Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

고에너지 B 이온주입에 의해 형성된 결함의 열처리 거동특성

  • 김국진 (한국표준화학연구원 전자기표준부) ;
  • 박세일 (한국표준화학연구원 전자기표준부) ;
  • 유광민 (한국표준화학연구원 전자기표준부) ;
  • 문영희 (LG 실트론 연구소) ;
  • 김종수 (영남대학교 물리학과) ;
  • 이동건 (영남대학교 물리학과) ;
  • 배인호 (영남대학교 물리학과) ;
  • 이종현 (경북대학교 전자전기공학부)
  • Published : 1999.07.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

고에너지 이온 주입에 의해 형성되는 결함의 거동을 DLTS(deep level transient spectroscopy)를 통해 조사하였다. 이온 주입에 이용된 기판들은 서로 다른 산소 농도를 가지고 있었으며, B 이온의 주입 농도는 각각 5X10E13 ~ 4X10E14으로 주입 에너지는 1.5MeV였다. 이온 주입에 의해 형성된 buried layer 내의 boron의 농도는 SIMS(secondary ion mass spectroscopy)를 이용하여 측정하였으며, 열처리에 따른 이차 결함의 생성은 TEM(transmission electron microscopy) 및 BMD(bulk micro defect)를 조사함으로써 알 수 있었다. 이온 주입에 의해 형성된 일차 결함의 제거 및 silicon 내부에서의 금속 gettering을 위하여 furnace 및 RTA (rapid thermal annealing)를 이용한 열처리를 행하였다. 이온주입 초기 상태 및 산소의 농도 또는 이온주입의 농도에 따른 결함을 살펴보기 위하여 DLTS를 이용하였으며, 또한 열처리에 따른 이러한 초기 결함들의 거동을 조사하여 TEM 및 BMD 결과와 비교, 분석하였다.

Keywords