• Title/Summary/Keyword: 저소비전력

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TFT-LCD 산업 및 기술 전망

  • Gwon, O-Gyeong
    • The Optical Journal
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    • s.108
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    • pp.21-23
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    • 2007
  • TFT-LCD의 시장규모는 2006년에 700억불에 달하였고, 2007년에는 800억불이 예측될 정도로 해를 거듭할수록 급성장을 하고 있다. TFT-LCD 산업의 성장은 향후에도 지속될 것이며 저가격화에 대한 압박도 지속될 것으로 예상된다. 향후 생산설비에 대한 투자규모도 계속적으로 대규모화 될 것이 예상된다. 이러한 치열한 경쟁 속에서 살아남기 위해서는 지속적인 연구개발로 우수한 화질, 높은 대비비, 저소비 전력화, 넓은 시야각, 높은 계조 표현 능력 등을 갖는 TFT-LCD를 저렴한 가격으로 공급할 수 있는 것이 매우 중요한 요소가 될 것이다.

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CdSe/ZnS 양자점과 무기 형광체를 색변환층으로 이용한 백색 유기발광 소자의 특성 연구

  • Kim, Gi-Hyeon;Jeon, Yeong-Pyo;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.302.2-302.2
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    • 2014
  • 유기발광소자는 고휘도, 넓은 시야각, 빠른 응답속도, 높은 색재현성, 좋은 유연성의 소자 특성 때문에 디스플레이 제품에 많이 응용되고 연구가 활발하게 진행되고 있다. 최근에 저소비전력, 고휘도, 소형화 및 장수명의 장점을 가진 유기발광소자의 상용화가 진행되면서 차세대 디스플레이소자로서 관심을 끌게 되었다. 최근에는 고효율의 장점을 가지는 무기 형광체와 양자점을 이용한 백색 유기발광 소자에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있으나 색 안정성이 좋지 않은 문제점이 있다. 본 연구에서는 적색 빛을 방출하는 CdSe/ZnS 양자점과 녹색 빛을 방출하는 YAG:Ce3+ 무기 형광체를 포함하는 polymethylmethacrylate (PMMA)를 색변환층으로 이용하여 청색 유기발광소자에 결합한 백색 유기발광소자를 제작하였다. CdSe/ZnS 양자점과 YAG:Ce3+ 무기 형광체의 광흡수대역은 250 nm에서 500 nm이므로 470 nm의 청색 발광소자의 청색 빛을 흡수하여 색변환층에서 재 발광할 때 색 변환 결과를 무기 형광체와 양자점의 여러 가지 혼합 비율에 따라 전계발광 스펙트럼을 통해 관측하였다. 또한, 전압을 12 V 에서 16 V까지 변화하였을 때 색좌표가 (0.32, 0.34)에서 (0.30, 0.33)으로 적은 변화를 보여 높은 색안정성을 확인 할 수 있었다. 이 연구 결과는 양자점과 무기 형광체를 혼합한 색변환층을 이용한 백색 유기발광소자의 색 변환 효율 증가와 색안정성에 대한 기초자료로 활용할 수 있다.

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Spatial Measurement of Plasma Temperature & Density in a microdischarge AC-PDP cell

