 모드 이론을 이용한 기존의 추출식을 일반화시켰다. 따라서 우수/기수 모드 해석이 불필요하기 때문에 측정 과정에서 쉽게 결합 계수를 구할 수 있다. 또한, EM 시뮬레이션에서 두 루프를 통과하는 자속의 비를 이용하여 구한 결합 계수와 유도된 추출식을 이용하여 구한 결합 계수가 일치함을 확인할 수 있다. 자계 결합 무선 전력 전송에서의 정확한 결합 계수를 추출한다면, 시스템을 분석하고 최적화시키는 데 유용하게 활용할 수 있다.
본 논문에서는 고장발생시 직렬 또는 병렬연결된 두 코일의 자기결합을 이용한 초전도 한류기의 고장발생시 제한기를 구성하는 철심의 포화를 억제할 수 있는 방안에 대해 분석하였다. 철심의 포화를 억제할 수 있는 방안으로 서로 다른 자기저항을 갖는 두 개의 자기 경로를 갖는 철심을 사용함으로써 두 코일의 자기결합을 이용한 초전도 한류기의 전류제한특성이 보다 향상될 수 있음을 등가회로 분석과 모의 실험을 통해 확인할 수 있었다.
집적회로(I.C)의 설계에 있어서는 평수구조의 변형만이 가능하므로 여러가지 다른 트랜지스터 (Transistor)가 결합하여 하나의 특정한 기능을 발휘하게 되는 선형회로에는 회로의 설계와 동시에 사용될 적층(EPI)의 비저항 및 두께와 적층(EPI)과 기판 사이에 삽입되는 이침층(Buried Layer)의 구조 등을 정확히 알아야 한다. 본 연구에서는 집적회로의 동작전압과 적층 두께및 비저항과의 관계를 실측치와 비교분석 하였고 이 결과를 선형 집적회로 설계에 이용 가능하도록 도시하였다. For linear IC design, one has to know the epi thickness, resistivity, and structure of buried island inserted between epi and substrate because the mask structure can only be changed for linear IC consisted of various type of transistors to be made for desired specific function. The interrelation of IC operational and saturation voltages with epi resistivity, theckness and divice structure are studied and presented in graphic forms so that IC design engineers can utilize them.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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제32권8호
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pp.1263-1268
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2008
In this paper, the low noise power amplifier for GaAs FET ATF-10136 is designed and fabricated with active bias circuit and self bias circuit. To supply most suitable voltage and current, active bias circuit is designed. Active biasing offers the advantage that variations in the pinch-off voltage($V_p$) and saturated drain current($I_{DSS}$) will not necessitate a change in either the source or drain resistor value for a given bias condition. The active bias network automatically sets a gate-source voltage($V_{gs}$) for the desired drain voltage and drain current. Using resistive decoupling circuits, a signal at low frequency is dissipated by a resistor. This design method increases the stability of the LNA, suitable for input stage matching and gate source bias. The LNA is fabricated on FR-4 substrate with active and self bias circuit, and integrated in aluminum housing. As a results, the characteristics of the active and self bias circuit LNA implemented more than 13 dB and 14 dB in gain, lower than 1 dB and 1.1 dB in noise figure, 1.7 and 1.8 input VSWR at normalized frequency $1.4{\sim}1.6$, respectively.
21세기는 유전자, 질병검사를 통해 질병 예방, 예후 관리, 재택 및 원격 진료 시스템을 구축하여 초고감도, 실시간으로 환자의 건강 상태를 모니터링 하고, 진단, 처방할 수 있는 IT/BT/NT를 결합한 유비쿼터스 의료 시스템이 대두할 것으로 기대되고 있다. 유비쿼터스 의료 시스템의 핵심적인 역할을 할 것으로 기대되는 바이오센서는 측정 기술로서 획기적인 발전을 거듭하고 있으며 생물학, 화학, 의학, 전자, 물리, 컴퓨터, 기계 공학 등 최첨단 학문의 관련 기술이 복합적으로 융합되면서 실용화에 필요한 요소 기술들이 접목되고 점점 소형화, 시스템화 되어 가고 있는 추세이다. 특히 SiNW(silicon nanowire) 바이오센서 같은 경우 양쪽의 전극이 소스와 드레인 역할을 하고 SiNW receptor가 검출대상과 결합하면 게이트 역할을 하게 된다. 불순물의 농도에 따라 전기적 특성이 결정되는데 검출하고자하는 대상이 receptor와 결합하게 되면 마치 MOS에서 게이트에 전압을 인가한 동작과 같은 역할을 하게 되어 소소와 드레인 사이에 채널이 형성되고 하나의 저항처럼 동작하게 된다. 본 논문에서는 기존의 MOS를 이용하여 현재 전자소자나 바이오센서 등 많은 분야에서 응용되고 있는 SiNW 바이오센서의 기능과 유사하게 피드백 회로를 통해 구현하였다. 피드백 회로의 정상 작동 확인과 SiNW 바이오센서의 역할을 대체한 MOS 소자의 정상 작동을 확인을 위해 블루투스 통신을 이용하여 모니터에 전압 값을 표시한다.
본 논문에서는 1,452∼l,492 MHz L-Band 대역의 위성 DAB 수신기를 위한 저잡음증폭기를 입ㆍ출력 반사계수와 전압정재파비를 개선하기 위하여 평형증폭기 형태로 설계 및 제작하였다. 저 잡음증폭기는 GaAs FET소자인 ATF-10136을 사용한 저 잡음증폭단과 MMIC 소자인 VNA-25을 사용한 이득증폭단을 하이브리드 방식으로 구성하였으며, 최적의 바이어스를 인가하기 위하여 능동 바이어스 회로를 사용하였다. 적용된 능동 바이어스 회로는 소자의 펀치오프전압($V_P$)과 포화드래인 전류($I_{DSS}$)의 변화에 따라 주어진 바이어스 조건을 만족시키기 위해 소스 저항과 드래인 저항의 조절이 필요없다. 즉, 능동 바이어스 회로는 요구된 드래인 전류와 전압을 공급하기 위해 게이트-소스 전압($V_{gs}$)을 자동적으로 조절한다. 저잡음증폭기는 바이어스 회로와 RF 회로를 FR-4기판 위에 제작하였고, 알류미늄 기구물에 장착하였다. 제작된 저잡음증폭기는 이득 32 dB, 이득평탄도 0.2 dB, 0,95 dB 이하의 잡음지수, 입ㆍ출력 전압정재파비는 각각 1.28, 1.43이고, $P_{1dB}$ 는 13 dBm으로 측정되었다.
넓은 범위의 전압-제어 발진기 및 자동 이득 조절기의 실현을 위한 고선형 전압-제어 전류원(VCCS) 회로를 제안하였다. 제안한 VCCS는 전압 입력을 위해 이미터 폴로워, 전류 출력을 위해 이미터가 결합된 두 개의 공통-베이스 증폭기, 그리고 넓은 범위의 전류 출력과 높은 선형성을 얻기 위해 두 증폭기를 결합한 전류 미러로 구성된다. VCCS의 회로는 별도의 바이어스회로가 없이 단지 5개의 트랜지스터와 1개의 저항기만 사용하였다. 시뮬레이션 결과 제안한 VCCS는 5V의 공급전압에서 1V에서 4.8V까지의 제어-전압에 대하여 최대 0A에서 300㎃까지의 전류를 출력할 수 있다. 0㎃에서 300㎃의 출력 전류의 최대 선형 오차는 1.4 %이였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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