우주선 intensity가 갑작스럽게 감소하는 대표적인 현상인 Forbush Decrease(FD)는 행성간 충격파(Interplanetary shock), 자기 구름(Magnetic cloud)과 같은 태양풍 이벤트와 밀접한 관련성을 가지고 있다. FD 현상에 대해 태양풍 이벤트 중 자기구름이 어느 정도 효과적으로 작용하는 지에 대해 알아보기 위해 1998-1999년의 2년 동안 발생한 44개의 자기 구름을 분석하였다. 그 결과 44개 중 11개의 자기 구름이 FD 현상과 관련이 있었으며, 자기 구름 영역이나 자기구름과 관계된 행성간 충격파의 sheath 영역의 평균 자기장 세기, 자기장 교란도 그리고 태양풍 속도와 같은 행성간 자기장 및 태양풍의 물리적 특성이 FD 현상과의 관련성을 대표해준다는 것을 밝혀냈다. 특히, 행성간 충격파 sheath 영역의 자기장 및 태양풍의 물리량이 자기장 세기가 13nT, 자기장 교란도는 3nT, 및 태양풍 속도가 평균 550km/s 이상의 태양풍 이벤트에서 FD 발생에 효과적으로 작용하는 것으로 분석되었다.
교환바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 발생하는 것으로 알려져 있다. 이 현상은 1956년 Meiklejohn과 Bean에 의해 CoO층으로 둘러싸인 Co 입자에서 발견된 이후[1], 강자성과 반강자성의 접합계면을 가지는 다층박막에서의 교환바이어스에 대한 연구가 진행되어왔다[2-6]. 이는 강자성/반강자성 박막의 교환바이어스 특성을 이용하여, 강자성 박막의 스핀방향을 고정시킬 수 있기 때문이다. 이러한 교환바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기메모리소자에 응용되어지는 등 경제적 가치를 갖는 기술적인 면과 교환바이어스라는 자기특성의 학문적인 가치로 인해 이 분야에 대한 집중적인 투자와 연구가 이루어지고 있다. 최근에는 교환바이어스 현상의 원인과 형성기구에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 강자성과 반강자성 박막의 단거리 상호 교환결합력에 의한 교환바이어스 현상은, 계면의 원자구조, 자기구조 및 각자성층의 여러 가지 인자들에 대해서 지속적으로 연구되고 있다.
교환바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 발생하는 것으로 알려져 있다. 이 현상은 1956년 Meiklejohn과 Bean에 의해 CoO층으로 둘러싸인 Co 입자에서 발견된 이후[l], 강자성과 반강자성의 접합계면을 가지는 다층박막에서의 교환바이어스에 대한 연구가 진행되어왔다[2-6]. 이는 강자성/반강자성 박막의 교환바이어스 특성을 이용하여, 강자성 박막의 스핀방향을 고정시킬 수 있기 때문이다. 이러한 교환바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기메모리소자에 응용되어지는 등 경제적 가치를 갖는 기술적인 면과 교환바이어스라는 자기특성의 학문적인 가치로 인해 이 분야에 대한 집중적인 투자와 연구가 이루어지고 있다. 최근에는 교환바이어스 현상의 원인과 형성기구에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 강자성과 반강자성 박막의 단거리 상호 교환결합력에 의한 교환바이어스 현상은, 계면의 원자구조, 자기구조 및 각자성층의 여러 가지 인자들에 대해서 지속적으로 연구되고 있다.
자기변형(magnetostriction) 현상은 외부 온도와 자기장이 변할 때 자성체의 모양이나 부피가 변하는 현상이다. 반강자성을 갖는 희토류 원소와 화합물에서의 관측되는 자기변형 현상은 결정장에 의한 결정장 변형(crystal-field striction)과 교환상호작용에 의한 교환 변형(exchange striction)으로 잘 설명할 수 있음이 알려져 있다. 이 해설 논문에서는 결정장과 교환 상호작용을 포함하는 자기변형 표준이론에 대하여 논의하고자 한다.
열처리 방식을 통하여 형성된 FePt 나노 입자를 사용하는 자기 양자점 소자를 제작하고, 전기적 및 자기적 특성을 연구하였다. FePt 자기 양자점 터널링 소자는 p 형 Si 기판 상부에 약 20 nm의 $SiO_2$ 터널 절연막을 형성하고 FePt 박막을 3 nm 두께로 증착한 후에 열처리 방식을 이용하여 8~15 nm 크기의 양자점을 갖는 구조이다. 터널링 소자의 전류-전압 특성을 자기장과 온도 변화에 따라 관찰하였고 특히, 저온에서 비선형적인 전류-전압 곡선을 확인하였으며 이러한 단전자 수송현상을 전자의 hopping 모델과 양자점의 터널링 현상을 이용하여 설명하였다. FePt 양자점 터널링 소자는 20 K에서 터널링 현상을 보였으며, 양단에 가해준 전압과 관계없이 외부 자기장이 증가할수록 음의 자기저항이 커지는 현상을 관찰하였고, 9,000 G에서 약 26.2 %의 자기저항 비를 확인하였다.
