• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.1
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• pp.109-117
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• 1995

고에너지 이온주입시 격자결함의 생성 및 열처리 거동이 double crystal X-ray와 단면 TEM을 사용하여 연구되었다. 3MeV P+ 이온주입한 실리콘의 DCXRD 분석 결과조사량 증가에 따라 모재 내의 변형량은 증가하였다. HRTEM 분석 결과 고에너지 이온주입시 결함은 표면 부근에 희박하고 Rp 부근에 집중되어 있었다. 또한 이온주입 상태의 결함층은 dark band의 형태로 존재하였으며 열처리시 이차결함은 이곳으로부터 생성됨이 관찰되었다. 3MeV P+,$1X1015extrm{cm}^2$의 조건으로 이온주입된 실리콘 시편의 열처리에 따른 X-ray rocking curve 분석을 통하여 열처리 온도가 $550^{\circ}C$에서 $700^{\circ}C$로 증가함에 따라 모재 내부의 최대 변형량이 7X10-4에서 2.9X10-4으로 감소함이 관찰되었다. 특히 $550^{\circ}C$ 열처리한 시편의 경우 표면으로부터$-1.5mu$m 영역에 작은 변형층이 넓게 잔존하였으며 열처리온도를 $700^{\circ}C$로 증가한 경우 제거되었다. 이온주입시 생성된 일차결함들은 $700^{\circ}C$ 열처리시 $60^{\circ}$ 전위와 <112> 막대 모양 결함, $1000^{\circ}C$ 열처리시 <110>방향의 전위루프로 열처리 조건에 따라 여러 가지 모양의 이차결함으로 변화하였다. 고에너지 이온주입에 의해 발생한 이차결함은 고온에서도 안정하여 고온 열처리에 의한 제거가 용이하지 않았다.

• Proceedings of the Korea Society for Energy Engineering kosee Conference
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• 1994.05a
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• pp.28-38
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• 1994

분류층 가스화기 설계를 위한 일차연구로서 가스화기 이차공기 주입방법에 따른 비반응 난류장에 대한 수치해석을 검사체적에 기초한 유한차분방법을 이용하여 수행하였다. 압력과 속도의 연계문제는 SIMPLEC 알고리즘을, 레이놀즈 전단력은 k-$\varepsilon$ 난류모델을 사용하였다. 입자궤적 계산은 공기역학적 항력만을 고려하였으며 비선형적인 공기저항력에 의한 난류변동상관모델은 고려치 않았다. 이차공기 주입방법(parallel injection과 nonparallel 3$0^{\circ}C$ injection)에 따른 수치해석을 수행하여 Ar tracer의 질량분율에 대한 실험자료와 비교하여 만족할 만한 결과를 얻었으며 이차공기의 주입각 및 기타 제반변수에 따른 유동장 변화를 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.11a
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• pp.99-100
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• 2006

$BF_2$ molecule 이온주입은 ULSI기술에 있어서 ultra shallow 정합형성을 위해고 P-MOS를 제작하는데 매우 유용한 기술이다. 주입된 boron 이온의 분포를 위해서 $0.05{\mu}m$ 나노스케일의 마스크사이즈의 패턴에 이온 주입한 결과를 일차원적인 분포해석을 위해서 UT-Marlowe tool을 사용하여 gauss 및 pearson 모델의 도핑분포를 나타내었다. 또한 이 데이터를 TSUPREM4에 적용하여 이차원적인 도핑분포와 열처리 후에 boron의 gauss 및 pearson의 모델의 도핑분포를 본 논문에 나타내었다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.12 no.3
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• pp.153-157
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• 2001

Operation conditions for the generation of an HF laser driven by fluorine-hydrogen combustion were discussed by mc:asuring the intensities of excited HF* molecules. Optimum injection quantities of fluorine gas for the generation of fluorine atoms was two times the injection mole number of hydrogen fuel. Slit nozzles with two dimensional configuration were used for the production of excited HF* molecules. When the injection mole number of secondary hydrogen gas is 1.3 times the injection mole number of fluorine gas, the fluorescence intensities of excited HF* molecules show maximum values. alues.

