• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2009.08a
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• pp.199-199
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• 2009

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.27 no.3
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• pp.246-252
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• 2016

In this paper, reduction of monostatic RCS by DBD plasma is measured. For the calibration of monostatic RCS, S-parameters of two metallic plate in different sizes are used and the result is within 0.4 dB error. Metallic plate is put behind DBD plasma generator for measuring reduction of monostatic RCS by DBD plasma. To prevent arc discharge between metallic plate and DBD plasma generator, measurement is progressed spacing the interval between metallic plate and DBD plasma generator. As a result, maximum reduction of monostatic RCS is about 3 dB at 7.4 GHz.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.75-75
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• 2000

플라즈마 화학증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)을 이용하여 양질의 Si3N4 금속-유전막-금속(Metal-Insulator-Metal, MIM) 커페시터를 구현하였다. Fig.1에 나타낸 바와 같이 p형 실리콘 웨이퍼의 열 산화막 위에 1%의 실리콘을 함유하는 알루미늄을 스퍼터링으로 증착하여 전극을 형성하고 두 전극사이에 Si3N4 박막을 증착하여 MIM구조의 박막 커패시터를 제조하였다. Si3N4 유전막은 150Watt의 RF 출력하에서 반응 가스 N2/SiH4/NH3를 각각 300/10/80 sccm로 흘려주어 전체 압력을 1Torr로 유지하면서 40$0^{\circ}C$에서 플라즈마 화학증착법을 이용하여 증착하였으며, Al과 Si3N4 층의 계면에는 Ti과 TiN을 스퍼터링으로 증착하여 확산 장벽으로 이용하였다. 각 시편의 커패시턴스 및 바이어스 전압에 따른 누설 전류의 변화는 LCR 미터를 이용하여 측정하였고 각 시편의 커패시턴스 및 바이어스 전압에 따른 누설 전류의 변화는 LCR 미터를 이용하여 측정하였고 각 시편의 유전 특성의 차이점을 미세구조 측면에서 이해하기 이해 극판과 유전막의 단면 미세구조를 투과전자현미경(Transmission Electron Microscope, TEM)을 이용하여 분석하였다. 유전체인 Si3N4 와 전극인 Al의 계면반응을 억제시키기 위해 TiN을 확산 장벽으로 사용한 결과 MIM커패시터의 전극과 유전체 사이의 계면에서는 어떠한 hillock이나 석출물도 관찰되지 않았다. Fig.2와 같은 커패시턴스의 전류-전압 특성분석으로부터 양질의 MIM커패시터 특성을 f보이는 Si3N4 의 최소 두께는 500 이며, 그 두께 미만에서는 대부분의 커패시터가 전기적으로 단락되어 웨이퍼 수율이 낮아진다는 사실을 알 수 있었다. TEM을 이용한 단면 미세구조 관찰을 통해 Si3N4 층의 두께가 500 미만인 커패시터의 경우에 TiN과 Si3N4 의 계면에서 형성되는 슬릿형 공동(slit-like void)에 의해 커패시터의 유전특성이 파괴된다는 사실을 알게 되었으며, 이러한 슬릿형 공동은 제조 공정 중 재료에 따른 열팽창 계수와 탄성 계수 등의 차이에 의해 형성된 잔류응력 상태가 유전막을 기준으로 압축응력에서 인장 응력으로 바뀌는 분포에 기인하였다는 사실을 확인하였다.

• Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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• 2003.05a
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• pp.12-12
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• 2003

초전도 선재로의 응용을 위하여 Pulsed laser deposition(PLD)법으로 고온 초전도 체 YBa₂Cu₃O/sub 7-δ/(YBCO) coated conductor를 제조하였다. coated conductor는 금속기판/완충층/초전도층의 구조를 이루고 있는데 완충층은 금속 기판의 집합조직을 초전도층까지 전달하는 역할과 금속기판의 금속이 초전도층으로 확산되어 초전도층의 전기적 특성을 열화시키는 것을 막아주는 확산장벽으로의 역할 등을 수행한다. 완충층의 박막 성장이 제대로 이루어지지 않으면 우수한 초전도 특성을 가지는 초전도층을 얻을 수 없다. 완충층은 금속기판과의 lattice match, thermal match등이 요구되고, 화학적으로 금속기판 및 초전도층과 반응하지 않아야 하며, 긍속기판의 산화없이 epitaxial하게 박막증착이 이루어질 수 있는 재료이어야 한다. 이러한 조건을 만족하는 YBCO, CeO₂, YSZ 등이 주로 사용되고 있다. 전기연구원에서 YBCO coated conductor 선재를 제조하기 위하여 사용하고 있는 다층 박막의 구조는 YBCO/CeO₂/YSZ/CeO₂/Ni(002)과 YBCO/CeO₂/YSZ/Y₂O₃/Ni(002)이며, 최적의 증착조건을 찾기 위하여 성장시 챔버의 산소분압, 완충층의 두께, 기판 온도 등을 변화시켰다. 증착된 완충층 및 초전도층의 집합 조직은 D8-Discover with GADDS(General Area Detector Diffraction System)로 XRD분석을 했고, 미세구조는 SEM으로 관찰하였으며 4단자법을 이용하여 초전도 특성을 측정하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.6
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• pp.545-552
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• 1993

