• Journal of Conservation Science
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• v.28 no.4
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• pp.403-410
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• 2012

The brine treatment applied during the fabrication of forged high tin bronze objects is considered effective at the removal of surface oxide layers developed at elevated temperatures. There is not much information, however, available for the understanding of its exact effect and purpose. This work performed laboratory experiments to characterize the effect brine treatments produce on the surface of bronze objects during fabrication. Specimens were first made in the bronze shop of the Yongin folk village under varying conditions of brine treatments, and the results obtained were then used in the following laboratory experiments where the effect of brine treatments were investigated in terms of brine concentrations, alloy compositions and thermo-mechanical treatments. The results show that oxide layers generated at high temperature are easily removed by the brine treatment. It was found that the element, chlorine, played a key role in the removal of such oxide layers as opposed to the other constituent of the brine, sodium, makes no notable contribution. In bronze alloys containing 22% tin, this brine effect is obtained regardless of the application of forging as long as the brine concentration is over 0.5% based on weight. In alloys containing lead, however, no brine effect is observed due to the molten lead that emerges from inside the hot bronze specimen and forms a thin layer on its surface.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1998.02a
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• pp.90-90
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• 1998

전계 에미터 어레이(FEA)는 진공에서 전계률 인가하여 전극으로부터 전자률 방출시키는 전자원으로서, 마이크로파 소자 및 명판 디스플레이, 센서 둥에 이용된다 .. Transfer Mold 법 은 뾰족한 에미터 립과 게이트 절연막 및 게이트 전극 충올 형성한 후 유리와 같은 기판에 이전 시키는 방법으로, 이러한 방법은 Mold 형태 위에 코탱 충의 두께 조절과, 게이트와 립 높이 조절이 가능하며, 그리고 유리 기판 위에 접착하여 대면적의 평판 디스플레이를 제작 할 수 었다는 장점이 있다[1,2]. 본 연구에서는 일반적으로 사용되는 실리콘 기판올 습식 식 각하여 Mold률 제작하는 방법 대선에, 측벽 스페이스 구조률 이용한 새로운 방법의 Mold 형태률 이용하여 게이트률 가진 에마터 립올 제작하였다. 먼저 실리콘 기판 위에 산화막올 증착하고 그 위에 게이트 전극파 게이트 절연막을 LPCVD 방법으로 증착하여 구명 형태로 패터닝 한 후, BPSG(Boro Phospher Silicate Glass) 박막올 증착하여 고온에서 훌러 내려 뾰족한 형태의 주형(Mold)률 제작한 후 TiN율 증착하여 정전 접합(an여ic bon벼ng)이나 레 진(resine)둥으로 유리률 접합한 후 KOH 용액으로 실리콘 기판옵 뒷면부터 식각해 낸다. 그 다옴, 립과 게이트 위에 있는 절연막올 제거한 후 뾰족한 전계 에미터 어레이륭 제조하 였다. 자세한 제조 공정 및 제작된 에미터 립의 특성은 학회에서 발표될 예정이다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.19 no.5
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• pp.5-11
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• 1982

The dielectric slab waveguide is fabricated on the slide glass or oxidized silicon wafer, by spin coating polyurethane, epoxy or photoresist, and the phenomenon of dielectric waveguiding is oboerved. Using the fact that the refractive index of K.P.R. is larger than that of polyurethane, thin film prism with two layered structure is fabricated, and the refraction of light is observed.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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• v.31A no.12
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• pp.100-105
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• 1994

Analytical expressions for the breakdown voltage and the optimum drift region length (L$_{dr}$) of SOI (Silicon-On-Insulator) pn diodes are derived in terms of the doping concentration and the thickness of the n- drift region and the buried oxide thickness. The optimum L$_{dr}$ is obtained from the condition that the breakdown voltage of the vertical electric field of n+n- junction equals to the of the lateral electric field of n+n-p+ junction. Analytical results agree reasonably with the numerical simulations using PISCESII.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.197-197
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• 1999

