• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.2019-2020
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• 2008

옥외에서 폴리머 애자의 사용량이 급격하게 증가하는 이유는 자기제 애자에 비해 경량이면서 오손특성이 우수하다는 장점 때문이다. 약 10년 전 국내 배전선로에 설치된 EPDM(Ethylene propylene diene monomer) 재질의 폴리머 현수애자의 섬락고장이 있었다. 폴리머 애자는 재질 특성상 사용시간에 따라 표면 열화가 진행되고, 표면의 절연저항이 감소하여 누설전류가 증가하게 된다. 표면 섬락고장을 유발하는 누설전류는 절연물 표면 상태에 많은 영향을 받는다. 본 연구에서는 폴리머애자 표면에 부착된 오손물이 전기적 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 표면에 부착된 미세한 오손물은 발수성을 급격히 저하시켰으며, 장시간 수분에 노출될 경우 상용전압에서 표면 방전의 원인이 되었다. 결과적으로 부착된 오손물은 누설전류와 절연내력에 영향을 주어 절연 특성을 저하시키게 된다.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2016.04a
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• pp.76-79
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• 2016

자동차 산업의 발달과 전세계적으로 차량의 증가로 인해 보행자의 사고 발생율이 증가하고 있고 보행자의 안전에 대해 연구와 안전장비들이 계속적으로 개발되고 있다. 보행자와 차량의 충돌시 보행자의 상해를 감소시키는 시스템 중 화약식 액티브 후드 시스템(active hood system, AHS)은 부하가 화약성분이므로 부하의 성분을 검출하는데 한계가 있고, 위험성이 높으므로 정밀한 고장진단이 필요하다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 화약의 부하저항을 측정하는 방법과 저항성 누설전류를 측정하는 방법을 제시하고, 이 방법을 점화회로의 이상 유무를 확인하는 고장진단 기법으로 제안한다. 그리고 고장진단시 squib가 점화되는 오동작을 방지하고저 고장진단 모드와 점화모드를 구별하여 진단전류와 점화전류를 구분하는 기법을 제안한다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1998.10a
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• pp.825-828
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• 1998

경혈을 대상으로 인체를 진단하는 의료기기들은 경혈점에 미세한 직류전류를 인가하고, 이 점에서의 전기저항과 세포의 분극에 의해 반응하는 경락체계의 균형상태를 측정하여 인체를 종합적으로 진단한다. 따라서 전 과정이 정확한 경혈의 위치에서 이루어져야만 치료효과와 진단의 신뢰성이 보장된다. 그러나 대부분의 경락관련 치료기들이 정확한 혈위식별에 어려움이 있고 사용자의 전문적 숙련을 요구한다. 따라서 선행연구에서 일정한 주파수로 교호되는 자극패턴(SPAC) 방식을 사용하여 식별률을 높인 혈위식별기 DM96A-1를 개발하였다. DM96A-1은 단일전원이 양방향으로 교호되는 전류로 자극펄스를 출력하고 측정범위가 0.5∼50㎂인 전류메터와 레벨메터를 이용하여 혈위의 전류량을 표시한다. 이에 따라 방향전환 소자의 두 채널 제어신호가 교호되는 과도기에서 두 자극패턴의 중첩 도통에 의해서 누설전류가 발생하는 경우가 있으며 이를 제거하기 위하여 정밀한 조정을 필요로 하는 불편이 있었다. 따라서 이와 같은 단점들을 보완하여 신뢰성 있는 출력 파라메터를 얻을 수 있도록 마이크로프로세서 i80c196kc를 사용하여 DM96A-2를 재 설계하였으며 임상실험에 의하여 개선된 최적 파라메터의 타당성을 검증하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.414.1-414.1
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• 2016

