• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.02a
• /
• pp.442-442
• /
• 2010

공정 플라즈마 장치에서 이중 주파수법을 이용하여 실시간 유전박막 두께 측정법에 대한 보상연구를 하였다. 이중 주파수법은 유전박막과 플라즈마 쉬스를 간단한 전기적인 등가회로로 모델링하여 유전박막의 두께를 측정하는 방법이다. 이중 주파수법의 문제는 측정탐침의 인가전압에 따른 유전박막의 두께 측정치가 다르다는 점이다. 플라즈마 쉬스를 선형 저항만으로 등가하였기 때문에, 쉬스의 인가전압에 상관없이 쉬스 저항의 값이 일정하다는 가정이 존재한다. 그러나 쉬스 저항은 쉬스의 인가전압에 종속적이면서 비선형적인 특성을 갖는다. 측정 탐침에 출력 전압이 인가될 때 쉬스 양단에서 인가전압에 따른 쉬스의 등가저항의 비선형성을 고려하여 측정 탐침에 증착된 유전박막의 커패시턴스성분에 대한 방정식을 Numerical analysis로 풀어 유전박막의 두께 측정값을 보상하였다. 보상된 위의 방법으로 다양한 RF파워, 압력에 따라 $Al_2O_3$박막의 두께를 실시간으로 측정하여 비교하였다. 그 결과 이 방법은 낮은 플라즈마 밀도(${\sim}10^9cm^{-3}$)에서도 인가전압에 따른 유전 박막두께측정의 오차를 줄일 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
• /
• 2000.11a
• /
• pp.17-19
• /
• 2000

본 논문은 인가된 전원 주파수와 파형이 형광램프의 광효율에 미치는 영향에 대해 다루고 있다. 실험결과를 살펴보면 각 파형별 전원전압의 주파수 변화에 따라 광효율은 완만한 증가를 하고 있음을 알 수 있으며, 25[kHz]에서의 각 파형별 인가전압에 따른 램프전압에 대한 FFT분석에 있어 파형에 따른 spectrum power 변화는 크지 않았으며, peak spectrum은 주파수 15[kHz] 부근임을 확인하였고, 차후로 좀 더 넓은 주파수 대역에서의 실험이 행해져야 할 것이다.

• Proceedings of the KIPE Conference
• /
• 2019.07a
• /
• pp.400-401
• /
• 2019

본 논문에서는 전동기 제정수와 전압 및 전류제한 값에 따른 단상 영구자석 동기전동기의 능력곡선을 분석하였다. 역기전력 상수와 고정자 인덕턴스 및 전압 전류 제한값에 따라 영구자석 동기전동기의 능력곡선이 변하게 되며, 최대토크를 얻을 수 있는 인가전압의 크기 및 위상이 결정된다. 제안한 능력곡선의 분석방법을 통하여 얻은 최대토크에서의 인가전압을 컴퓨터 모의실험으로 검증하였다.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.6 no.6
• /
• pp.554-563
• /
• 1993

본 연구는 복소유전률 측정장치의 실현을 목표로 한 것이다. 본 장치는 인터페이스 유니트, 외부 RAM, 프로그래머블 카운터, D/A 콘버터, 측정회로, S&H 회로, A/D콘버터 및 기타 제어회로로 구성하였다. 컴퓨터에 의해 여러 종류의 파형이 디지털화하여 생성되며 4096워드의 외부 스태틱 RAM에 전송된다. 이와같이 RAM에 저장된 데이타는 D/A콘버터에 의하여 아날로그 전압파형으로 변환된다. 이 전압파형의 주파수는 클럭펄스에 의한 RAM의 읽기 속도에 좌우된다. 이와같이 생성된 전압파형이 유전체에 인가되며 이 인가전압과 함께 유전체의 응답전압이 샘플링되어 A/D콘버터에 의해 디지털 데이터로 변환된다. 컴퓨터는 응답전압 및 인가전압을 취하게 되며 마지막으로 복소유전률을 계산한다. 본 측정장치의 측정주파수 범위는 0.04Hz-10kHz이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
• /
• 2015.11a
• /
• pp.269-270
• /
• 2015

상용 교류전원 환경에서 구동되는 조명용 OLED의 연구를 위하여 적색 형광 소자를 제작하여 교류 순방향 바이어스 인가에 따른 유기 전계발광 소자의 발광 특성을 분석하였다. 순방향 교류전원으로 구동된 유기발광 소자의 경우 직류 구동 방식과 비교하여 인가전압에 따른 전류 밀도와 발광 휘도는 유사한 특성을 나타내나, 높은 구동 전압에서 시간에 따른 열화가 빠르게 진행되는 결과를 나타내었다. 이러한 원인은 동일한 인가전압에서 교류의 경우 첨두치 전압이 높아 OLED 구동에 치명적인 열화의 원인으로 작용한다는 것을 실험적으로 확인하였다. 조명 용도로 교류전원 환경에서 OLED를 직결로 구동시키기 위해서는 소자를 안정적으로 구동할 수 있는 전압 범위의 첨두치 전압 조건에서 충분한 휘도와 효율 특성이 요구됨을 본 연구 결과를 통해 알 수 있다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
• /
• v.16 no.6
• /
• pp.610-617
• /
• 2011

This paper proposes a novel and direct dead-time compensation method of the 3-phase inverter using space vector pulse width modulation(SVPWM) topology. The proposed dead-time compensation method directly compensates the dead-time to the turn-on time of the effective voltage vector according to the current direction of the medium voltage reference. Each phase voltages are determined by the switching times of the effective voltage vectors, and the practical switching times have loss according to the current direction by the dead-time effect in the 3-phase inverter. The proposed method adds the dead-time to the switching time of the effective voltage vector according to the current direction, so it does not require complex d-q transform and controller to compensate the voltage error. The proposed dead-time compensation scheme is verified by the computer simulation and experiments of 3-phase R-L load.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
• /
• v.18 no.3
• /
• pp.651-656
• /
• 2014

