DDS에 활용될 수 있는 고분자 소재를 개발할 목적으로 물성 및 응용성이 우수한 고분자 겔에 관한 연구를 수행하였다. Ethylene oxide,propylene oxide 각각의 copolymer인 poloxamer등의 prepolymer들을 triisocyanate로 가교시키고 diisocyanate 로 chain이 연장된 "soft hydrogel"을 제조하였다. 모델 약물을 선정하여 crosslinker와 extender의 조절에 따른 hydrogel의 약물 방출 조절능을 조사하였으며 그 기전을 규명하고자 하였다. 가교부위에 urethane bond를 함유한 soft hydtogel은 건조상태에서도 고무와 같은 전연성을 보여 일반적인 hydrogel과 대비되는 특성을 보였으며 이에 따른 다양한 활용성이 기대되었다. Extender및 crosslinker의 비율에 따라서 이 rubber elasticity가 조절되었다. 가교도가 감소할수록 팽윤도가 상승하였고 이에 따른 약물방출도 증가함을 확인하였다. 또한 Prepolymer의 분자량 및 친수/소수성등의 물성에 따라 약물방출을 조절할 수 있었다. 제조된 hydrogel에 조절방출시 필요한 기능을 부가시키고자 poly(carylic acid)류와 IPN 공중합체를 합성하여 물성을 조사하였고 비이온성/양이온성/음이온성 모델약물을 선정하여 pH에 따른 가변적 팽윤도와 이온성 상호작용등에 근거한 약물 조절방출기전을 조사하였다.기전을 조사하였다.
5M 이상의 질산 매질에 있는 Ag(Ⅰ) 이온을 전착회수하기 위하여 질산 농도에 따른 전착특성을 cyclic voltammetry 방법으로 조사하였다. Ag(Ⅰ) 이온의 전착은 질산 매질의 농도에 크게 영향을 받았으며 질산 농도가 3M 이하인 경우에는 백금을 전극에서 Ag(Ⅰ) 이온이 쉽게 전착될 수 있음을 알 수 있었다. 질산농도가 5M 이상에서는 질산 자체의 환원이 활발하게 일어나 Ag(Ⅰ) 이온의 전착을 억제하였으나 용액을 혼합시킬 경우 질산 환원의 영향을 크게 감소시킬 수 있었다
간섭필터 제작시 고굴절률 박막으로 많이 사용되는 TiO2 박막을 이온빔 보조증착 방법으로 제작하여 광학적, 기계적 특성을 연구하였다. 보조증착용 이온초으로는 End-Hall 형 이온총을 자체제작하여 사용하였다. 증착속도, 이온빔의 전류빌도, 산소 주입량 등을 주요 증착변수로 하여 TiO2 박막의 광학상수와, 기계적 성질에 미치는 영향을 조사하였다. 그 결과 박막의 조밀도와 굴절률이 증가하여, 대기중에 노출시 파장이동이 없는 고품질의 간섭필터 제작에 사용할 수 있음을 알 수 있었다.
산성비가 대리석 문화재에 미치는 영향을 조사하기 위하여 1996년 1월부터 1996년 12월까지 원각사지 10층 석탑과 암질이 유사한 대리석 시편을 제작하여서 탑골공원과 광화문에서 옥외노출하여 직접 산성비를 맞게 한 경우와 광화문의 석탑보호시설내 산성비를 맞지 않는 경우를 비교하여서 부식감량을 조사하였다. 탑골공원과 광화문의 시편은 부식감량이 비슷하게 나타났으며, 또 비를 맞지 않는 실내에서 보다 7.7배 정도로 높게 나타났다. 또한 대리석 용해에 영향을 주는 산성비 특성을 연구하기 위하여 1~8 mm 강우에 대하여 이온성분 및 칼슘이온의 변화를 조사한 결과 1 mm 강우에 40% 이상 이온성분 농도, 특히 음이온 농도가 높았으며 칼슘 이온은 초기 1 mm 강우시 약 30% 이상 용출되었다. 이 결과는 초기 강우시에는 $SO_2$, $NO_2$등이 빗물에 녹아서 질산 이온, 황산 이온의 형태로 존재하게 되어 음이온 농도가 높게 된 것으로 판단된다. 대리석, 사암, 석회암으로 된 문화재나 미술품은 산성비 영향을 받을 수 있는 것으로 예상되어 향후 구체적 조사를 통하여 현장여건에 알맞는 문화재 보존대책 수립이 필요하다.