  • 김진구
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.231-231
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    • 1999
  • PDP(Plasma Display Panel)는 21세기 디스플레이 시장을 대체할 차세대 디스플레이 장치로서 넓은 시야각, 얇고, 가볍고, 메모리기능이 있다는 여러 가지 장점들을 가지고 있지만 현재 고휘도, 고효율, 저소비전력 등의 문제점들을 해결하여야 한다. 이러한 문제점들의 해결을 위해서는 명확한 미세방전 PDP 플라즈마에 대한 정확한 진단 및 해석이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 미세 면방전 AC-PDP 플라즈마의 기초 변수들 (플라즈마 밀도 & 온도, 플라즈마 뜬 전위, 플라즈마 전위 등의 측정을 통해 고휘도, 고효율 PDP를 위한 최적의 방전환경을 알아내는 데 있다. 일반적으로 전자의 밀도는 방전전류에 비례하는 관계를 보인다. 전류에 대해 방전전압이 일정하다면 전자밀도가 커짐에 따라서 휘도는 포화되며 상대적으로 휘도와 전류의 비로 표시되는 발광효율은 감소하게 된다. 반면 전자밀도가 상당히 작다면 휘도는 전자밀도에 비례하고 효율은 최대값을 보인다. 따라서 미세구조 PDP에서 휘도와 발광효율, 양쪽에 부합하는 최적의 방전환경을 플라즈마 전자밀도와 온도의 측정을 통해서 해석하는 것이 필요하다. 본 실험에서는 방전기체의 종류와 Ne+Xe 방전기체의 조성비에 따른 플라즈마 밀도, 온도의 공간적인 분포특성을 진단하기 위해서 초미세 랑뮈에 탐침(지름: 수 $mu extrm{m}$)을 제작하였다. 제작된 초미세 탐침을 컴퓨터로 제어되는 스텝핑모터를 장착한 정밀 X, Y, Z stage에 부착하여서 수 $\mu\textrm{m}$간격의 탐침 삽입위치에 따라서 미세면방전 AC-PDP의 플라즈마 밀도 및 온도분포 특성을 진단하였다. PDP 방전공간에 초미세 랑뮈에 탐침을 삽입해서 -200~+200V의 바이어스 전압을 가해준다. 음의 바이어스 전압구간에서 이온 포화전류를 얻어내어 여기서 플라즈마 이온 밀도를 측정하고 양의 바이어스 전압구간에서 플라즈마 전자온도를 측정하면 미세면방전 AC-PDP 플라즈마의 기초 진단이 가능하다.

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Influence of Fluorescent Dye Doping on Efficiency of Red Organic Light-emitting Diodes (형광염료 도핑이 적색 유기 발광 소자의 효율에 미치는 영향)

  • Lee, Jeong-Gu;Lim, Kee-Joe
    • The Journal of the Korea Contents Association
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    • v.8 no.11
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    • pp.18-24
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    • 2008
  • An organic light-emitting diode(OLED) has advantages of low power driving, self light-emitting, wide viewing angle, excellent high resolution, full color, high reproduction, fast response speed, simple manufacturing process, or the like. However, there are still a number of challenges to get over in order to put it to practical use as a high performance display. First of all, the most important thing is to improve the efficiency of the OLED element in order to commercialize it. To this end, its efficiency can be improved by lowering the driving voltage through the improvement of structure of the OLED element and the application of new organic substance. Therefore, in this study, we have manufactured a red OLED element by applying fluorescent dyes to the emitting layer of the element having the structure of ITO/TPD/ Znq2+DCJTB /Znq2/Al and the structure of ITO/CuPc/NPB/ Alq3+DCJTB/Alq3/Al, in order to light-emitting various colors or improve the brightness and the efficiency, and then we have evaluated its electrical and optical characteristics.

The Influence of Fluorescent Dye Doping on Efficiency of Organic Light-Emitting Diodes (형광염료 도핑이 유기발광소자의 효율에 미치는 영향)

  • Lee, jeong-gu
    • Proceedings of the Korea Contents Association Conference
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    • 2008.05a
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    • pp.301-305
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    • 2008
  • An organic light-emitting diode(OLED) has advantages of low power driving, self light-emitting, wide viewing angle, excellent high resolution, full color, high reproduction, fast response speed, simple manufacturing process, or the like. However, there are still a number of challenges to get over in order to put it to practical use as a high performance display. First of all, the most important thing is to improve the efficiency of the OLED element in order to commercialize it. To this end, its efficiency can be improved by lowering the driving voltage through the improvement of structure of the OLED element and the application of new organic substance. Therefore, in this study, we have manufactured a red OLED element by applying fluorescent dyes to the emitting layer of the element having the structure of ITO/TPD/Znq2+DCJTB/Znq2/Al and the structure of ITO/CuPc/NPB/Alq3+DCJTB/Alq3/Al, in order to light-emitting various colors or improve the brightness and the efficiency, and then we have evaluated its electrical and optical characteristics.

