• Journal of the korean Society of Automotive Engineers
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• v.7 no.1
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• pp.5-11
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• 1985

연료비의 증가에 따른 차량의 경량화나 안전성에 입각한 차량의 구조 혹은 제작비의 절감을 위한 생산공정 등에 이르기까지, 차량생산의 여러 분야에서 가장 중요한 문제의 하나는 적합한 재 료의 선택과 이용이다. 자동차산업 뿐 아니라 모든 공업분야에서 이용되는 재료들은 과학과 기 술의 발전에 따라 부단히 변화되어 왔고 또 변화될 것이다. 따라서, 급진적 발전을 계속하며 신 소재가 끊임없이 개발되는 현재, 어떠한 재료들이 앞으로의 차량 생산에 이용될 것인가를 전망 하는 것은 매우 어렵고 가변적인 것이나, 현존 재료를 더욱 효과적으로 이용하고 만족스런 신 재료를 개발하며, 더욱 효율적인 자동차의 생산을 위하여는 현재 이용되는 주요 재료를 살펴 보고 앞으로 이용될 재료를 전망해 보는 것은 의미있는 일일 것이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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• 1997.11a
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• pp.171-176
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• 1997

본 연구에서는 노후화 된 구조물을 효과적으로 보강할 수 있는 방법에 대해 휨 거동을 중심으로 그 성능을 규명하고자 하였다. 연구에 채택된 보강재료로는 현재 시공의 간편성과 보강된 부재 단면의 최소화로 최근에 각광을 받고 있는 섬유접착 보강재료 중에서 탄소섬유쉬트(CFS)와 아라미드섬유쉬트(AFS) 접착공법을 선택하였으며, 현재 상용중인 보강단면을 채택하여 보수ㆍ보강을 실시하였다. 그리고, 보강효과를 실험을 통하여 비교ㆍ분석함으로써 합리적인 보수ㆍ보강공법을 위한 선택의 폭을 넓히고, 현재 활발히 진행중인 국내 보수ㆍ보강의 체계화를 위한 기초적인 자료를 얻고자 한다. (중략)

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1994.11a
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• pp.21-22
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• 1994

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.181-181
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• 2003

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1997.10a
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• pp.105-105
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• 1997

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2008.05a
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• pp.10.1-10.1
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• 2008

• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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• 1998.06a
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• pp.49-80
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• 1998

다른 프로세스와의 경쟁력확보를 위해서는 막소재의 혁신적인 성능향상이 수반되어야 한다. 그러므로 막소재의 물성에 대한 고찰이 필요한데, 이는 고분자재료의 고유한 성질에 \ulcorner랴 분리막의 성능이 좌우되기 때문이다. 막재료로서의 고분자의 성질은 매우 여러 가지가 있지만 본 고에서는 막분리성능에 크게 관련되는 고분자의 물성 및 종류에 대해 논하겠다.

• Journal of Korea Fishing Vessel Association
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• v.31
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• pp.35-46
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• 1987

• 프린팅코리아
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• v.7 no.6
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• pp.112-117
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• 2008

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.9 no.1
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• pp.14-19
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• 1999

Using a single precursor of hexamethyldisilane $(Si_{2}(CH_{3})_{6})$, $\beta$-SiC film was successfully deposited on a Si substrate at $1100^{\circ}C$ by a chemical vapor deposition method. Selectivity of SiC deposition on a Si substrate partially covered with a masking material was investigated by introducing HCl gas into hexamethyldisilane/$H_{2}$ gas system during the deposition. The schedule of the precursor and HCl gas flows was modified so that the selectivity of SiC deposition between a Si substrate and a mask material should be improved. It was confirmed that the selectivity of SiC deposition was improved by introducing HCl gas. Also, the pulse gas flow technique was effective to enhance the selectivity.