기존의 BACC process의 가장 큰 단점은 탈질이 잘 이루어지지 않는다는 점인데 이것을 보완한 modified BACC process의 경우 실제오수를 사용하여 외부 반송비 따른 질소 및 인의 제거율을 살펴보면 외부 반송비가 200%일 때 $CODC_{Cr}$의 제거율은 평균 $96.3{\sim}95.7%$ 기존의 BACC process와 비슷하나 T-N 제거율은 $88.3{\sim}95.7%$로 월등히 우수한 결과를 보여주고 있다. 충진율 실험에서는 Table 2에서 보는 바와 같이 큰 차이는 없었다.
야금학적 정련 공정 중 슬래그 처리, 일방향 응고, 플라즈마-전자기유도용해 공정을 적용한 태양전지용 실리콘 제조 기술에 관한 연구를 수행하였다. 원소재인 금속급 실리콘을 제조하기 위해원재료로 규석, 코크스(Cokes), 숯, 그리고 우드칩(Wood chip)을 사용하였으며, 150kW급 DC 아크로(Arc furnace)를 이용하여 순도 99.8% 금속급 실리콘을 제조하였다. 제조된 용융 상태의 금속급 실리콘은 슬래그와 반응시켜 불순물을 제거하였다. SiO2-CaO-CaF2 계의 슬래그를 이용하였으며, 금속급 실리콘과 슬래그의 질량비 및 반응 시간에 따른 실리콘 불순물 특성을 평가하였다. 이후 고액 계면이 제어 가능한 일방향 응고 장치를 이용하여 금속불순물을 제거하였다. 고액상태의 온도 조건 및 응고 시간에 따른 불순물 농도 변화를 평가하였으며, 순도 6N급의 실리콘을 제조하였다. 마지막 공정으로 스팀 플라즈마 토치와 냉도가니가 적용된 전자기 유도 용해장치를 이용하여 붕소와 인을 제거하였다. 플라즈마 토치 가스로는 아르곤, 스팀, 수소를 이용하였다. 붕소와 인의 제거율은 각각 94%와 96%를 달성하였으며, 최종 순도 6N급의 실리콘을 제조하였다.
본 연구는 통상 muntz metal로 불리는 구리와 아연의 합금 금속의 산화 환원 반응을 이용한 폐수 중 탈인 처리에 관한 연구이다. 연구를 위하여 $200{\mu}m$ 두께의 극세사 형태로 제조된 구리 아연 금속합금이 수용액 중에서 산화 환원 반응 작용으로 인하여 발생하는 OH radical을 이용하여 금속과 phosphate의 공침 반응에 의해 탈인 처리되는 원리를 이용한 인 처리법에 관한 연구이다. 인 제거 효율은 장시간의 순환 처리보다는 1회 처리에서 가장 제거 효율이 높았으며, 1시간 이후의 순환처리에서는 더 이상의 제거효율을 보이지 않았다. 이는 금속합금 물질은 표면적이 넓어서 1회 처리만으로도 수용액의 pH를 평형에 도달하게 하여 반응 효율이 높은 것으로 나타났다. 제조한 합성폐수의 pH 조건은 pH 5 에서 pH 9 사이이며, pH 8일 때 제거 효율이 가장 높았으며 pH 8 이상에서는 효율 증가를 보이지 않았다. 이때 인산염은 $H_2PO_4{^-}$, $HPO_4{^{2-}}$의 형태로 가장 많이 존재하는 것으로 조사되었으며, 온도에 따른 인 제거는 온도만의 영향이 아닌 타 영향인자와의 관계를 고려해야 하며 본 연구에서는 온도가 낮을수록 높은 인 제거 효율을 보였다.
