• 제목/요약/키워드: 이중 결정 X-선 회절

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LPE법으로 성장시킨$Al_xGa_{1-x}As$의 이중결정 X-선 회절 특성 (Double crystal X-ray diffraction characteristics of $Al_xGa_{1-x}As$ grown by LPE)

  • 김인수;이철욱;최현태;배인호;김상기
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제6권6호
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    • pp.565-572
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    • 1993
  • LPE(liquid phase epiraxy)법으로 성장시킨 $Al_{x}$ Ga$_{1-x}$As (0.15.leq.x.leq.0.67) 에피층의 구조적 특성을 이중결정 X-선 회절장치를 사용하여 조사하였다. GaAs기판과 $Al_{x}$ Ga$_{1-x}$As 에피층의 격자상수 차이로 인해 피이크가 분리되었고 이는 조성비가 증가함에 따라 선형적으로 증가하였다. 그리고 조성비는 Vegard의 법칙으로 구한 값과 기판 및 에피층 피이크 사이 각도분리(.DELTA..theta.)를 측정함으로써 구한 값이 일치하였으며 이때 관계식은 .DELTA..theta.=354.x을 얻었다. 또한 성장된 에피층은 compressive stress를 받고 있으며 조성비(x)가 0.15에서 0.67로 증가함에 따라 응력은 증가하였으며 그리고 피이크의 반치폭으로 부터 계산된 전위밀도가 역시 증가하였다.

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데칸술폰이 삽입된 니켈 화합물의 층상 구조의 열적 성질 (Thermal behavior of the layered structure of decanesulfonate intercalated into the hydrated nickel compound)

  • 허영덕;전태현;박용준
    • 한국결정성장학회지
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    • 제9권6호
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    • pp.580-584
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    • 1999
  • 수화된 니켈에 데칸술폰이 층간 삽입된 화합물을 합성한 후 성질을 확인하였다. 화합물의 층상구조는 고온 X-선 회절 데이터로 확인하였다. 온도가 증가하면 층간 삽입된 니켈화합물의 구조가 변하는 것과 동시에 화합물의 층 거리가 24.7 $\AA$에서 30.5 $\AA$가지 증가하였다. X-선 회절 데이터와 데칸술폰의 크기로부터 니켈 층에 결합된 데칸술폰의 공간배열을 결정하였다. 이중 층 구조를 가진 데칸술폰의 분자 축은 니켈 층에 경사진 각도로 수직하게 배열되어있다.

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분자선에피택시성장법으로 성장한 AlAS/GaAs 에피택셜층의 특성 (Study on the Characteristics of the AlAS/GaAs Epitaxial Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy)

  • 노동완;김경옥;이해권
    • 한국재료학회지
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    • 제7권12호
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    • pp.1041-1046
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    • 1997
  • 본 연구에서는 분자선 에피택시 방법으로 비대칭 AIAs/GaAs(001)이중 장벽, 삼중장벽구조를 성장한 수 이를 이용하여 2단자 소자를 제작하여 전기적 특성을 분석하였다. 에피층은 쌍결정 X-ray회절 분석과 단면투과 전자현미경을 이용하여 결정성 및 격자 정합성을 확인하였다. 전기적 성능을 보다 향상시키기 위해 n-GaAs에 대한 오믹 접촉등의 소자 제작 공정을 최적화하였다. 삼중장벽 구조를 이용하여 제작한 소자의 전기적 특성 연구 결과 두개의 주요 공진 터널링 전류 피크 사이에 X-valley에 의한 구조를 확인할 수 있었으며, 이중 장벽구조에 제2의 양자우물 구조를 첨가함으로써 낮은 전압위치에서 전류 피크가 향상하는 결과를 얻었다.

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기계적 후면 손상이 레이저/극초단파 광전도 기법에 의한 소수 반송자 재결합 수명 측정에 미치는 영향 (Effect of mechanical backside damage upon minority carrier recombination lifetime measurement by laser/microwave photoconductance technique)

  • 조상희;최치영;조기현
    • 한국결정성장학회지
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    • 제5권4호
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    • pp.408-413
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    • 1995
  • 초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명 측정에 미치는 영향을 고찰하였다. 기계적손상의 정도는 X-선 이중결정 회절법과 X-선 단면 측정법 및 습식산화/선택적 식각 방법으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 소수반송자 재결합 수명 측정에 영향을 미치는 반치전폭의 임계값은 약13초임을 알 수 있다.

