• 제목/요약/키워드: 이용장벽

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호텔기업의 브랜드 증거가 전환장벽과 관계성과에 미치는 영향 (The Effects of Brand Evidence on the Switching barrier and Relational Performance in the Hotel Firms)

  • 이무형
    • 한국조리학회지
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    • 제17권5호
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    • pp.139-153
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    • 2011
  • 본 연구는 호텔기업의 브랜드 증거가 전환과 관계성과에 대한 인과관계를 파악하여 차별화되고 경쟁력 있는 유용한 정보를 제공하고자 하였다. 표본의 단위는 서울지역의 브랜드 증거를 전환한 호텔고객들이 조사에 참여하였으며, 2011년 6월 10일부터 2011년 7월 20일까지 총 500부를 배포하고 이중 408부에 대하여 SPSS 18.0과 AMOS 18.0을 이용하여 요인분석과 신뢰성 검증을 실시하고, 제시된 연구가설을 검증하기 위해서 공분산구조분석을 실시하였다. 분석결과 종사자서비스는 전환장벽과 전환비용에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났으며, 브랜드 네임은 전환장벽과 전환비용에, 이미지 일치성은 전환장벽과 전환비용, 대안매력에 유의한 결과를 보이는 것으로 나타났다. 그리고 지각된 가격은 전환장벽에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났다. 둘째, 전환장벽, 전환비용, 대안매력은 관계성과 즉, 전환의도와 비재무적성과에 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났다. 셋째, 종사자서비스, 브랜드 네임, 이미지일치성은 전환의도 및 비재무적성과에 유의한 결과를 보이고 있는 것으로 밝혀졌다.

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$LiNbo_3$의 음향광학효과와 음향파 장벽을 이용한 편광모드 변환형, 파장가변 광 필터에 관한 연구 (A study of polarized mode convertible, wavelength tunable optical filter utilizing acoustic barrier and acouxto-optic effect in $LiNbo_3$)

  • 임경훈;정홍식
    • 한국광학회지
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    • 제11권3호
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    • pp.193-197
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    • 2000
  • 음향파 장벽 구조와 음향광학효과를 이용한 편광모드 변환형 파장가변 광 필터를 LiNbo3와 Ti 이중 확산 공정 기술을 이용하여 제작하였다. 1552.6nm 파장의 TE, TM 입사 편광모드에 대해서 173.07MHz, 173.05MHz의 Rf 주파수에서 81% 이상의 변환효율과 ∼200kHz(∼1.83nm)의 통과대역폭을 얻어Tdmaum 구동파워는 10.97mW로서 음향파 장벽이 없는 광 필터 파워의 10%에 불과 하였다. 파장 변화율과 부 모드 레벨리 각각 8.2nm/MHz와 -4dB로 측정하였다.

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부산항 신항의 항만서비스품질.만족.신뢰 및 충성도 간의 구조적 관계: 전환장벽의 조절효과를 중심으로 (A Study on Structural Relationships among Port Service Quality, Satisfaction, Trust and Loyalty of the Busan New Port -Based on the Moderating Effect of Switching Barrier)

  • 강덕출;전외술
    • 한국항만경제학회지
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    • 제28권1호
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    • pp.203-227
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    • 2012
  • 본 연구는 부산항 신항을 이용하는 고객을 대상으로 항만 서비스품질 차원(항만 내적 서비스 품질, 항만 외적 서비스품질, 항만 상호작용품질), 신뢰, 만족 및 충성도 간에 미치는 영향을 조사하기 위해 기존 연구에 근거하여 모델을 제안하였다. 특히 만족과 충성도 간의 관계에 전환장벽의 조절효과를 제안하였다. 분석에는 317부를 이용하였고, 측정모델의 타당성을 검증하기 위해 확인요인분석을 실시하였고, 가설을 검증하기 위해 AMOS 통계분석 방법을 이용하였다. 본 연구의 결과, 항만 서비스품질 차원은 항만 고객신뢰와 항만 고객만족에 정의 영향을, 항만 고객만족은 항만 고객신뢰에 정의 영향을, 항만 고객만족과 항만 고객신뢰는 항만 고객충성도에 정의 영향을 미쳤다. 그리고 항만 고객만족과 항만 고객충성도 간의 관계에서 전환장벽은 조절효과를 가졌다. 마지막으로 이러한 조사결과를 바탕으로 시사점과 미래연구방향을 제시하였다.