SrTiO$_3$에 Pr$^{3+}$ 이온, 또는 Pr$^{3+}$ 이온과 Ga$^{3+}$ 이온을 첨가하여 합성한 형광체와 floating zone method로 성장시킨 단결정의 PL 특성을 조사하였다. 분말 형광체와 단결정에서 모두 Ga$^{3+}$ 이온이 함께 첨가되었을 때 적색 발광 세기가 크게 증가하였다. XRF(X-Ray Fluorescence) 측정결과 Ga$^{3+}$ 이온이 함께 첨가되었을 때 SrTiO$_3$결정 격자내의 Pr$^{3+}$ 이온의 농도가 증가하였다. Ga$^{3+}$ 이온이 함께 첨가되었을 때 적색 발광 세기가 증가하는 것은 첨가된 Ga$^{3+}$ 이온이 결정내 발광 center인 Pt$^{3+}$ 이온의 농도가 증가시켰기 때문이며, 또한 Ga$^{3+}$ 이온이 hole trap center로 작용하기 때문인 것으로 생각된다.
본 논문에서는 고에너지 엑스선(6 MV X선)을 조사한 갑상선의 소포세포막 모델에서 막의 두께차이, 고정전달자[VP-AN% (w/ w)]의 농도차이, OH-이온의 농도차이가 세포내부와 세포외부사이로 갑상선호르몬의 구성성분인 요오드이온의 농도차이로 발생하고 갑상선호르몬의 생성량에 영향을 미치는데 이러한 영향을 구명하기위해서 소포의 세포막을 통한 요오드의 선택적 투과전달 특성에 대하여 연구하였다. 이 실험에 사용한 세포막 모델은 피리딘 양이온을 고정전달자로 한 poly(4-vinylpyridine- co-acrylonitrile :VP-AN)분말을 인장강도의 강화용인 polysulfone과 결합시킨 불균질의 복합막을 사용하였다. 고정전달자[VP-AN% (w/ w)]의 농도차이(0~62 %)에서 36.5 ℃로 방사선을 조사한 소포의 고분자 막(세포막모델)은 형태학적 변화인 인장강도가 비 조사된 세포막모델보다 약 1.2 ~ 1.8배 정도 감소되었다. 방사선을 조사한 갑상선의 소포세포막모델 [2mole AN%(w/w)]에서 막의 두께차이, 고정전달자[VP-AN% (w/ w)]의 농도차이, OH-이온의 농도 차이로 발생하는 요오드이온의 선택적 투과플럭스는 비 조사된 세포막모델보다 막의 두께가 변화 할 때 각각 약 2.1 ~ 4.5배, 약 2.2 ~ 2.5배, 약 2.1 ~ 2.67배 정도 감소되었다. 결국 방사선조사로 인해서 갑상선의 소포세포막에서 요오드이온의 선택적 투과 전달기능이 비정상적으로 되어 세포장해가 발생하고 갑상선호르몬의 생성량 감소도 동반하게 되었다고 사료됐다.
