• 한국식품영양과학회지
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• 제22권3호
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• pp.323-327
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• 1993

인공 생체유사막을 인지질인 dimyristoyl phosphatidylcholine (DMPC)로 제조하여 인지질 막에 미치는 대두사포닌의 영향을 시차열량 분석계로 연구하였다. 대두사포닌이 침투되기 전, 후의 인지질막의 상그림을 얻어 상 전이시 엔탈피의 변화와 협동단위수를 상법에 따라 계산하였다. 대두사포닌이 침투된 인지질 막의 상그림은 순수 인지질 막의 상 그림에 비해 넓적하게 변하였으며 특이하게 상전이 온도를 낮추었다. 이것은 인지질막의 이중층에 침투된 대두사포닌이 인지질 이중층의 협동단위를 감소시킨 것으로 추정된다. 이러한 결과로 보아 대두사포닌은 인지질 막 이중층의 유동성에 중요한 영향을 미친다고 사료된다.

• 한국전산구조공학회논문집
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• 제25권4호
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• pp.347-354
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• 2012

형상기억합금의 복원력 및 복원량은 열 하중 및 기계적 하중으로 인한 마르텐사이트 상에서 오스테나이트 상으로의 상변이에 의한 상변형률 발생에 기인한다. 복원력 및 복원량은 초기 형상 및 하중 부여 방식에 따라 차이가 발생하는데 적절한 설계 전략없이 상변형률에만 의지한 경우 큰 복원력은 발생할 수 있어도 큰 복원량을 기대하기는 어렵다. 이는 형상기억합금의 큰 복원력과 작은 복원량 간의 비대칭성에 기인하며 형상기억합금의 효율적인 이용에 걸림돌이 된다. 본 연구에서는 형상기억합금의 상변이로 발생하는 복원량을 극대화하는 방안으로 형상기억합금 선이 이중으로 감겨있는 이중 나선 구조 형상기억합금 스프링을 제안한다. 그리고 열 하중에 의해 발생하는 복원량을 예측하고 단일 나선 구조 형상기억합금 스프링과 비교 분석하여 이중 나선 구조 형상기억합금 스프링이 단일 나선 구조 형상기억합금 스프링보다 성능 비대칭성을 보다 완화시킬 뿐만 아니라 복원력 대비보다 큰 복원량을 가짐을 보였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2001년도 추계 학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.146-146
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• 2001

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 추계학술대회
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• pp.327-330
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• 2011

살아있는 생명체는 세포로 구성되며 성장 분열을 통해 스스로 복제할 수 있는 능력을 지녔다. DNA 상의 변이, 즉 돌연변이는 자손의 생존과 번식에 불리하게 작용할 수 있고 이점을 줄 수 있는 양면성을 지녔다. 본 연구에서는 DNA 이중나선은 복제 주형으로 사용되기 위해서는 먼저 이중나선이 열리고 단일 가닥으로 분리되어야 한다. 이중 나선구조결합에서의 결합의 오류부분의 위치를 찾아내고 복구하는 방법을 제시한다.

• 한국광학회지
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• 제21권3호
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• pp.91-96
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• 2010

디지털 홀로그램을 이용하여 상을 재생 할 때 재생상의 크기는 재생거리와 파장의 함수이다. 이러한 재생거리와 파장 의존성을 제거하기 위하여 이중푸리에변환법이 제안되었고, 이중푸리에변환을 이용하면 일정 크기의 재생상을 얻을 수 있다. 일반적으로 사용된 광원의 파장보다 큰 단차의 높낮이 측정은 단일파장 디지털 홀로그래픽 방식으로 측정이 가능하지 않기 때문에 2 파장홀로그래피가 제안되었는데, 두 파장에서 얻어진 각각의 재생상의 크기가 같아야 하는 제약이 있다. 본 연구에서는 투과 및 반사형 2 파장 디지털 홀로그래픽 현미경을 이용하여 각각의 파장별로 홀로그램을 촬영하고 이중푸리에변환을 이용하여 재생함으로써 두개의 파장에서 얻어진 재생상의 크기를 같게 만들어 주는 과정 없이 단차를 가진 샘플의 3차원 높낮이 측정을 할 수 있었다.

