• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.70-70
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• 1999

현재 TFT-LCD에서 주류를 이루고 있는 a-Si 으로는 SXGA급 이상의 LCD를 구현하는 데 그 자체 이동도(0.4~1.0cm2/Vs)의 한계 때문에 poly-Si(100~300cm2/Vs)을 사용하지 않을 수 없다. Poly-Si을 성장시키는 방법으로는 PECVD 방법, SPC 방법, Laser Annealing 방법등이 있으나 아직 이 모든 방법으로는 성장박막의 질, 즉 이동도, 균일성 등이 만족스럽지 못하다. 그 중에서 Laser Annealing 방법으로 저온에서 가장 좋은 막질을 얻고 있으나 균일성 및 생산성 향상면에서 여려움이 제기되고 있다. 따라서 차세대 TFT-LCD의 핵심소재인 poly-Si을 저온에서 유리기판위에 양질의 박막으로 성장시킬 수 있는 박막성장법이 절실하다. 본 연구에서 사용된 실리콘 이온 증착법은 Sidl 이온 상태로 직접 증착되므로 이온 에너지가 직접 결합에 기여하게 되고 동시에 이온 에너지는 전기적으로 제어되므로 박막 형성에 필요한 정정 에너지를 공급할 수 있다. 따라서 종래의 열에너지만을 이용한 방법보다 훨씬 낮은 온도에서 박막을 성장시킬 수 있었다. 3kV의 Cs+에 의해 sputter 된 Si beam- 에너지를 20~100eV, Si- flux를 약 4$\mu$A.cm2로 조절하며, 기판온도 300~45$0^{\circ}C$에서 각각 제조하였다. 30$0^{\circ}C$, 20~50eV에서 poly-Si임을 XRD 분석으로 확인 할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.439-439
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• 2011

기존의 고온에서 제작되는 TiO2 나노 입자를 이용한 염료감응형 태양전지를 저온에서 제작하기 위해 전자 이동층으로 ZnO 나노 입자를 사용하여, 저온($200^{\circ}C$)에서 염료감응태양전지(DSSC)를 제작하였다[1,2]. 상대전극(counter electrode)으로는 RF magnetron sputtering을 사용하여 ITO/glass위에 Pt를 증착하여 태양전지의 특성을 측정하였다. $180^{\circ}C$ 이상에서 hydropolymer가 증발되는 것을 이용하여, ZnO 나노입자와 hydropolymer 혼합한 paste 제작하여 소결 후 ZnO 나노입자 사이에 다공성을 생성시켜 Dye가 잘 침투하여 ZnO 나노입자 표면에 잘 흡착 되도록 하였다[3]. 20 nm 및 60 nm 크기의 ZnO 나노 입자를 사용하여 실험 해본 결과, 20 nm에 비하여 60 nm ZnO 나노입자의 경우 IPCE 값이 약 7% 정도로 높은 전환효율 값을 보였다. 60 nm ZnO 나노입자를 전자 수송층으로 사용한 DSSC 소자에서 단위면적당 흐르는 전류(Jsc), 전압 (Voc), fill factor (ff), 그리고 효율(${\eta}$)의 최대값은 4.93 mA/$cm^2$, 0.56V, 0.40, and 1.12%, 로 보였다.

• Proceedings of the Korean Society for Food Science of Animal Resources Conference
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• 2005.10a
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• pp.245-249
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• 2005

본 연구는 육성기, 비육기 사료내 라이신 수준에 따른 재래흑돼지육과 개량종 돈육의 해동후 저온저장중 품질비교를 구명하고자 실시하였다. pH는 저장 5일에 고라이신 수준의 재래흑돼지육이 고라이신 수준의 개량종 돈육보다 높았으며(p<0.05), 드립감량은 저장 5일까지 고라이신 수준의 재래흑돼지육이 저라이신 수준의 개량종 돈육보다 낮았다(p<0.05). TBARS는 저장 7일에 고라이신 수준의 재래흑돼지육이 고라이신 수준의 개량종 돈육보다 높았다(p<0.05). Hunter L 값은 저장 2일부터 재래흑돼지육이 개량종 돈육보다 낮았고(p<0.05), a 및 b 값은 저장 5,7일까지 재래흑돼지육이 개량종 돈육보다 높았다(p<0.05). 신선육의 육색, 종합적 기호도는 고라이신 수준의 재래흑돼지육이 가장 높았으며(p<0.05), 가열육의 맛, 풍미, 조직감, 종합적 기호도는 재래흑돼지육이 개량종 돈육보다 높았다(p<0.05). 따라서 이상의 결과를 종합해 보면 고라이신 수준의 사료를 급여시 재래흑돼지육의 보수력, 육색, 관능적 기호도는 향상되었으나 저온저장중 지방산화는 촉진되었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.11a
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• pp.151-154
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• 2002