$0.25{\mu} m$ 급 pMOSFET소자를 구현하기 위해, $P^+$ 폴리실리콘을 적용한 pMOS를 제작하였으며, $p^+$ 폴리실리콘 게이트 소자에서 심각하게 문제가 되고 있는 붕소이온 침투현상을 조사하고 붕소이온 침투가 일어나지 않는 최적열처리온도를 조사하였다. 소자제조 공정중 게이트 공정만 전자선 (EBML300)을 이용하여 직접묘사하고 그 이외의 공정은 stepper(gline) 을 사용하는 Mix & Match 방법을 사용하였다. 또한 붕소이온 침투현상을 억제하기 위한 한가지 예로서, 실리콘산화막과 실리콘질화막을 적층한 ONO(Oxide/Nitride/Oxide) 구조를 게이트 유전체로 적용한 소자를 제작하여 그 가능성을 조사하였다. 그 결과 $850^{\circ}C$의 온도와 $N_2$ 분위기에서 30분동안 열처리 하였을 경우, 붕소이온의 침투현상이 일어나지 않음을 SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometer) 분석 및 C-V(Capacitance-Voltage) 측정으로 확인할 수 있었으며 그 이상의 온도에서는 붕소이온이 침투되어 flat band전압(Vfb)을 변화시킴을 알았다. 6nm의 얇은 게이트 산화막 및 $0.1{\mu} m$ 이하의 LDD(Lightly Doped Drain) $p^-$의 얇은 접합을 형성함으로써 소자의 채널길이가 $0.2 {\mu} m$까지 짧은 채널효과가 거의 없는 소자제작이 가능하였으며, 전류구동능력은 $0.26\muA$/$\mu$m(L=0.2$\mu$m, V$_DS$=2.5V)이었고, subthreshold 기울기는 89-85mV/dec.를 얻었다. 붕소이온의 침투현상을 억제하기 위한 한가지 방법으로 ONO 유전체를 소자에 적용한 결과, $900^{\circ}C$에서 30분의 열처리조건에서도 붕소이온 침투현상이 일어나지 않음으로 미루어 , $SiO_2$ 게이트 유전체보다 ONO 게이트 유전체가 boron 침투에 대해서 좋은 장벽 역활을 함을 알았다. ONO 게이트 유전체를 적용한 소자의 경우, subthreshold특성은 84mV/dec로서 좋은 turn on,off 특성을 얻었으나, ONO 게이트 유전체는 막자체의 누설전류와 실리콘과 유전체 계면의 고정전하량인 Qss의 양이 공정조건에 따라 변화가 심해서 문턱전압 조절이 어려워 소자적용시 문제가 된다. 최근 바닥 산화막(bottom oxide) 두께가 최적화된 ONO 게이트 유전체에 대하 연구가 활발히 진행됨을 미루어, 바닥 산화막 최적화가 된다면 더 좋은 결과가 예상된다.
본 연구에서는 최종 복합재료의 기계적 계면특성을 향상시키기 위하여 산소 분위기 하에서 반응성 기체를 사용하는 이온 보조 반응법에 의해 탄소섬유 표면에 Ar+ 이온 빔을 조사하였다. 그리고, 단일 섬유 pull-out 시험을 실시하여 가해진 이온 에너지 세기에 대한 수지 내의 섬유의 뽑힘 정도를 측정한 후 Greszczuk의 .기하학적 모델에 기초하여 섬유/매트릭스 간의 계면특성을 알아보고자 하였다. 그 결과, 탄소섬유를 이온 빔으로 처리함에 따라 섬유와 매트릭스 간의 부착력 증가의 원인이 되는 섬유축 방향으로의 표면 etching 및 반응성 그룹이 형성되어 계면 전단강도가 향상되었으며 0.8 keV 이온 빔 세기에서 최대값을 나타내었다.
본 논문에서는 용액의 농도가 이온교환 특성에 미치는 영향을 조사하기 위하여 농도는 $Na^+\;50$, 125, 250ppm, $Cl^-\;165$, 315, 610ppm, 입자성 물질의 유입 농도 0ppm, 유속 500ml/min, 이온교환 수지는 ROHM&HAAS IR 120 양이온 수지와 ROHM&HAAS IRA 402 음이온 수지를 사용하였다. 수지탑 배열은 혼상-혼상-음이온 수지탑 순으로, 이온교환 수지탑의 양 음이온교환 수지의 조성 비율은 1:2 로 실험한 결과 이온교환 수지탑 성능은 유입 용액 성분 및 농도에 영향을 받는 것으로 나타났다. 이온교환 수지탑 배열 순서에 따라 파과시점이 연장되며, 파과순서는 음이온의 경우 $Cl^-\;<\;NO_3\;^-\;<\;F^-$, 양이온의 경우 $Na^+\;<\;K^+\;<\;Ca^{2+}$ 순 이였으며, 용액의 농도가 증가할수록 파과시간이 단축되었다.
MgO 보호막은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP)의 보호막으로 널리 쓰이고 있다. 본 실험에서는 산소 이온 빔 보조 증착(IBAD) 방법으로 형성된 MgO 보호막의 특성을 조사하였다. MgO 증착시 보조산소이온 빔의 에너지를 변화시킴에 따라 MgO 보호막의 특성과 PDP 패널 발광 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 본 연구에서는 산소 이온 에너지가 300 eV 일때 소자의 방전개시 전압이 가장 낮게 나타났다. 또한 산소 이온빔의 조사에너지에 따라 MgO 박막의 결정성 및 표면조도가 크게 영향을 받는 것을 확인할 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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