• 대한기관식도과학회:학술대회논문집
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• 대한기관식도과학회 1997년도 대한이비인후과학회 종합학술대회 초록집
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• pp.118-118
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• 1997

갑상피열근이나 피열근에 대하여 상후두신경과 반회후두신경의 이중지배(dual supply)는 오랜동안 논란이 되어왔다. 특히 피열근에 분포하는 신경은 반회후두신경의 피열분지에 의해 지배되며 또한 상후두 신경의 내지의 일부인 ramus preforantes에 의해서도 이중지배를 받는다고 알려져왔다. 그러나 한편 이러한 피열근의 운동신경지배 중 상후두신경의 역할에 대해서 적지않은 보고가 후두의 신경해부학적인 고찰 및 전기적 자극을 통한 연구에서 단지 피열근 근처에서 twig을 형성할 뿐, 직접적인 운동지배 현상은 보이지않음을 입증하여 피열근은 오직 반회후두신경에 의해서만 실질적으로 운동지배된다고 주장하였다. 저자는 양측 반회후두신경을 절단한 개 모델에서 피열근에 대하여 HRP 역행성 착색법 후 뇌간에서 살펴본 결과 후두의 운동신경원인의 핵에서 양성으로 표현되는 것을 관찰하였다. 또한 상후두신경의 내지에 대하여 운동신경섬유의 표식자로 여겨질 수 있는 Cholineacetyl transferase(CHAT) 면역염색을 시행한 결과 피열근의 운동신경에 상후두신경이 괸여함을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2014년도 추계학술대회
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• pp.765-768
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• 2014

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심의 변화에 대하여 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 산화막의 두께를 다르게 제작할 수 있어 문턱전압이하 영역에서 전류를 제어할 수 있는 요소가 증가하는 장점이 있다. 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였다. 이때 전하분포는 가우스분포함수를 이용하였다. 하단게이트 전압, 채널길이, 채널두께, 이온주입범위 및 분포편차를 파라미터로 하여 문턱전압 및 전도중심의 변화를 관찰한 결과, 문턱전압은 상하단 게이트 산화막 두께 비에 따라 큰 변화를 나타냈다. 특히 채널길이 및 채널두께의 절대값보다 비에 따라 문턱전압이 변하였으며 전도중심이 상단 게이트로 이동할 때 문턱전압은 증가하였다. 또한 분포편차보단 이온주입범위에 따라 문턱전압 및 전도중심이 크게 변화하였다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2003년도 춘계학술발표논문집
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• pp.322-324
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• 2003

이온교환은 액체상에 존재하는 이온과 고체상에 존재하는 이온이 당량적으로 치환되는 것으로 정의하며, 치환되는 정도는 일반적으로 전하의 크기와 이온이 수화반경에 따라 달라진다. 지금까지의 이온교환 반응에 대한 모델링 연구는 실험식, 질량작용식, 열역학식, 전기이중층이론, 표면착화모델 등을 이용하여 2 성분에 대하여 다양한 시도를 하였다. 본 연구에서는 2, 3, 4성분에 대해 질량작용법칙과 전기이중층이론을 조합한 표면착화모델과 질량작용법칙을 이용한 모델을 수행하였다. 그 결과 표면착화모델이 질량작용법칙을 이용한 것보다 실험치와 일치함을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제20권5호
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• pp.992-997
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• 2016

본 논문에서는 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 산화막 두께비에 대한 터널링 전류의 변화에 대하여 분석하고자 한다. 채널길이가 5 nm까지 감소하면 차단전류에서 터널링 전류의 비율이 크게 증가하게 된다. 이와 같은 단채널효과는 상하단 게이트 산화막 구조를 달리 제작할 수 있는 비대칭 이중게이트 MOSFET에서도 발생하고 있다. 본 논문에서는 상하단 게이트 산화막 두께비 변화에 대하여 차단전류 중에 터널링 전류의 비율 변화를 채널길이, 채널두께, 도핑농도 및 상하단 게이트 전압을 파라미터로 계산함으로써 단채널에서 발생하는 터널링 전류의 영향을 관찰하고자 한다. 이를 위하여 포아송방정식으로부터 해석학적 전위분포를 구하였으며 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)근사를 이용하여 터널링 전류를 구하였다. 결과적으로 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 상하단 산화막 두께비에 의하여 터널링 전류가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 채널길이, 채널두께, 도핑농도 및 상하단 게이트 전압 등의 파라미터에 따라 매우 큰 변화를 보이고 있었다.

• 한국광학회지
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• 제13권1호
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• pp.79-83
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• 2002

회전항을 첨가한 임의 위상판(random phase mask; RPM)을 이용하여 광학상 암호화 장치의 암호화수준을 향상시키는 방법을 제시하였다. 이중 임의 위상판으로 암호화된 광학상은 광굴절 LiNbO$_3$:Fe 결정에 기록되고 위상공액파를 이용하여 재생하였으며, 세기변조 함수를 이용하여 아날로그 입력상에 대한 암호화 수준을 분석하였다.