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상변화 메모리에의 적용을 위한 N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막의 결정화 특성에 관한 연구

  • Do, Gi-Hun;Go, Dae-Hong
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.11a
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    • pp.115-115
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    • 2007
  • PRAM (Phase Change Random Access Memory)은 상변화 물질의 비저항 차이를 이용한 메모리 소자로 차세대 비휘발성 메모리로 주목받고 있다. 현재 상변화 물질로 사용되고 있는 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막은 결정질 상태에서 저항이 낮아 RESET 동작에서 많은 전력이 소비되고 메모리의 고집적의 어려움이 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 상변화 물질의 개선과 소자 구조의 개선 등의 새로운 접근이 시도되고 있다. 본 연구에서는 $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막의 전기적 특성을 개선하기 위해서 이종 원소인 질소를 첨가한 N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ 박막에 대한 특성을 살펴 보았다. $SiO_2$/Si 기판 위에 100 nm 두께의 박막을 D.C. magnetron sputter 방법으로 증착하여, 질소 분위기 $100^{\circ}C{\sim}300^{\circ}C$온도 구간에서 열처리하였다. 열처리에 따른 박막 특성을 관찰하기 위해 면저항 측정, XRD, TEM 분석을 통해 박막 특성을 관찰하였다. 면저항 측정과 XRD peak 분석을 통해 $Ge_2Sb_2Te_5$ 시스템에 비하여 N-doped $Ge_2Sb_2Te_5$ 시스템의 결정화 온도가 상승하였음을 확인하였다. 면저항은 첨가된 질소의 조성이 증가할수록 증가하였고, FCC 상에서 HCP 상으로의 상변화 온도 역시 증가하였다. 첨가된 질소가 $Ge_2Sb_2Te_5$, 박막의 결정 성장을 억제하였고, 상대적으로 높은 저항을 가지고 안정한 FCC상을 고온 열처리 이후에도 유지하였다. 질소 첨가를 이용한 상변화 물질의 열안정성 향상과 저소비전력 구동을 통해 향후 고집적 상변화 메모리에의 적용이 가능하다.

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The heavy load control of ship's battery connected power management system (배터리 연계형 선박 전력관리시스템의 중부하 제어)

  • Kang, Young-Min;Jang, Jae-Hee;Oh, Jin-Seok
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.21 no.7
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    • pp.1455-1463
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    • 2017
  • Global economy has recorded low growth, low consumption, high unemployment rate, high risk, short boom and long recession. As a result, maritime economy declines and the reduction of maintenance costs is inevitable. Thus, Studies such as green ship, eco ship, and smart ship are being actively conducted to save energy of ship. Power management system that use batteries in green ship is an important research area. In this paper, we analyze the heavy load control of a power management system of a general ship using only a generator, and study a heavy load control algorithm for a battery connected power management system. To study this, a structure of battery connected power management system is proposed and a battery connected power simulator was constructed based on the proposed system. Through the simulator, the operation of the battery according to the heavy load control is defined and confirmed in the battery connected power management system.

Design of a nonlinear ADC encoder to reduce the conversion errors in DBNS (DBNS 변환오차를 고려한 비선형 ADC 엔코더 설계)

  • Woo, Kyung-Haeng;Choi, Won-Ho;Kim, Jong-Soo;Choi, Jae-Ha
    • Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
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    • v.14 no.4
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    • pp.249-254
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    • 2013
  • A fast multiplier and ADC are essential to process the analog signals in real time. The double-base number system(DBNS) is known as an efficient method for this purpose. The DBNS uses the numbers 2 and 3 as the base numbers simultaneously. The system has an advantage of fast multiplication, less chip area, and low power consumption compared to the binary multiplier. However, the inherent errors of the log number's intrinsic tolerance in DBNS are accumulated in a FIR digital filter, so the signal-to-noise ratio(SNR) has a tendency to be degraded. In this paper, the nonlinear encoder of ADC is designed to compensate the accumulated errors of DBNS by analysing the error distributions of various filter coefficients. The new ADC does not sacrifice its own advantages because the encoder circuits are modified only. The experiments were done with an FIR filters those were designed to have -70dB of SNR in stop band. The proposed nonlinear ADC encoder could drop the SNR to -45dB in stop band, in contrast to -35dB with the linear encoder.