• Proceeding of EDISON Challenge
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• 2015.03a
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• pp.347-349
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• 2015

본 연구에서는 MOSFET 제작방법중 하나인 이온주입법에서 다양한 변수로 작용하는 도핑농도, 에너지주입, 바탕농도의 역할에 대해서 알아보고 채널길이가 감소함에 따른 단채널효과를 억제할 수 있는 최적점에 대하여 분석하였으며 Ion Implant 이차원 시뮬레이션값과 비교하였다. 결과적으로 농도와 에너지주입 그리고 채널길이에 따른 MOSFET의 최적화된 모델을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.81-81
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• 1999

고에너지 이온 주입에 의해 형성되는 결함의 거동을 DLTS(deep level transient spectroscopy)를 통해 조사하였다. 이온 주입에 이용된 기판들은 서로 다른 산소 농도를 가지고 있었으며, B 이온의 주입 농도는 각각 5X10E13 ~ 4X10E14으로 주입 에너지는 1.5MeV였다. 이온 주입에 의해 형성된 buried layer 내의 boron의 농도는 SIMS(secondary ion mass spectroscopy)를 이용하여 측정하였으며, 열처리에 따른 이차 결함의 생성은 TEM(transmission electron microscopy) 및 BMD(bulk micro defect)를 조사함으로써 알 수 있었다. 이온 주입에 의해 형성된 일차 결함의 제거 및 silicon 내부에서의 금속 gettering을 위하여 furnace 및 RTA (rapid thermal annealing)를 이용한 열처리를 행하였다. 이온주입 초기 상태 및 산소의 농도 또는 이온주입의 농도에 따른 결함을 살펴보기 위하여 DLTS를 이용하였으며, 또한 열처리에 따른 이러한 초기 결함들의 거동을 조사하여 TEM 및 BMD 결과와 비교, 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1996.02a
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• pp.41-41
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• 1996

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1997.05a
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• pp.15-15
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• 1997

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.7
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• pp.733-741
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• 1996

In this study MeV Si self ion implantations were done to reveal the intrinsic behavior of defect formation by excluding the possibility of chemical interactions between substrate atoms and dopant ones. Self implantations were conducted using Tandem Accelerator with energy ranges from 1 to 3 MeV. Defect formation by high energy ion implantation has a significant characteristics in that the lattice damage is concentrated near Rp and isolated from the surface. In order to investigate the energy dependence on defect formation, implantation energies were varied from 1 to 3 MeV under a constant dose of $1{\times}10^{15}/cm^2$. RBS channe!ed spectra showed that the depth at which as-implanted damaged layer formed increases as energy increases and that near surface region maintains better crystallinity as energy increases. Cross sectional TEM results agree well with RBS ones. In a TEM image as-implanted damaged layer appears as a dark band, where secondary defects are formed upon annealing. In the case of 2 MeV $Si^+$ self implantation a critical dose for the secondary defect formation was found to be between $3{\times}10^{14}/cm^24$ and $5{\times}10^{14}/cm^2$. Upon annealing the upper layer of the dark band was removed while the bottom part of the dark band did not move. The observed defect behavior by TEM was interpreted by Monte Carlo computer simulations using TRIM-code. SIMS analyses indicated that the secondary defect formed after annealing gettered oxygen impurities existed in silicon.

• Journal of Energy Engineering
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• v.4 no.1
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• pp.23-30
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• 1995

분류층 가스화기 설계를 위한 일차연구로서 가스화기 종횡비, 주입方法, 선회강도 및 주입속도 등에 따른 비반응 난류장 특성을 수치해석적 방법에 의해 파악하였다. 수치해석은 검사체적에 기초한 Patankar의 유한차분방법을 이용하였으며 압력과 속도의 연계문제는 SIMPLEC 알고리즘을, 레이놀즈 전단력은 K- 난류모델을 사용하였다. 입자궤적 계산은 공기역학적 향력만을 고려하였으며 비선형적인 공기저항력에 의한 난류변동상관모델은 고려치 않았다. 이차공기 주입방법(parallell injection과 nonparallel 3$0^{\circ}C$ imjection)에 따른 수치해석을 수행하여 Ar tracer의 질량분율 및 기타 속도에 대한 實驗資料와 비교하여 만족할 만한 結果를 얻었다. 나아가서 假想的인 가스화기 모델을 대상으로 가스화기의 종횡비, 선회강도, 주입속도 및 주입각 등에 따른 와류 形成 위치 등을 포함한 유동장 특성 및 입도에 따른 궤적분석을 시도하였다.