• KSBB Journal
• /
• 제22권5호
• /
• pp.345-350
• /
• 2007

인산당은 모든 유기체에서 발견되며 무척 다양한 유용성을 지니고 있다. 특히 glucose 1-phosphate (G1P), glucose 6-phosphate (G6P), fructose 6-phosphate (F6P) 등은 해당과 정, 당합성과정, 5탄당 인산화과정 및 캘빈회로와 같은 탄수화물 대사와 에너지 생산 대사의 주요한 핵심 중간물질이다. 특히 해당과정에서 F6P는 G6P의 이성질화반응에 의하여 생성된다. F6P의 대량생산은 전분을 이용하는 것이 가능한데, 우선 전분에 인산화효소를 가하여 G1P를 얻고, 이 G1P를 자리옮김효소 (phosphoglucomutase, GM)와 이성질화효소 (phosphoglucoisomerase, GI)를 순차적으로 적용하여 G6P와 F6P를 생산하게 된다. 효소반응의 경우 전분의 용해도 증가, 반응속도의 향상 및 미생물의 오염방지 등을 위하여 중온성 효소보다는 고온성 효소 혹은 내열성 효소가 선호된다. 본 연구는 세 가지 내열성 효소를 이용하여 전분으로부터 두 단계반응으로 F6P를 생산하는 것에 관한 것이다. 실험에 사용된 효소는 대장균에서 발현된 재조합 효소로서, 효소의 생산은 유가식 배양을 이용하였다. 1.2% 가용성 전분 200 L를 이용하여 1,253 g의 순수한 G1P를 생산하였으며 이를 이용하여 최종적으로 30% 수율로 F6P를 생산할 수 있었다. 최대수율을 얻기 위하여 반응표면분석법을 이용하여 GM : GI = 1 : 1.23, 63.5$^{\circ}C$, pH 6.85의 조건이 도출되었으며, 이 조건하에서 실험을 통하여 20 g/L의 전분을 이용하여 30% 수율로 F6P가 생성됨을 확인할 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제25권4호
• /
• pp.95-99
• /
• 2018

최근 고집적 고출력 전자 패키지의 효율적인 열전달을 위한 기판 및 방열소재로서 절연성 고열전도 필름의 수요가 커지고 있어, 알루미나, 질화알루미늄, 질화보론, 탄소나노튜브 및 그래핀 등의 고열전도 필러소재를 사용한 고방열 복합소재에 대한 많은 연구가 이루어지고 있다. 그 중에서도 육방정 질화보론(h-BN) 나노시트가 절연성 고열전도 필러 소재로서 유력한 후보 물질로 선택되고 있다. 본 연구는 이 h-BN 나노시트와 PVA로 된 세라믹/폴리머 복합체 필름의 방열특성 향상에 관한 것이다. h-BN 나노시트는 h-BN 플레이크 원료 분말을 유기용매를 사용한 볼밀링과 초음파 처리에 의한 물리적 박리공정으로 만들었으며, 이를 사용한 h-BN/PVA 복합 필름을 제조한 결과 성형된 복합필름의 면방향과 두께방향 열전도도는 50 vol%의 필러함량에서 각각 $2.8W/m{\cdot}K$ 및 $10W/m{\cdot}K$의 높은 열전도도가 나타났다. 이 복합필름을 PVA의 유리전이온도 이상에서 일축 가압하여 h-BN 판상분말의 얼라인먼트를 향상시킴으로써 면방향 열전도도를 최대 $13.5W/m{\cdot}K$까지 증가시킬 수 있었다.