스크린 프린팅법을 이용한 태양전지의 전극은 주로 고가의 은을 사용하기에 태양전지의 저가화에 한계를 가지고 있다. 고효율 결정질 실리콘 태양전지의 원가절감의 문제 해결방안으로 박형 웨이퍼 연구개발이 많은 관심을 받고 있다. 본 연구에서는 은 전극을 대체 할 수 있는 니켈/구리 전극을 사용하였고, 박형 웨이퍼에서도 전극 공정이 가능한 도금법을 사용하여 전극을 형성 하였다. 니켈 전극형성은 광유도 도금법(Light-Induced Plating), 구리 전극형성은 광유도전해도금법(Light-Induced Electro Plating)을 이용하여 실험을 진행 하였다. 니켈 광유도 도금 공정시 공정시간 3 ~ 9분까지 가변하였다. 니켈실리사이드 형성 위해 열처리 공정을 $300{\sim}450^{\circ}C$까지 가변하였고 유지시간 30초 ~ 3분까지 가변하여 실험을 진행하였다. 니켈 도금 수용액의 pH 6 ~ 7.5까지 가변하여 실험하였다. 구리 광유도 전해도금 공정 전류밀도를 $1.6mA/cm^2{\sim}6.4mA/cm^2$까지 가변하여 실험을 진행 후, 전류밀도 $3.2mA/cm^2$로 시간 5 ~ 7분까지 가변하여 실험 하였다. 니켈 도금 공정 시간 5분, 니켈실리사이드 형성 열처리 온도 $350^{\circ}C$, 유지시간 1분에서 DIV(Dark I-V) 분석결과 가장 적은 누설전류를 확인하였다. 니켈 도금액 pH 6.5에서 니켈입자 및 구리입자의 균일성이 좋은 최적의 조건임을 확인하였다. 구리 도금 공정 전류밀도 $3.2mA/cm^2$, 시간 5분에서 TLM(Transmission Line Method) 측정결과 접촉 저항 $0.39{\Omega}$과 접촉 비저항 $12.3{\mu}{\Omega}{\cdot}cm^2$의 저항을 확인하였다. 도금법을 이용하여 전극을 형성함으로써 접촉저항 및 접촉 비저항이 낮고 전극 품질이 향상됨으로서 셀의 전류밀도 $42.49mA/cm^2$를 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.2156_2157
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• 2009

가로등 누전으로인한 많은 인명피해 발생에따른 가로등 지중전선로의 위험성을 실측한 것으로 지역별 접지저항값은 많은 차이가 있었으며 지락지점으로부터 떨어지면 전위차는 현저히 감소하였다. 실제 대지로 빗물의 유입이 많은 장마철에서도 인접 철구조물로 가상되는 Pipe의 대지전위 상승값은 우려 할 만큼 위험한 수치에 이르지 않았다. 또한 IEC의 안전전압규정은 인체가 완전히 젖어 있는 상태에서 25[V]이하로 규정하고 있는바 이를 확인하였다. 지락지점에서 일정한 거리를 두고 측정한 접지극이나 구조물에 대한 누설전류의 값은 매우 미미하였으며, 지중전선의 지락전류는 220[V]에서 200[mA]까지 허용되어도 가능한 것으로 확인되었다.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers P
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• v.58 no.2
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• pp.221-226
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• 2009

In this paper, we analyzed form of flowing leakage current in electrical installation. Leakage current ($I_g$) is consisted of resistive leakage current($I_{gr}$), capacitive leakage current($I_{gc}$), and inductive leakage current($I_{gl}$). Resistive leakage current($I_{gr}$) is big occasion than capacitive leakage current($I_{gc}$) in system, Residual Current Protective Device(RCD) detects correctly leakage current. But,$I_{gc}$ is big occasion than $I_{gr}$, RCD is malfunctioned It is resistance to lead to electric fire in electrical device. We manufactured outlet that resistive leakage current detecting circuit is had. Manufactured outlet displayed performance exactly in leakage current of 5 mA Therefore, this product estimates that contribute on electric fire courtesy call.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.27 no.9
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• pp.90-99
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• 2013

To analyze the effectiveness of the resistive leakage current monitoring as a technology preventing electrical accidents, in this paper, we have estimated the phase of the body impedance by using the body impedance model and the body impedance data from IEC. We also have analyzed the phase of the electric body current in the case of 60Hz/220V. From these results, we concluded that deliberate researches about the phase of the electrical body current and related regulations must be carried out before the resistive leakage current monitoring unit is used to protect electric shock. And we concluded that the resistive leakage current monitoring unit can be utilized to prevent electrical fires caused by electric leakage current without unwanted circuit break due to capacitive leakage current flowing from line filter capacitors to the earth.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.106-106
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• 2003