쇼트키 다이오드의 전류-전압 특성에 관한 연구 (A study of I-V characteristics in Schottky Diode)

  • 안병목;정원채
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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    • pp.649-652
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    • 1998
  • 본 논문에서는 MICROTEC〔3,4〕시뮬레이터를 이용하여 소트키 다이오드를 형성하고 금속-반도체 쇼트키 접촉에서 턴 온 전압과 항복 전압을 관찰하였다. 또한 여러 가지 쇼트키 장벽 높이를 가지는 금속을 사용하여 동일한 디바이스에서 이들 금속-반도체 접촉에 전압을 인가했을 때, 순 방향에서 턴 온 특성을 관찰하여 턴 온 전압과 역 방향에서의 항복 현상을 관찰하여 항복 전압을 확인하였다. 사용된 금속은 Au(0.8V), Mo(0.68V), Pt(0.9V), Ti(0.5V) 이며 반도체는 실리콘 n/n 구조가 형성되었다. 쇼트키 다이오드는 대 전력용 보다는 높은 속도의 스위칭 디바이스에 주로 응용되고 있으며 장벽의 높이가 높을수록 뚜렷한 정류 특성을 나타내어 순 방향 바이어스에서 빠른 턴 온 특성이 예상되는데 시뮬레이션 결과 또한 잘 일치하였다. 그리고 다이오드의 I-V 특성을 관찰하기 위해 역 방향 바이어스에서의 항복 전압을 관찰하였는데 쇼트키 장벽이 높을수록 낮은 항복 전압이 나타났다. 또한 디바이스 공정에서 epitaxial과 열처리 공정 후의 2차원적인 농도 분포를 나타내었다.

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비대칭 DGMOSFET의 채널도핑분포함수에 따른 드레인 유도 장벽 감소현상 분석 (Analysis of Drain Induced Barrier Lowering of Asymmetric Double Gate MOSFET for Channel Doping Profile)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2015년도 추계학술대회
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    • pp.863-865
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    • 2015
  • 본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도분포에 대한 드레인유도장벽감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자한다. DIBL은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑농도의 분포함수변화에 대하여 DIBL을 관찰하였다. 채널길이, 채널두께, 상하단 게이트 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등을 파라미터로 하여 DIBL을 관찰하였다. 결과적으로 DIBL은 채널도핑농도분포함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 변화를 나타냈다. 특히 두 변수에 대한 DIBL의 변화는 최대채널도핑농도가 $10^{18}/cm^3$ 정도로 고도핑 되었을 경우 더욱 현저히 나타나고 있었다. 채널길이가 감소할수록 그리고 채널두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였으며 하단 게이트 전압과 상하단 게이트 산화막 두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였다.

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유전체 장벽에 있어서의 공간전하의 영향에 관한 연구 (A Study on Space Charge Effects in Dielectric Barrier Discharge)

  • 박인혁;남석현;권윤혁;한민구
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1527-1529
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    • 2000
  • 본 연구는 펄스 정전 응력법을 이용하여 공간전하분포를 교류전압 하에서 측정을 하였다. 이와 동시에 교류 고전압에서의 방전발생과 방전패턴의 변화를 측정하고, 공간전하분포와 방전과의 상관관계를 분석하였다. 교류 전압에서의 공간전하는 교류 한 주기를 18$^{\circ}$ 간격으로 등분하여 각 위상에서 그 분포를 측정하였으며, 공간전하분포와 방전패턴 사이의 관계를 분석하였다 실험 결과 유전체 장벽 방전이 많이 일어나는 위상에서의 공간전하분포 역시 크게 변하는 것을 볼 수 있었다. 이러한 사실을 통해 공간전하분포 특성이 유전체 장벽 방전 특성의 연구에 있어서 중요한 부분임을 알 수 있다.

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InGaAs/InP 송명 터널다이오드의 제작과 전기적 특성 (Fabrication and electrical properties of InGaAs/InP reaonant tunneling diode)

  • 유병수;이우선
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제6권4호
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    • pp.324-328
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    • 1993
  • 본 논문에서는 전자파 디바이스의 고속화를 위해서 OMVPE를 이용하여 InGaAs/InP공명 터널 다이오드를 제작하고 전기적특성을 연구하였다. 공명 터널 다이오드의 전압-전류특성, 장벽폭에 따른 P/V비와 RTD의 양자 우물 효과가 연구되었는데 P/V비는 장벽폭이 증가함에 따라서 지수함수적인 감소를 보였다.