• 대한화학회지
• /
• 제30권5호
• /
• pp.483-487
• /
• 1986

방향을 지니는 천연물인 베타다마스콘(I)을 2,2,6-트리메틸시클로헥산온(II)으로부터 출발하여 합성하였다. 아세틸렌의 THF포화용액을 2차 부틸리튬으로 처리하여 얻은 모노아세틸화 음이온을 -78${\circ}C$에서 (II)와 반응시켜 에틴일하고, 이 때 생긴 에틴일카르비놀(III)을 옥살산 또는 포름산과 함께 끓여서 이성질화시켜 일종의 아세틸시클로헥산(IV)을 얻었다. (IV)를 2차 부틸리튬으로 처리하여 생성되는 엔올화 음이온을 잘 건조시킨 아세트알데히드와 반응시켜서 생성되는 베타히드록시케톤(V)을 파라톨루엔술폰산으로 탈수하여 트란스-2,2,6-트리메틸-1-크로톤일-1시글로 헥센, 즉 다마스콘(I)을 합성하였다.

• 공업화학
• /
• 제24권3호
• /
• pp.291-298
• /
• 2013

공액 리놀레산 메틸에스테르는 불균일계 촉매인 니켈 담지 제올라이트계 촉매를 이용하여 리놀레산 메틸에스테르의 이성질화를 통해 합성할 수 있다. 니켈 담지 제올라이트계 촉매는 HY 제올라이트로부터 KCl 수용액을 이용해 이온교환하여 KY 제올라이트를 합성한 뒤 함침법을 통해 니켈을 담지하여 합성하였다. 합성된 촉매는 수소를 이용하여 전처리하여 공액화 반응에 사용하였다. 그 결과 낮은 온도에서 HY 촉매는 높은 전환율을 나타내었지만 공액화 반응에 대해 낮은 선택도를 나타내었다. KY 촉매는 낮은 온도에서 상대적으로 낮은 전환율을 나타내었으나 높은 온도에서 HY 촉매와 유사한 전환율을 보였으며, 낮은 온도에서도 공액화 반응에 대해 높은 선택도를 나타내었다. 결과적으로 반응 온도 $220^{\circ}C$에서 4 wt% Ni/KY720을 이용하여 가장 높은 63.4%의 수율을 얻었다.

• 에너지공학
• /
• 제16권2호
• /
• pp.58-63
• /
• 2007

최근 신 고유가 시대를 맞이하여 천연가스를 이용한 합성석유 제조기술 개발의 중요성이 점차로 부각되고 있는 상황이다. GTL(Gas-to-Liquids) 공청은 현재의 고유가 상황에서 경쟁력 있는 사업 분야를 제공 할 것으로 분석되고, GTL 제품은 환경오염물질이 거의 없어 21 세기의 환경규제 강화 추세에 효과적으로 대응할 수 있는 청정연료이다. GTL 공정은 크게 천연가스의 주성분인 메탄의 리포밍 반응을 거쳐 합성가스 ($CO+H_{2}$)를 제조하는 단계, 이 합성가스로부터 FT 합성반응을 통하여 액체 합성원유를 제조하는 단계, 합성원유를 개질하는 단계 (수첨분해/수첨이성질화)로 이루어진다. 본 총설에서는 GTL 기술의 개요와 세계적인 개발 동향을 천연가스 reforming 기술과 FT 합성유 제조 기술에 중점을 두고서 소개하고자 한다.

• 센서학회지
• /
• 제16권2호
• /
• pp.97-103
• /
• 2007

Crystallized carbon nitride film that has many stable physical and/or chemical properties has been expected potentially by a new electrical material. However, one of the most significant problems degrading the quality of carbon nitride films is an existence of N-H and C-H bonds from the deposition environment. The possibility of these reactions with hydroxyl group in carbon nitride films, caused by a hydrogen attack, was suggested and proved in our previous reports that this undesired effect could be applied for fabricating micro-humidity sensors. In this study, MIS capacitor and MIM capacitor with $5{\mu}m{\times}5{\mu}m$ meshes were fabricated. As an insulator, carbon nitride film was deposited on a $Si_{3}N_{4}/SiO_{2}/Si$ substrate using reactive magnetron sputtering system, and its dielectric constant, C-V characteristics and humidity sensing properties were investigated. The fabricated humidity sensors showed a linearity in the humidity range of 0 %RH to 80 %RH. These results reveal that MIS and MIM $CN_{X}$ capacitive humidity sensors can be used for Si based micro-humidity sensors.