반도체 소자의 고집적화에 따라 채널길이와 배선선 폭은 점차 줄어들고, 이에 따라 단채널효과, 소스/드레인에서의 기생저항 증가 및 게이트에서의 RC 시간지연 증가 등의 문제가 야기되었다. 이를 해결하기 위하여 자기정렬 실리사이드화(SADS) 공정을 통해 TiSi2, CoSi2 같은 금속 실리사이드를 접촉 및 게이트 전극으로 사용하려는 노력이 진행되고 있다. 그런데 TiSi2는 면저항의 선폭의존성 때문에, 그리고 CoSi2는 실리사이드 형성시 과도한 Si소모로 인해 차세대 MOSFET소자에 적용하기에는 한계가 있다. 반면, NiSi는 이러한 문제점을 나타내지 않고 저온 공정이 가능한 재료이다. 그러나, NiSi는 실리사이드 형성시 NiSi/Si 계면의 산화와 거침성(roughness) 때문에 높은 누설 전류와 면저항값, 그리고 열적 불안정성을 나타낸다. 한편, 초고집적 소자의 배선재료로는 비저항이 낮고 electro- 및 stress-migration에 대한 저항성이 높은 Cu가 사용될 전망이다. 그러나, Cu는 Si, SiO2, 실리사이드로 확산·반응하여 소자의 열적, 전기적, 기계적 특성을 저하시킨다. 따라서 Cu를 배선재료로 사용하기 위해서는 확산방지막이 필요하며, 확산방지재료로는 Ti, TiN, Ta, TaN 등이 많이 연구되고 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.306.2-306.2
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• 2014

전자기기의 휴대성과 이동성이 강조되고 있는 현대사회에서 비휘발성 메모리는 메모리 산업에 있어 매우 매력적인 동시에 커다란 잠재성을 지닌다. 이미 공정의 한계에 부딪힌 Flash 메모리를 대신하여 10nm 이하의 공정이 가능한 상변화 메모리(Phase-Change Memory, PRAM), 스핀 주입 자화 반전 메모리(Spin Transfer Torque-Magnetic RAM, STT-MRAM), 저항 변화 메모리(Resistive Random Access Memory, ReRAM)가 차세대 비휘발성 메모리 후보로서 거론되고 있으며, 그 중에서도 ReRAM은 빠른 속도와 낮은 소비 전력, CMOS 공정 호환성, 그리고 비교적 단순한 3차원 적층 구조의 특성으로 인해 활발히 연구되고 있다. 특히 최근에는 질화물 또는 질소를 도핑한 산화물을 저항변화 물질로 사용하는 ReRAM이 보고되고 있는데, 이들은 동작전압이 낮을 뿐만 아니라 저항 변화(Resistive Switching, RS) 과정에서 일어나는 계면 산화를 방지할 수 있으므로 ReRAM의 저항 변화 재료로서 각광받고 있다. 그러나 Cell 단위의 ReRAM 소자를 Crossbar Array 구조에 적용시켰을 때 주변 Cell과의 저항 상태 차이로 인해 전류가 낮은 저항 상태(LRS)의 Cell로 흘러 의도치 않은 동작을 야기한다. 이와 같이 누설 전류(Leakage Current)로 인한 상호간의 간섭이 일어나는 Cross-talk 현상이 존재하며, 공정의 간소화와 집적도를 유지하면서 이 문제를 해결하는 것은 실용화하기에 앞서 매우 중요한 문제이다. 따라서, 본 논문에서는 Read 동작 시 발생하는 Cell과 Cell 사이의 Cross-talk 문제를 해결하기 위해 자가 정류 특성(Self-Rectifying)을 가지는 실리콘 질화물/알루미늄 질화물 이중층(Si3N4/AlN Bi-layer)으로 구성된 ReRAM 소자 구조를 제안하였으며, Sputtering 방법을 이용하여 제안된 소자를 제작하였다. 전압-전류 특성 실험결과, 제안된 구조에 대한 에너지 밴드 다이어그램 시뮬레이션 결과와 동일하게 Positive Bias 영역에서 자가 정류 특성을 획득하였고, 결과적으로 Read 동작 시 발생하는 Cross-talk 현상을 차단할 수 있는 결과를 확보하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.09a
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• pp.301-304
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• 2008

In this paper, we study from of flowing leakage current in electrical installation. Leakage current is expressed by a resistivity leakage current($I_{gr}$), a capacitive leakage current($I_{gc}$), an inductivity leakage current($I_{gl}$). General Zero Phase Current Transformer (ZCT) detect a leakage current($I_{g}$) that are conjoined resistivity leakage current and capacitive leakage current. In case $I_{gr}$ is big than $I_{gc}$, there is no singular problem in leakage current detection of system. But, in case $I_{gc}$ is big than $I_{gr}$, earth leakage breaker can not prevent accident effectively. Can lower electric leakage perception current to 5 mA if apply resistivity leakage current detecting circuit. We can achieve prevention of electricity disaster spontaneously.