AP/RPCVD를 이용하여 $650^{\circ}C$의 저온에서 실리콘-게르마늄의 선택적 단결정 성장 (Selective Epitaxy Growth: SEG) 을 수행하였다. 본 실험에서는 $SiH_4$, $GeH_4$ 그리고 HCl 가스를 사용하여 잠입시간 동안 실리콘-게르마늄막을 성장시키고 연속해서 HCI 가스만을 주입하여 산화막 위에 형성되어진 작은 결정입자들을 식각하는 공정을 반복적으로 수행하였다. HCl 의 식각에 의해 한 주기의 잠입기 후에도 다시 잠입기가 존재함을 확인하였고, 이 성장법을 통하여 한 주기의 잠업시간 동안 증착할 수 있는 두께 이상으로 실리콘-게르마늄막의 선택적 성장이 가능하였다. 이는 저온 선택적 실리콘-게르마늄 성장 시 RPCVD에서 보이는 낮은 선택성과 $SiH_4$의 짧은 장입시간으로 인해 원하는 두께까지 확보하기 힘든 단점을 극복한 것이다. 선택성을 향상시키기 위해 실리콘-게르마늄 증착중 주입된 HCI의 유량에 따라 잠입시간과 증착속도에 영향을 주었으며, 연속공정을 위한 식각공정은 20sccm의 HCI을 20초간 주입하여 선택성을 유지하였다. 또한 보론 불순물의 첨가가 선택적으로 성장되는 박막의 결정성에 미치는 영향도 분석되었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.46 no.1
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• pp.200-204
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• 2008

The curing kinetics of diglycidyl ether of bisphenol F (DGEBF) with an asymmetric cycloaliphatic amine curing agent were examined by thermal analysis in both isothermal and dynamic curing conditions. From the residual curing of the samples partially cured in isothermal condition and from the dynamic curing with various heating rates, it was found that there exist two kinds of reactions such as at low temperature and at high temperature regions. It was thus also found that the cure parameters obtained from the isothermal curing kinetic model hardly estimate experimental results for a degree of cure larger than 0.6. The activation energies and frequency factors of these two kinds of reactions were obtained from the dynamic curing experiments with various heating rates. From the curing analysis, it was verified that the total cure kinetics for low degrees of cure is dominated by the cure reaction in the low temperature region.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.17 no.5
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• pp.480-486
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• 2006

Generally, IR cut-off filters for mobile phone is coated on the glass substrate at high temperature(above $300^{\circ}C$). In this work, we prepared IR cut-off filters on the poly(methyl methacrylate)(PMMA) substrates at low temperature(about $70^{\circ}C$ ). using the $CeO_2\;and\;SiO_2$ coatings by physical vapor deposition. The surface energies of coated and uncoated PMMA, and adhesive properties of IR cut-off filters coatings were examined using contact angle measurements. We demonstrate the improve of mobile phone optical system using these results.

• Progress in Superconductivity and Cryogenics
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• v.11 no.3
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• pp.26-30
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• 2009

Korea Superconducting Tokamak Advanced Research(KSTAR) device is composed of 30 superconducting magnets, magnet structure, vacuum vessel, cryostat, current feeder system, and etc. KSTAR device is operated in the cryogenic temperature and high magnetic field. We install about 800 sensors - temperature sensors, stain gages, displacement gages, hall sensors - to monitor the thermal, mechanical, electrical status of KSTAR during operation. As a tremendous numbers of sensors should be installed for monitoring the KSTAR device, the method of effective installation was developed. The sensor test was successfully carried out to check its reliability and its reproduction in the cryogenic temperature. The sensor signal is processed by PXI-based DAQ system and communicated with central control system via machine network and is shown by Operator Interface(OPI) display in the main control room. In order to safely operate the device, any violations of mechanical & superconductive characteristic of the device components were informed to its operation system & operator. If the monitored values exceed the pre-set values, the protective action should be taken against the possible damage. In this paper, the system composition, operation criteria, operation result were presented.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.5 no.1
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• pp.19-30
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• 1998