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자외선 및 진공자외선 광원의 제작에 관한 연구 (Development of UV and VUV Light Sources)

  • 김태훈;이지화
    • 한국진공학회지
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    • 제4권3호
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    • pp.253-260
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    • 1995
  • 유전장벽 방전(또는 silent방전)은 조절된 마이크로아크방전 형태로서 비교적 높은 압력(0.1~수기압)에서도 방전이 안정하므로 엑시머 생성에 의한 진공자외선 및 자외선 광원으로 적합하다. 본 연구에서는 평면형 및 원통형 유전장벽 방전장치를 제작하였고, Ar, Kr, Xe와 3% F2/He의 혼합기체를 이용하여 ArF*(193nm), KrF*(248nm), XeF*(351nm)엑시머자외선 생성실험을 수행하였다. 또한 부하전력, 기체압력, 기체조성등의 방전조건에 대한 KrF*(248nm)발광세기의 의존성을 조사하였다.

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조리 전공 대학생이 지각하는 진로장벽이 진로준비행동에 미치는 영향 - 자기효능감의 조절효과를 중심으로 - (The Influence of Career Barriers on College Students Majoring in Culinary Arts on Career Preparation Behavior - The Moderating Effect of Self-efficacy -)

  • 김혜진;윤혜현
    • 한국조리학회지
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    • 제22권4호
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    • pp.65-80
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    • 2016
  • 본 연구는 조리 전공 대학생이 지각하는 진로장벽이 진로준비행동에 미치는 영향과 두 변인간 자기효능감의 조절효과에 대하여 분석하였다. 총 411개의 표본을 대상으로 자기기입식 설문을 실시하였으며, 수집된 데이터는 SPSS 18.0을 이용하여 빈도분석, 요인분석, 신뢰도분석, 회귀분석 등의 분석방법을 통해 검증하였다. 가설 검증결과. 진로장벽 요인 중 직업정보 부족과 흥미 부족이 정보수집활동에 부(-)의 영향을 미치는 것으로 나타났으며, 신체적 열등감은 정보수집활동에 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 진로장벽이 실천적 노력에 미치는 영향에 대한 검증결과, 자기명확성 부족, 직업정보 부족은 실천적 노력에 부(-)의 영향을 미치는 것으로 나타났으며, 중요한 타인과의 갈등, 신체적열등감은 실천적 노력에 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 지각된 진로장벽이 도구구비활동에 미치는 영향에 대한 검증 결과, 자기명확성 부족, 직업정보 부족, 흥미 부족이 도구구비활동에 부(-)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 진로장벽과 진로준비행동 간의 자기효능감 조절효과에 대한 분석 결과 진로장벽의 하위요인 중 직업정보부족과 도구구비활동 간에서만 조절효과가 있는 것으로 나타났다. 시사점과 한계점에 대해서도 논의하였다.

병렬 컴퓨터 시스템에서의 Multi-drop 방식을 사용한 하드웨어 장벽 동기화 (A Hardware Barrier Synchronization using Multi -drop Scheme in Parallel Computer Systems)

  • 이준범;김성천
    • 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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    • 제27권5호
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    • pp.485-495
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    • 2000
  • 대규모의 업무처리나 복잡한 연산을 요구하는 응용 분야에서는 프로그램의 병렬화를 이용하는 병렬 컴퓨터 시스템이 요구되고 있다. 이 병렬 컴퓨터 시스템의 핵심 작업 중 하나가 동기화이다. 동기화 작업 중 가장 대표적인 방법이 장벽 동기화인데 이 방법은 동기화에 참여하는 모든 프로세서들이 모두 장벽에 도달할 때까지 다음 작업을 진행사킬 수 없게 만드는 것이다. 장벽 동기화는 소프트웨어에 의한 방법, 하드웨어에 의한 방법, 그리고 그 두 가지가 결합된 방법 등이 있는데 이 중에서 하드웨어에 의한 방법이 가장 빠르고 start-up overhead가 적다는 장점으로 인하여 널리 쓰이는 추세이다. 본 논문에서는 하드웨어에 의한 방법 중에서 간단한 오류를 해결할 수 있고 보다 빠른 동기화를 가능하게 하는 새로운 스위치 모듈을 제안한다. 새로운 스위치 모듈과 더불어 제안하는 장벽 동기화는 기존에 제안되었던 방법에 비해서 스위치에 모든 것을 의존하는 방식이 아니라 프로세서에 의해 동작되는 부분이 많기 때문에 적은 하드웨어 비용을 들이고서 효과적인 장벽 동기화를 실행한다. 새로 제안하는 장벽 동기화는 어떠한 망의 구조에서도 구현될 수 있게 설계되었다 . 본 논문에서는 MIN에서의 장벽 동기화에 대한 비교만을 성능 평가하였는데 24.6% - 24.8%의 평균 지연 시간의 감소를 보였다. 하지만 임의의 망인 비정규적인 망에서 보다 나은 성능 향상을 보일 것을 기대한다.

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