Gate oxide 의 두께 감소는 gate의 캐패시턴스를 증가시켜 트랜지스터의 속도를 빠르게 하며, 동시에 저전압 동작을 가능하게 하기 때문에 gate oxide 두께는 MOS 공정 세대가 진행되어감에 따라 계속 감소할 것이다. 이러한 얇은 산화막은 device design에 명시된 두께의 특성을 나타내야 한다. Gate oxide의 두께가 작아질수록 gate oxide와 crystalline silicon간의 계면효과가 박막의 두께의 결정에 심각한 영향을 주기 때문에 정확한 두께 계측이 어렵다. 이러한 영향과 계측방법에 따라서 두께 계측의 차이가 나타난다. XTEM은 사용한 parameter에, Ellipsometer는 refractive index에, MEIS(Medium) Energy Ion Scattering)은 에너지 분해능에, Capacitor-Voltage 측정은 depletion effect에 의해 영향을 받는다. 우리는 계면의 원자분해능 분석에 통상 사용되어온 High Resolution TEM을 이용하여 약 30~70$\AA$ SiO2층의 두께와 계면 구조에 대한 분석을 하여 이를 MEIS와 0.015nm의 고감도를 가진 SE(Spectroscopy Ellipsometer), C-V 측정 결과와 비교하여 가장 좋은 두께 계측 방법을 찾고자 한다.

• Journal of Acupuncture Research
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• v.20 no.2
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• pp.173-183
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• 2003

이 논문(論文)은 활성 산소(ROS)의 작용(作用)을 규명하고 호도약침액(胡桃藥鍼液)이 인간의 신경교종 세포인 A172에서 화학적(化學的) 저산소증(低酸素症)으로 유발된 세포 사멸에 대해 효능이 있는지를 연구(硏究)한 것이다. 화학적(化學的) 저산소증(低酸素症)은 세포내 미토콘드리아의 전자 수송을 방해하는 antimycin A를 가진 배양세포에 의해 유발(誘發)하였다. 화학적(化學的) 저산소증(低酸素症)에 노출된 세포(細胞)는 시간과 그 양에 따라서 세포 사멸의 결과(結果)가 다르게 나타난다. 화학적 저산소증에 의해서 ROS의 생산이 증가하는데 이것은 $H_2O_2$ 소거(消去) Catalase(과산화수소를 물과 산소로 분해하는 효소)에 의해 방지(防止)된다. Catalase는 화학적 저산소증에 의해 유발(誘發)된 세포 사멸을 방지하는데 비해 DMTU는 효과적이지 않다. 지질(脂質)에 녹는 산화방지제 DPPD와 물에 녹는 산화방지제 Trolox는 세포사멸을 방지하는데 효과(效果)가 없다. 호도약침액(胡桃藥鍼液)은 그 양(量)에 의존적으로 저산소증에 의해 유발된 세포 사멸을 방지하는 효과가 있다. 즉 화학적 저산소증으로 유도된 ROS의 발생을 막고, $H_2O_2$로 유도된 세포사멸을 방지하는데 이것은 화학적 저산소증과 $H_2O_2$의해 유도된 세포사멸에 대해 호도약침액(胡桃藥鍼液)이 방지효과(防止效果)가 있다는 것을 의미한다. 이러한 결과(結果)들은 $H_2O_2$가 지질 과산화와는 무관한 메카니즘으로 저산소증(低酸素症)으로 유발(誘發)된 세포사멸을 중재하고, 따라서 호도약침액(胡桃藥鍼液)은 지질막의 과산화를 방지하기 보다는 ROS를 직접적으로 소거(消去)함으로써 방지 효과가 있다는 것을 의미한다. 더구나 화학적(化學的) 저산소증(低酸素症)은 caspase와 무관한 메카니즘으로 apoptosis를 유발(誘發)한다.