This paper analyzed the change of subthreshold swing for channel doping of asymmetric double gate(DG) MOSFET. The subthreshold swing is the factor to describe the decreasing rate of off current in the subthreshold region, and plays a very important role in application of digital circuits. Poisson's equation was used to analyze the subthreshold swing for asymmetric DGMOSFET. Asymmetric DGMOSFET could be fabricated with the different top and bottom gate oxide thickness and bias voltage unlike symmetric DGMOSFET. It is investigated in this paper how the doping in channel, gate oxide thickness and gate bias voltages for asymmetric DGMOSFET influenced on subthreshold swing. Gaussian function had been used as doping distribution in solving the Poisson's equation, and the change of subthreshold swing was observed for projected range and standard projected deviation used as parameters of Gaussian distribution. Resultly, the subthreshold swing was greatly changed for doping concentration and profiles, and gate oxide thickness and bias voltage had a big impact on subthreshold swing.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2004.11a
• /
• pp.120-122
• /
• 2004

평판 스위치 전극에 인가되는 전압 변화에 따라서 전극 앞에서의 플라즈마 전위의 변화를 측정하고, 이를 이용하여 형성된 전계의 변화를 관찰하였다. 대부분 스위치 전각에 인가되는 펄스는 펄스 인가시간, 플래토(plateau)시간, 펄스 회복시간으로 구성되어 이들 세 가지 시간 구간에 따라서 전위의 변화를 측정하여 형성되는 전계를 관찰하였다. 빠른 방전 스위치의 동작특성을 이해하기 위하여 스위치 전극인가 전압의 인가시간 변화와 이에 따른 전압 변화율 및 인가전압의 크기에 따른 플라즈마 쉬스의 거동을 관찰하고, 그 크기가 펄스 변화율과 크기에 따라 변화함을 찾았다. 펄스의 회복시간 동안에 돌아오는 플라즈마 쉬스의 거동은 펄스의 인가시간동안의 변화와 유사한 거동을 보였으며 이때에도 펄스 회복율이 중요한 인자임을 알 수 있었다. 만일 펄스 변화율이 커서, 전극 앞에서의 쉬스의 거동 속도가 플라즈마 이온의 음속보다 빠르게 변할 때는 이온 매트릭스 쉬스의 거동형태를 따르고, 변화율이 늦어서 쉬스의 거동 속도가 이온의 음속보다 느리게 변하는 경우에는 Child-Langmuir 쉬스의 형태가 시간에 따라 전개됨을 알 수 있었다. 펄스 특성을 정량적으로 관찰할 수 있도록 스위치 전극에 흐르는 전류의 크기를 계산하기 위해 필요한 모델을 개발하여 실험견과와의 비교를 통하여 펄스 시간동안 플라즈마의 거동이 스위치를 흐르는 전류에 미치는 영향을 연구하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
• /
• 2016.07a
• /
• pp.281-282
• /
• 2016

영구자석 동기전동기의 회전자 위치검출센서를 사용하지 않는 센서리스 제어를 위해서는 모터에 인가되는 전압과 전류를 정확하게 알아야 한다. 일반적으로 영구자석동기전동기 모델기반의 회전자 위치검출 관측기에 사용되는 전압은 전류제어기의 출력인 전압지령 값을 사용한다. 그러나 전압지령 값은 인버터에 사용되는 데드타임의 영향으로 인해 실제 모터에 인가되는 전압과 차이를 갖는다. 특히 고속운전 시 과변조 구간에서의 전압지령 값은 실제 모터에 인가되는 전압과 큰 오차를 갖게 된다. 데드타임에 의한 전압 오차는 회전자 위치검출 오차에 미치는 영향이 비교적 작게 나타나지만, 과변조 구간에서의 전압 오차는 회전자 위치검출 오차를 매우 크게 만들어 센서리스 제어를 불가능하게 만들 수 있다. 본 논문에서는 추가적인 전압검출회로를 사용하여 모터에 인가되는 3상 전압을 검출하여 회전자 위치검출 관측기에 적용함으로써 과변조 구간까지 센서리스 제어 범위를 확장하는 방법을 시뮬레이션을 통하여 타당성을 검증하였다.

• Journal of Korean Society of Environmental Engineers
• /
• v.37 no.9
• /
• pp.542-549
• /
• 2015

The bioelectrochemical anaerobic digestion for sewage sludge was attempted at different applied voltages ranged from 0.2 V to 0.4 V. At 0.3 V of the applied voltage, pH and VFAs were at 7.32 and 760 mg COD/L, respectively, which were quite stable. The methane production rate was $1.32L\;CH_4/L.d$, and the methane content in biogas was 73.8%, indicating that the performance of the bioelectrochemical anaerobic digestion could be considerably improved by applying a low voltage. At 0.4 V of the applied voltage, however, the contents of the minor VFA components including formic acid and propionic acid were increased. The methane production rate was reduced to $1.24L\;CH_4/L.d$ and the biogas methane content was also reduced to 72.4%. At 0.2 V of the applied voltage, the pH was decreased to 6.3, and VFAs was accumulated to 5,684 mg COD/L. The contents of propionic acid and butyric acid in the VFAs were considerably increased, The performances in terms of the methane production rate and the biogas methane content were deteriorated. The poor performance of the bioelectrochemical reactor at 0.2 V of the applied voltage was ascribed to the thermodynamic potential lack for the driving of the carbon dioxide reduction into methane at cathode.