Aluminium secondary butoxide(ASB)를 출발물질로 하여 졸-겔방법에 의해 소결거 동에 미치는 $\alpha$-Al2O3 seed의 첨가효과에 따른 알루미나의 저온소결 가능성과 알루미나의 상전이에 대하여 TEM, DTA, XRD, FT-IR등으로 고찰을 하였다. TEM 분석결과 초기 생 성물인 boehmite가 비정질에서 단결정질로 진행되어 가고 있음을 확인하였다. 그리고 DTA 분석결과 $\alpha$-Al2O3 seed의 첨가한 경우 seed의 함량이 증가함에 따라 상전이 온도는 점차 낮아졌으며 약 0.4wt%일 때 seed를 첨가하지 않은 시료의 전이온도(약 1126$^{\circ}C$)에 비하여 약 7$0^{\circ}C$ 저하된 약 1056$^{\circ}C$로나타났으며 그 이상의 seedcja가에 있어서는 전이온도에 크게 영향을 나타내지 않았다. 또한 XRD분석결과 $\alpha$-Al2O3 seed를 첨가하지 않은 경우 110$0^{\circ}C$이 상의 온도에서 $\alpha$상이 생성되었음을 알수 있었다. 또한 100$0^{\circ}C$이상의 온도에서 $\alpha$상이 생성 되었음을 나타내는 Al-O 흡수특성 피크가 400~1000cm-1 범위에서 나타내고 있는 것을 FT-IR 분석결과에서도 확인할수 있었다. 그리고 $\alpha$-Al2O3 seed를 약 0.4wt% 첨가시 900~ 95$0^{\circ}C$에서 $\alpha$상이 형성됨을 관찰할 수 있었다.

• ETRI Journal
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• v.13 no.2
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• pp.42-53
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• 1991

고유전율 적충세라믹 커패시터 소재인 $BaTiO_3$ 자기물은 일반적으로 큐리오도인 약 $120^{\circ}C$부근에서 유전율이 최고 약 10,000정도로 증가한 다음 급격히 감소하므로 적절한 이동체를 첨가하여 큐리온도를 상온으로 이동시켜 상온에서 최대 유전율을 이용하여야 한다. 그리고$BaTiO_3$ 자기물은 $1300^{\circ}C$이상의 고온소결시 고가인 Pd전극이 요구된다. 그러나 자기물의 소결온도를 저온화화면 저가의 Ag합금으로 전극재료를 대체할 수 있다. 본 연구에서는 이동제로서 $CaSnO_3$ 를 이용하여 큐리온도를 상온으로 이동시켰다. 또한 소결온도를 저온화하기 위하여 $BaTiO_3$ 세라믹에 여러가지 산화물을 첨가하여 소결현상을 살펴보았다. 실험결과 첨가제를 넣지 않은 경우 소결온도는 $1350^{\circ}C$의 고온이 필요한 반면, $CuO,B_2O_3$는 $1050^{\circ}C$의 낮은 온도에서도 치밀화와 입도성장이 잘 일어났다. 특히 $B_2$$O_3$ 를 첨가한 경우는 $1250^{\circ}C$이상에서 소결할 때 절연저항이 낮아 유전손실이 큰 문제점을 보였지만, 최대 유전율이 11,000 정도로 높고, 양호한 유전율의 온도변화 특성을 나타내어 우수한 고유전율 소재의 첨가제로 응용될 가능성을 보였다

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.39 no.8
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• pp.12-16
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• 2002

It is confirmed that the ITO(Indium Tin Oxide) thin films can be etched by low-temperature plasma at atmospheric pressure. The etching happened deepest at a hydrogen flow rate of 4 sccm, and the etch rate was 120 /min. The etching speed corresponded to the H$\alpha$* emission intensity The etching mechanism of the ITO thin films is as follows; thin films were reduced by H$\alpha$*, and the metal compound residues were detached from the substrate by reacting on the CH* The etching was started after etching time of initial 50 sec and above the threshold temperature of 145$^{\circ}C$. The activation energy of 0.16 eV(3.75 Kcal/mole) was obtained from the Arrehenius plots.