• Proceedings of the Korea Crystallographic Association Conference
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• 2002.11a
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• pp.45-47
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• 2002

반도체 소자의 고집적화 및 고속화가 요구됨에 따라 MOSFET 구조의 게이트 절연막으로 사용되고 있는 SiO₂ 박막의 두께를 감소시키려는 노력이 이루어지고 있다. 0.1㎛ 이하의 소자를 위해서는 15Å 이하의 두께를 갖는 SiO₂가 요구된다. 하지만 두께감소는 절연체의 두께와 지수적인 관계가 있는 누설전류를 증가시킨다[1-3]. 따라서 같은 게이트 개패시턴스를 유지하면서 누설전류를 감소시키기 위해서는 높은 유전상수를 갖는 두꺼운 박막이 요구되는 것이다. 그러므로 약 25정도의 높은 유전상수를 갖고 5.2～7.8 eV 정도의 비교적 높은 bandgap을 갖으며, 실리콘과 열역학적으로 안정한 물질로 알려진 HfO2[4-5]가 최근 큰 관심을 끌고 있다. 본 연구에서는 HfO₂ 박막을 실제 소자에 적용하기 위하여 전극 및 열처리에 따른 HfO₂ 박막의 미세구조 및 전기적 특성에 관한 연구를 수행하였다. 이를 위해, HfO₂ 박막을 reactive DC magnetron sputtering 방법으로 증착하고, XRD, TEM, XPS를 사용하여 ZrO₂ 박막의 미세구조를 관찰하였으며, MOS 캐패시터 구조의 C-V 및 I-V 특성을 측정하여 HfO₂ 박막의 전기적 특성을 관찰하였다. HfO₂ 타겟을 스퍼터링하면 Ar 스퍼터링에 의해 에너지를 가진 산소가 기판에 스퍼터링되어 Si 기판과 반응하기 때문에 HfO₂ 박막 형성과 더불어 Si 기판이 산화된다[6]. 그래서 HfO₂같은 금속 산화물 타겟 대신에 순수 금속인 Hf 타겟을 사용하고 반응성 기체로 O₂를 유입시켜 타겟이나 시편위에서 high-k 산화물을 만들면 SiO/sub X/ 계면층을 제어할 수 있다. 이때 저유전율을 갖는 계면층은 증착과 열처리 과정에서 형성되고 특히 500℃ 이상에서 high-k/Si를 열처리하면 계면 SiO₂층은 증가하는 데, 이것은 산소가 HfO₂의 high-k 박막층을 뚫고 확산하여 Si 기판을 급속히 산화시키기 때문이다. 본 방법은 증착에 앞서 Si 표면을 희석된 HF를 이용해 자연 산화막과 오염원을 제거한 후 Hf 금속층과 HfO₂ 박막을 직류 스퍼터링으로 증착하였다. 우선 Hf 긍속층이 Ar 가스 만의 분위기에서 증착되고 난 후 공기중에 노출되지 않고 연속으로 Ar/O₂ 가스 혼합 분위기에서 반응 스퍼터링 방법으로 HfO₂를 형성하였다. 일반적으로 Si 기판의 표면 위에 자연적으로 생기는 비정질 자연 산화막의 두께는 10～15Å이다. 그러나 Hf을 증착한 후 단면 TEM으로 HfO₂/Si 계면을 관찰하면 자연 산화막이 Hf 환원으로 제거되기 때문에 비정질 SiO₂ 층은 관찰되지 않았다. 본 실험에서는 HfO2의 두께를 고정하고 Hf층의 두께를 변수로 한 게이트 stack의 물리적 특성을 살펴보았다. 선증착되는 Hf 금속층을 0, 10, 25Å의 두께 (TEM 기준으로 한 실제 물리적 두께) 로 증착시키고 미세구조를 관찰하였다. Fig. 1(a)에서 볼 수 있듯이 Hf 금속층의 두께가 0Å일때 13Å의 HfO₂를 반응성 스퍼터링 방법으로 증착하면 HfO₂와 Si 기판 사이에는 25Å의 계면층이 생기며, 이것은 Ar/O₂의 혼합 분위기에서의 스퍼터링으로 인한 Si-rich 산화막 또는 SiO₂ 박막일 것이다. Hf 금속층의 두께를 증가시키면 계면층의 성장은 억제되는데 25Å의 Hf 금속을 증착시키면 HfO₂ 계면층은 10Å미만으로 관찰된다. 그러므로 Hf 금속층이 충분히 얇으면 플라즈마내 산소 라디칼, 이온, 그리고 분자가 HfO₂ 층을 뚫고 Si 기판으로 확산되어 SiO₂의 계면층을 성장시키고 Hf 금속층이 두꺼우면 SiO/sub X/ 계면층을 환원시키면서 Si 기판으로의 산소의 확산은 막기 때문에 계면층의 성장은 억제된다. 따라서 HfO₂/Hf(Variable)/Si 계에서 HfO₂ 박막이 Si 기판위에 직접 증착되면, 순수 HfO₂ 박막의 두께보다 높은 CET값을 보이고 Hf 금속층의 두께를 증가시키면 CET는 급격하게 감소한다. 그러므로 HfO₂/Hf 박막의 유효 유전율은 단순 반응성 스퍼터링에 의해 형성된 HfO₂ 박막의 유전율보다 크다. Fig. 2에서 볼 수 있듯이 Hf 금속층이 너무 얇으면 계면층의 두께가 두꺼워 지고 Hf 금속층이 두꺼우면 HfO₂층의 물리적 두께가 두꺼워지므로 CET나 EOT 곡선은 U자 형태를 그린다. Fig. 3에서 Hf 10초 (THf=25Å) 에서 정전 용량이 최대가 되고 CET가 20Å 이상일 때는 high-k 두께를 제어해야 하지만 20Å 미만의 두께를 유지하려면 계면층의 두께를 제어해야 한다.