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Bis(ethylenediamine)palladium(II)-Bis(oxalato)palladate(II)의 결정구조 (The Crystal Structure of Bis(ethylenediamine)palladium(II)-Bis(oxalato)palladate(II))

  • 고기영;남궁해;한상곤
    • 한국결정학회지
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    • 제9권1호
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    • pp.71-76
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    • 1998
  • Bis(ethylenediamine)palladium(II)-Bis(oxalato)palladate(II0, (Pd(C2H8N2)2.Pd(C2O4)2)의 단위 착이온 및 결정의 구조들을 x-선 회절법으로 연구하였다. 이 결정은 단사정계이고, 공간군은 P21/c(군 번호=14)이다. 단위세포는 a=6.959(2), b=13.506(2), c=15.339(2) Å, β=99.94(3)이며, V=1420 Å3, Fw=509.04 Dc=2.380 gcm-3, F(000)=992, μ=25.46 cm-1 Z=4이다. 회절반점들의 세기는 흑연 단색화 장치가 있는 자동 4축 회절기로 얻었으며 Mo-KαX-선 (λ=0.7107 Å)을 사용하였다. 구조분석은 중금속법으로 풀었으며, 최소자승법으로 정밀화하였고, 최종 신뢰도 값들은 1472개의 회절반점에 대하여 R=0.021, Rw=0.030, Rall=0.032 및 S=2.10이었다. 착음이온들은 근본적인 평면구조로써, 이들의 충진구조는 a-축을 따라서 면간거리가 3.41Å인 이중체가 3.44Å 간격으로 배열되어있다.

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유기화합물이 삽입된 층상이중수산화물의 합성과 구조 (The structure and synthesis of intercalation compound between a layered double hydroxide and an organic compound)

  • 우은경;허영덕
    • 한국결정성장학회지
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    • 제8권1호
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    • pp.36-41
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    • 1998
  • 유기화합물인 alkyl sulfonate를 층상이중수산화물에 삽입시킨 화합물을 합성하였다. X-선 회절 데이터와 alkyl sulfonate의 분자의 크기를 비교하여 층간 삽입된 alkyl sulfonate의 공간배열을 확입하였다. 층간 삽입된 alkyl sulfonate의 분자 사슬이 이중수산화물의 층에 수직되며 서로 반대 방향으로 배열되어 있음을 확인하였다.

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층상구조인 [Zn${(H_2O)}_6$ (${(C_{n}H_{2n+1}SO_3)}_2$ 화합물에 대한 X-선 회절 연구 (XRD study of the layered structure compounds [Zn${(H_2O)}_6$] (${(C_{n}H_{2n+1}SO_3)}_2$)

  • 박용준;박양순;이종규;박성훈;전태현;허영덕
    • 한국결정성장학회지
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    • 제10권4호
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    • pp.318-323
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    • 2000
  • 수화된 아연에 알킬술폰이 층간 삽입된 화합물을 합성하였다. 고온 X-선 회절 데이타와 적외선 스펙트럼, 그리고 분자의 크기로 부터 층간 삽입된 알킬술폰의 공간배열의 온도 의존성을 확인하였다. 온도 구간 1에서는 ${Zn(H_2O_6]^{2+}[C_nH_{2n+1}SO_3]_2\;^-$구조를 가지며 여섯 개로 수화된 아연층에 알킬술폰이 $32.9^{\circ}$로 경사진 이중층 구조를 가짐을 확인하였다. 온도구간 2에서는 ${Zn(H_2O_4]^{2+}[C_nH_{2n+1}SO_3]_2\;^-$구조를 가지며 네개로 수화된 아연층에 알킬술폰이 $55.2^{\circ}$로 경사진 이중층 구조를 가짐을 확인하였다. 온도 구간 3에서는 알킬술폰이 아연금속에 직접 결합된 ${Zn(C_nH_{2n+1}SO_3)_2$구조를 가지고 있으며 $76.5^{\circ}$의 큰 경사각을 유지하면서 이중층 구조를 가짐을 확인하였다.