• 한국환경성돌연변이발암원학회지
• /
• 제10권2호
• /
• pp.85-92
• /
• 1990

동시화시킨 CHO세포를 재료로하여 EMS 혹은 BLM에 의해 유발된 염색체 이상에 미치는 APC, ddTTP, 그리고 NOV의 효과를 조사하였다. 세포의 동시화는 thymidine block방법을 사용하였다. APC, ddTTP, 그리고 NOV의 단독처리는 염색체 이상을 유발하지 않았다. EMS에 의해 유발된 염색체 이상은 late G$_1$과 early S기에 높은 감수성을 나타내었고, BLM에 의해 유발된 염색체 이상은 G$_2$기에 가장 높은 감수성을 나타내었다. APC를 후처리할 경우 late G$_1$기와 early S기에서 EMS에 의해 유발된 염색체이상을 증가시켰다. 그러나 ddTTP나 NOV를 복합처리하기전 NOV를 전처리하면 late G$_1$기와 early S기에서의 염색체 이상이 증가되었다. 이런 결과들은 여러 가지 돌연변이원에 따라 각기 다른 세포내 반응이 유발되며 염색체 이상에서의 각 효소들의 활성 또한 다른 것으로 추측된다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
• /
• 한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.744-744
• /
• 2009

The development of safe and suitable hydrogen storage materials is one of key issues for commercializing hydrogen as an energy carrier. Carbon based materials have been investigated for many years to store hydrogen by the adsorption of the gas on the surface of the carbon structure. Recently, it is reported that carbon nitride nanobells have high hydrogen storage capacity since the nitrogen atom plays an important role on attracting hydrogen molecules. Here we report carbon nitride microporous spheres (CNMS) which have the maximum surface area of 995.3 $m^2/g$. Melamine-Formaldehyde resin is the source of carbon and nitrogen in CNMS. Most of the CNMS pores have diameters in the range of 6 to 8 A which could give a penetration energy barrier to a certain molecule. In addition, the maximum hydrogen storage capacities of carbon nitride spheres are 1.9 wt% under 77 K and 1 atm.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
• /
• pp.247-248
• /
• 2006

Carbon nitride films were evaluated that they had many advantages for miniature micro-humidity-sensors using the standard CMOS technology humidity sensing properties and CV characteristics of the carbon nitride films have been investigated for fabricating one chip HUSFET(Humidity Sensitive Field Effect Transistor) humidity sensors Carbon nitride films were deposited on silicon substrate with meshed electrodes by reactive RF magnetron sputtering system. The capacitor-type humidity sensor revealed good humidity-impedance characteristics with a wide range of relative humidity changes, decreasing $254k{\Omega}$ to $16k{\Omega}$ according to increase of relative humidity between 5% ~ 95% and the films were very stable on the Si wafer. These results reveal that $CN_x$ thin films can be used for Si based or HUSFET structure one chip micro-humidity sensors.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
• /
• pp.872-875
• /
• 2003

Carbon nitride($CN_x$) thin films were deposited on quartz substrates using reactive RF magnetron sputtering system at uarious deposition conditions and investigated dielectric characteristics. Samples for capacitance measurements were of the MIM(Metal-Insulator-Metal) type devices. Aluminum film electrodes were prepared by a vacuum thermal evaporation method before and after the deposition of carbon nitride films. Capacitances were measured by a FLUKE PM6306 RCL Meter at room temperature. Current-voltage(I-V) characteristics and resistivity were measured by a CATS CA-EDA semiconductor test and analyzer. The carbon nitride films showed ${\alpha}-C_3N_4$ and ${\beta}-C_3N_4$ etc. peaks through Raman and FTIR. Observed surface of film and side structure using SEM(Scanning Electron Microscope), and measured thickness of film by ${\alpha}-step$. We can find that the dielectric constant was the lowest value in 50% nitrogen ratio and the resistivity was the highest value in 70% nitrogen ratio.