단층 금속 Al, Au 게이트 MESFET를 제작하여 열처리에 따른 쇼트키 계면에서의 상호확산 상태와 그에 따른 쇼트키 접촉특성 및 MESFET의 전기적 특성을 조사하였다. Al 및 Au 쇼트키 계면의 상호확산은 as-deposited 상태에서도 나타났으며 열처리 온도가 증가함에 따라 상호확산의 정도는 Au 접촉이 Al 접촉보다 컸다. 특히 Au 접촉에서 Ga의 외부확산이 현저했다 .Al 및 Au 게이트에 있어서 공통적으로 열처리 온도 증가에 따라 포화드레인 전류와 핀치오프 전압은 감소하였고 개방채널 저항은 증가하였으며 변화폭은 Au 게이트가 Al 게이트보다 컸다. Al 및 Au 접촉의 장벽높이는 as-deposited 상태에서 각각 0.70eV, 0.73eV로 페르미 준위는 1/2Eg 근처에 피닝되었다. Al 및 Au 접촉에 있어서 열처리 온도 증가에 따라 장벽높이는 각각 증가, 감소하였으며 이상계수는 각각 감소, 증가하였다. Al 접촉의 경우 열처리를 행함으로서 쇼트키 접촉특성이 개선됨을 확인할 수 있었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.12
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• pp.1216-1221
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• 1999

GaN films were deposited on sapphire [$Al_2O_3(0001)$] substrates at relatively low temperature by MOCVD using N-atom source based on a Dielectric Barrier Discharged method. Ammonia gas($NH_3$is commonly used as an N-source to grow GaN films in conventional MOCVD process, and heating to high temperature is required to provide sufficient dissociation of $NH_3$. We used a dielectric barrier discharge method instead of $NH_3$ to grow GaN film relatively low temperature. DBD is a type of discharge, which have at least one dielectric material as a barrier between electrode. DBD is a type of controlled microarc that can be operated at relatively high gas pressure. Crystallinity and surface morphology depend on growth temperature and buffer layer growth. With the DBD-MOCVD method, wurtzite GaN which is dominated by the (0001) reflection was successfully grown on sapphire substrate even at $700^{\circ}C$.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.37 no.12
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• pp.11-17
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• 2000

We investigated the growth of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) structures which emit blue light. The samples were grown in a low pressure metalorganic chemical vapor deposition system. We examined InGaN/GaN MQWs by varying growth temperatures and thicknesses of InGaN well and GaN barrier layers in MQWs. Especially, the thickness of GaN barrier in InGaN/GaN MQWs was found to severely affect the interfacial abruptness between InGaN well and GaN barrier layers. The higher order satellite peaks in the high resolution x-ray diffraction spectra and the high resolution cross sectional transmission electron microscope image of MQW structrues revealed that the interface between InGaN and GaN layers was very abrupt. Room-temperature photoluminescence spectra also showed a blue emission from InGaN/GaN MQWs at the wavelength of 463.5nm with a narrow full width at half maximum of 72.6meV.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.48 no.2
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• pp.14-19
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• 2011

We have fabricated GaN Schottky barrier diode (SBD) for high-voltage applications on Si substrate. The leakage current and the electrical characteristics of GaN SBD are investigated by annealing metal-semiconductor junctions. Ohmic junctions of Ti/Al/Mo/Au and Schottky junctions of Ni/Au are used in the fabrication. A test structure is proposed to measured buffer leakage current through a mesa structure. When annealing temperature is increased from $700^{\circ}C$ to $800^{\circ}C$, measured buffer leakage current is also increased from 87 nA to 780 nA at the width of 100 ${\mu}m$. The diffusion of Au, Ti, Mo, O into GaN buffer layer increases the leakage current and that is verified by Auger electron spectroscopy. Experimental results show that the low leakage current and the high breakdown voltage of GaN SBD are achieved by annealing metal-semiconductor junctions.

• Journal of Welding and Joining
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• v.10 no.4
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• pp.66-74
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• 1992

규격은 제정 주체에 따라 사내표준, 단체규격, 국가규격, 지역규격 및 국제규격으로 분류된다. 시장경제의 블록화, 관세이외의 무역장벽 및 공업제품에 대한 품질향상의 요구확대등에 기인하여 공업규격에 대한 인식이 날로 증가하고 있다. 최근에는 ISO 9000 시리즈가 국내 공업제품의 생산활동과 수출활동에 미치는 영향에 대한 관심이 증가하고 있다. 이와 같은 상황에서 용접관련 규격의 현황을 파악하고 우리가 지향하는 목표를 설정하는 것은 중요한 일이다. 본 글에서 규 격의 종류를 개괄하고, 용접관련 규격이 각 공정에서 어떻게 적용되는가를 살폈으며, 끝으로 용 접학회가 규격활동에 정진하여야 함을 나타내고자 하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.16 no.2
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• pp.130-135
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• 2006

We theoretically demonstrate that the interlayer exchange coupling (IEC) energy can be manipulated by means of an external bias voltage in a $F_1/NM/F_2/S$$(F_1:ferromagnetic,\;NM:nonmagnetic\;metallic,\;F_2:ferromagnetic,\;S:semiconductor\;layers)$ four-layer system. It is well known that the IEC energy between two ferromagnetic layers separated by nanometer thick nonmagnetic layer depends on the spin-dependence of reflectivity to the $F_1/NM/F_2/S$ four-layer system, where the reflectivities at the interface in $NM/F_2$ interface also depends on $F_2/S$ interface due to the multiple reflection of an electron-like optics. Finally, the IEC energy depends on the spin-dependent electron reflectivity not only at the interfaces of $F_1/NM/F_2$, but also at the interface of $F_2/S$. Naturally the Schottky barrier is formed at the interface between metallic ferromagnetic layer and semiconductor, the Schottky barrier height and thickness can be tailored by an external bias voltage, which causes the change of the spin-dependent reflectivity at $F_2/S$ interface. We show that the IEC energy between two ferromagnetic layers can be controlled by an external bias voltage due ti the electron-optics nature using a simple free-electron-like one-dimensional model.