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이중 상호 침투 구조를 갖는 신규 터븀(III) 기반 금속-유기 골격체의 합성 및 특성연구 (Synthesis and characterization of the two-fold interpenetrated Tb(III)-based metal-organic framework)

  • 송정화
    • 한국결정성장학회지
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    • 제32권6호
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    • pp.225-230
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    • 2022
  • p-XBP4 (N,N'-p-phenylenedimethylenbis(pyridin-4-one)), Cs3[W(CN)8]와 Tb(NO3)3·6H2O를 사용하여 2차원의 이중 상호 침투 구조를 갖는 새로운 Tb-MOF인 [Tb(p-XBP4)2.5(H2O)2]·W(CN)8를 합성하였다. 단결정 X선 회절 분석법으로 얻어진 구조 정보를 통해 Tb-MOF는 이중 상호 침투된 독특한 2차원 구조임을 확인하였다. 또한, 적외선 분광 분석법, 단결정 및 분말 X-선 회절 분석법을 활용하여 추가적인 특성 분석을 수행하였다. Tb-MOF가 갖는 자성 특성과 분자 자석으로서의 거동 가능성을 조사하기 위해, 직류 자화율 및 교류 자화율을 측정하고 이를 분석하였다.

Orthoferrite $LaFeO_3$에서의 Mn 치환 효과 (Effects of Mn-dopping in Orthoferrite $LaFeO_3$)

  • 채광표;이성환;이성호;이영배
    • 한국자기학회지
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    • 제10권2호
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    • pp.81-85
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    • 2000
  • Orthoferrite LaFeO$_3$ 화합물에서 Fe 이온의 미량을 Mn 이온으로 치환시킨 시료인 LaFe$_{1-x}$Mn$_{x}$ O$_3$(0.0$\leq$x$\leq$0.4)을 제조하여 Mn 이온의 치환에 따른 결정학적 및 자기적 특성의 변화를 밝히기 위하여 x-선 회절기, M ssbauer 분광기, 진동자력계와 초전도 양자간섭계 등을 이용한 연구를 하였다. 제조한 시료는 모든 조성비 범위에서 단일상의 orthorhombic distorted perovskite 구조를 보였다. M ssbauer 스펙트럼은 상온에서 한 개의 육중선(x=0.0)에서 두 개의 육중선 세트(x=0.1, 0.2, 0.4)로 변했다. 특히 x=0.4에서는 상자성의 이중선과 육중선이 중첩된 모양을 보였다. 본 시료에서 Fe는 모두 Fe$^{3+}$ 상태로 팔면체자리에 위치함을 알았다. 또 LaFe$_{1-x}$Mn$_{x}$ O$_3$에서 Mn의 양이 증가함에 따라 포화자화 값은 증가하지만 보자력은 감소함을 알아냈다.

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Mossbauer 분광법에 의한 $Cu_{0.95}Ge_{0.95}Fe_{0.1}O_3$의 연구 (Mossbauer Studies of $Cu_{0.95}Ge_{0.95}Fe_{0.1}O_3$)

  • 채광표;권우현;이영배
    • 한국자기학회지
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    • 제10권1호
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    • pp.16-21
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    • 2000
  • Spin-Peierls(SP) 전이 현상을 나타내는 $Cu_{0.95}Ge_{0.95}Fe_{0.1}O_3$를 제조하여 자기적 특성과 결정학적 특성을 알기 위하여 x선 회절, 자기감수율과 Mossbauer 스펙트럼을 측정 분석하였다. 결정구조는 직방정계(orthorhombic)였고 격자 상수는 a = 4.795 $\AA$, b = 8.472 $\AA$, c = 2.932 $\AA$이며, SP 전이 온도($T_{sp}$)는 13 K임을 알아냈다. 상온에서 Mossbauer 스펙트럼은 $Fe^{3+}$ 이온에 의한 두 개의 Zeeman선과 한 개의 이중선이 중첩되어 나타났다. Ge 이온만을 Fe 이온으로 치환시켜 만든 시료의 Mossbauer스펙트럼은 Zeeman 선을 나타내고, Cu 이온만을 Fe 이온으로 치환시켜 만든 시료의 Mossbuer 스펙트럼은 이중선을 나타내는 것으로 보아 각각의 선이 Ge와 Cu 자리로 치환되어 들어간 Fe 이온에 의한 것으로 생각된다. 또한 $T_{sp}$ 이하에서 Mossbauer 변수들의 불연속을 이중체가 형성되면서 나타나는 이온들의 위치 이동에 관련시켜 해석하였다. 본 시료외 N el온도는 715 K이고, Debye온도는 팔면체 자리가 540 K, 사면체 자리가 380 K임을 알아냈다.

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