본 연구에서는 미세기포 액막화 부상조를 이용하여 인 제거에 관한 연구를 실시하였다. 미세기포 액막화 부상조는 기체용해탱크를 이용하여 부상 전 기 액을 충분히 용해시킨 후 일정한 저 압력으로 동일한 미세기포를 생성하도록 하는 방법을 사용하였다. $A_2O$ 공정과 m-$O_3$(미세기포 생성장치와 오존용해탱크가 결합된 공정)복합공정을 거친 2차 유출수를 인 제거 공정의 유입수로 사용하였으며, 원수의 T-P 농도가 2.89 mg/L일 때, 8%의 Alum을 30 mg/L의 농도로 주입하였을 경우 T-P 제거율이 94%를 나타내었고, T-P의 방류수수질기준인 0.2 mg/L 이하를 만족시키는 것으로 조사되었으며, 계절에 따른 수온 변화는 T-P 제거 특성에 영향을 주지 않았다. SS의 유입농도가 1.0 mg/L 이상일 시 SS가 응집공정 내의 seed 역할을 하여 평균 T-P의 제거율이 97% 이상 되는 것으로 조사되었고, 부상스컴을 50% 반송할 경우, 부상스컴 내에 포함되어 있는 응집제 성분 Al이 주입되는 응집제의 역할을 보조하여 오염물질의 응집효율을 극대화 시키는 것으로 조사되었다. 이러한 조건에서 T-P의 방류수 수질기준 0.2 mg/L 이하를 만족하는 0.18 mg/L의 농도를 나타내는 것으로 조사되었다.
본 연구는 DEPHANOX 공정내 분리조에 Al(III) ($Al_2(SO_4)_3{\cdot}17H_2O$)를 주입하여 유출수의 T-P 농도를 0.2 mg/L 이하로 유지하기 위한 주입량을 도출하고 Al(III) 첨가에 따른 질소 및 인 제거 효율을 평가하였다. 반응조 내에 Al(III)을 5, 10, 15 mg/L주입하여도 pH와 알칼리도 저감에 대한 영향은 나타나지 않았으며 반응조 내의 pH는 7~8 사이로 유지하였다. 응집제의 주입량이 증가할수록 유기물과 T-N 제거효율은 감소하였으나, T-P 제거효율은 주입량이 5, 10, 15 mg/L로 증가할수록 76.28, 84.02, 94.66% 증가하였다. Al(III)주입량 15 mg/L에서 유출수의 T-P 농도는 0.17 mg/L로 관찰되어 유출수의 T-P 농도를 0.2 mg/L 이하로 유지하기 위한 Al(III)의 주입량은 최소 15 mg/L 이상임을 확인하였다.
[ $\circ$ ] 본 기술은 기존의 A2O공법과 Sludge Blanket Filtration(SBF)을 단위공법으로 조합한 공정으로서 각 생물반응조의 미생물 농도를 6,000mg/ 이상의 고농도로 운전하여 생물학적 유기물,질소 및 인 제거효율을 극대화하고자 하는 기술 $\circ$ 또한 활성슬러지 반응조로부터 유입된 슬러지를 SBF에서 미세기포를 이용하여 부상시킴으로써 수면에 농축 슬러지층을 형성시키고 이 부
마이크로 웨이브를 사용하는 기기들은 대량생산 공정에 있어서 식품 가공용 건조기기로 사용되고 있다. 3kW 마그네트론을 구동하기 위해서는 필라멘트를 가열하고 고압의 DC전원을 발생할 수 있는 회로가 필요하게 된다. 반도체 소자를 이용한 전력변환 장치로 DC로 운전이 되면 AC계통으로 혼입되는 고조파가 발생된다. 본 논문에서 AC계통으로 유입되는 특정고조파 제거 방법을 제안한다. 고조파 검출회로를 기반으로 전류를 제어함으로써 기존 LC필터에서 제거되지 못한 고조파성분이 감쇠되는 성능을 보였다.
본 연구의 목적은 석회석 및 인회석을 이용한 실내실험을 실시하여 ARD 내의 비소저감 효율성을 평가하고 인회석 배수 체계를 설계하는 것이다. 실내실험 결과, pH, 비소저감율 및 석회석/인회석의 용해량은 유속에 반비례 하였으며 인회석은 유속 0.6 ml/min/kg에서 비소를 100% 제거하였다. 인회석의 용해율은 석회석보다 10배 정도 높은 것으로 사료된다. 비소화합물은 비산염인회석 그리고/또는 칼슘비산염수화물의 형태인 것으로 추측된다. 실내실험에 근거하여 인회석 배수체계를 설계하였으며 그 결과는 다음과 같다; 1년 6개월 마다 인회석 62톤을 새로 충진시켜줘야 하며 침전물은 매 3개월 마다 침전조에서 제거해줘야 할 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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