원인과 결과 간의 연결 강도에 관한 추정인 인과 추론에는 다수의 처리기제가 다른 처리 시점에 관여하며 따라서 이들 각각에 민감하게 작용하는 개인차 변인은 상이할 가능성이 크다. 특히, 조건부화와 절감 현상은 하나의 결과에 다수의 잠재원인이 존재할 경우 특정 원인과 결과 간의 인과 강도를 추정할 때 일어나는 주요현상에 해당한다. 본 연구에서는 맥락 민감도와 관련된 개인차 변인인 자기 해석을 조작하여 조건부화와 절감 현상에 어떠한 영향을 미치는가를 알아보았다. 그 결과 독립적 자기 조건과 상호의존적 자기 조건 간에는 조건부화 정도의 차이가 발견되지 않았다. 그러나 상호의존적 자기 조건이 더 높은 절감 현상을 보였으며 이는 조건부화와 절감 현상이 각기 다른 처리 기제임을 시사한다고 볼 수 있다.
본 연구는 현상유지 또는 현상변화의 상황에서 실패를 경험할 때, 소비자들의 후회 경험에 따라 향후의 선택유지의도 또는 선택변경의도는 어떻게 달라질 것인지, 또한 자기자비라는 개인차 변인이 이러한 관계에서 어떻게 조절적 역할을 할 것인지 규명하고자 하였다. 이를 위해 시나리오를 이용한 실험을 진행하였다. 첫째 연구 결과로서 후회는 선택결과의 불만족 경험과 행동의도 사이에서 매개변인의 역할을 하고 있었다. 둘째, 선행연구들처럼 본 연구도 일반적으로 현상유지효과를 확인하였다. 그러나 그 효과는 자기자비에 따라 달라짐을 알 수 있었다. 즉 자기자비가 높은 사람들은 현상유지 상황이든 현상변화 상황이든 후회와 향후 행동의도가 크게 달라지지 않았다. 반면, 자기자비가 낮은 사람들은 그 차이가 크게 나타나고 있다. 이들은 전형적으로 현상유지효과를 보이고 있다.
MR(Magnetoresistance)현상이란 인가된 자장에 의해 저항이 변하는 현상이다. 이 현상은 여러 측면에서 연구되고 있고 그 중 TMR(Tunneling Magnetoresistance)현상은 sensor, head, memory device의 적용에 대한 연구가 진행 중에 있다. 특히 memory 소자 측면에서 MRAM은 현재 사용되고 있는 DRAM이나 SRAM들과는 달리 비휘발성과 기록밀도의 고집적 등 많은 장점을 갖는 소자로써 연구되고 있다. (중략)
교환바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 발생하는 것으로 알려져 있다. 이 현상은 1956년 Meiklejohn과 Bean에 의해 CoO 층으로 둘러싸인 Co 입자에서 발견된 이후, 강자성과 반강자성의 접합계면을 가지는 다층 박막에서의 교환바이어스에 대한 연구가 진행되어왔다. 이는 강자성/반강자성 박막의 교환바이어스 특성을 이용하여, 강자성 박막의 스핀방향을 고정시킬 수 있기 때문이다. 이러한 교환바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기메모리소자에 응용되어지는 등 경제적 가치를 갖는 기술적인 면과 교환바이어스라는 자기특성의 학문적인 가치로 인해 이 분야에 대한 집중적인 투자와 연구가 이루어지고 있다 최근에는 교환바이 어스 현상의 원인과 형성기구에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 강자성과 반강자성 박막의 단거리 상호 교환결합력에 의한 교환바이어스 현상은, 계면의 원자구조, 자기구조 및 각자성층의 여러 가지 인자들에 대해서 지속적으로 연구되고 있다. 본 연구에서는 Helmhertz 코일의 진동샘플형 자력계(VSM)을 이용하여 Si 기판위에 증착된 NiFe(10nm)/FeMn(t)/NiFe(10nm) 다층박막에서 FeMn층의 두께에 대한 각각의 교환바이어스 현상을 조사하고 사잇층 FeMn층의 surface를 Ar ion beam etching하여 etching 조건에 따른 교환바이어스를 비교분석 하고자 한다.
본 논문에서는 수 MeV 이상의 에너지를 갖는 전자들(electrons)의 비정상적인 증가 현상 즉 Relativistic Electron Events(REE)와 자기 폭풍(magnetic storm) 및 자기 부폭풍(magnetic substorm) 사이의 상관 관계에 대해 연구하였다. 이를 위해 먼저 1996-1998년의 3년 동안 일어났던 자기 폭풍을 조사하여 REE를 동반하는 자기 폭풍과 동반하지 않는 자기 폭풍의 두 그룹으로 분류하여 분석하였고, 두 그룹 각각의 자기 폭풍이 일어나는 동안 발생한 자기 부폭풍들의 특성을 살펴보았다. 특히 수십에서 수백 keV 에너지대의 고에너지 입자 수 증가(energetic particle injection) 현상과 자기장 쌍극자화(magnetic dipolarization) 현상을 분석한 결과, REE를 동반하는 자기 폭풍 동안에 발생한 자기 부폭풍이, REE를 동반하지 않는 자기 폭풍이 일어나는 동안 발생한 자기 부폭풍보다 더 강하게 나타난다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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