The Photovoltaic LED Lighting System applying Lithium Polymer Batteries (리튬 폴리머 전지를 이용한 태양광 LED 조명시스템)

  • Ahn, In-Soo
    • Journal of the Korea Society of Computer and Information
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    • v.19 no.2
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    • pp.109-115
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    • 2014
  • The research on solar energy that we get from nature to cope with energy exhaustion is a very significant and inevitable task for us to do. Along with this, lately, in Korea, as part of new growth engine industry regarding low-carbon green growth, we have selected the LED(Light Emitting Diode) as low power consuming, eco-friendly lighting equipment and have been facilitating research and development on it and creating a variety of new industries utilizing it. What was developed here in this research was the photovoltaic LED lighting system applying lithium polymer batteries equipped with the excellent performance of lithium ion batteries as well as significantly low explosive hazard. Its photovoltaic panel was made to have 100W capacity, and for its power supply system, functional convenience was considered so that it could be equipped with both DC and AC power to be used as household electricity in a variety of ways.

Study of multi-stacked InAs quantum dot infrared photodetector grown by metal organic chemical vapor deposition

  • Kim, Jeong-Seop;Ha, Seung-Gyu;Yang, Chang-Jae;Lee, Jae-Yeol;Park, Se-Hun;Choe, Won-Jun;Yun, Ui-Jun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.129-129
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    • 2010
  • 적외선 검출소자(Infrared Photodetector)는 근적외선에서 원적외선 영역에 이르는 광범위한 파장 범위의 적외선을 이용하는 기기로서 대상물이 방사하는 적외선 영역의 에너지를 흡수하여 이를 영상화할 수 있는 장비이다. 적외선 관련 기술은 2차 세계대전 기간에 태동하였으며, 현재에는 원거리 감지기술 등과 접목되면서 그 활용 분야가 다양해지고 있다. 특히 능동형 정밀 타격무기를 비롯한 감시 정찰 장비 및 지능형 전투 장비 시스템 등에 대한 요구를 바탕으로 보다 정밀하고 신속한 표적 감지 및 정보처리 기술에 관한 연구가 선진국을 통해서 활발히 진행되고 있다. 기존의 Bolometer 형식의 열 감지 소자는 반응 속도가 느리고 측정 감도가 낮은 단점이 있으며, MCT(HgCdTe)를 이용한 적외선 검출기의 경우 높은 기계적 결함과 77K 저온에서 동작해야하기 때문에 발생하는 추가 비용 등이 문제점으로 지적되고 있다[1]. 이에 반해 화합물 반도체 자기조립 양자점(self-assembled quantum dot)을 이용한 적외선 수광소자는 양자점이 가지는 불연속적인 내부 에너지 준위로 인하여, 높은 내부 양자 효율과 온도 안정성을 기대할 수 있으며, 고성능, 고속처리, 저소비전력 및 저소음의 실현이 가능하다. 본 연구에서는 적층 InAs/InGaAs dot-in-a-well 구조를 유기금속화학기상증착법을 이용하여 성장하고 이를 소자에 응용하였다. 균일한 적층 양자점의 성장을 위해서 원자현미경(atomic force microscopy)을 이용하여, 각 층의 양자점의 크기와 밀도를 관찰하였고, photoluminescence (PL)를 이용하여 발광특성을 연구하였다. 각 층간의 GaAs space layer의 두께와 온도 조절 과정을 조절함으로써 균일한 적층 양자점 구조를 얻을 수 있었다. 이를 이용하여 양자점의 전도대 내부의 에너지 준위간 천이(intersubband transition)를 이용하는 n-type GaAs/intrinsic InAs 양자점/n-type GaAs 구조의 양자점 적외선수광소자 구조를 성장하였다. 이 과정에서 상부 n-type GaAs의 성장 온도가 600도 이상이 되는 경우 발광효율이 급격히 감소하고, 암전류가 크게 증가하는 것을 관찰하였다. 이는 InAs 양자점과 주변 GaAs 간의 열에 의한 상호 확산에 의하여 양자점의 전자 구속 효과를 저해하는 것으로 설명된다.

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