• The Korean Journal of Pharmacology
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• v.24 no.2
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• pp.179-187
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• 1988

Verapamil, tetrodotoxin and tetraethylammonium chloride in the stated amount did not affect the $Na^{++}$ induced $Ca^{++}$ release. $Cd^{++}$ and $Zn^{++}$ significantly inhibited the $Na^{++}$ induced $Ca^{++}$ release. $Mn^{++}$ also inhibited $Na^+-Ca^{++}$ exchange. $Cd^{++}$ inhibited $Na^+-Ca^{++}$ exchange noncompetitively with an apparent inhibition constant (Ki) of $100\;{\mu}M$. $Cd^{++}$ caused loss of sulfhydryl group, whereas $Zn^{++}$ did not show any significant effect. $Cd^{++}$ and $Zn^{++}$ effectively inhibited $Na^+-Ca^{++}$ ATPase and slightly inhibited $Ca^{++}-Mg^{++}$ ATPase. Carbonyl cyanide chlorophenylhydrazone, 2,4-dinitrophenol and sodium arsenate stimulated the $Na^{++}$ induced $Ca^{++}$ release. Dibucaine and oligomycin slightly inhibited it. The results suggest that the $Na^+-Ca^{++}$ exchange on the synaptosomal plasma membrane may be not accomplished by ion channels. The $Na^+-Ca^{++}$ exchange is sensitively inhibited by $Cd^{++}$ and this transport process appears to be partially regulated by sulfhydryl groups of the synaptosomal plasma membrane. It is also postulated that $Na^+-Ca^{++}$ exchange is suppressed during the phosphorylation reaction of protein component on the neuronal membrane.

• Membrane Journal
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• v.25 no.5
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• pp.398-405
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• 2015

Facilitated transport is considered to be a possible solution to simultaneously improve permeability and selectivity, which is challenging in normal polymeric membranes based on solution-diffusion transport only. We investigated the effect of adding mesoporous $TiO_2$ ($m-TiO_2$) upon the separation performance of facilitated olefin transport membranes comprising poly(vinyl pyrrolidone), Ag nanoparticles, and 7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane as the polymer matrix, olefin carrier, and electron acceptor, respectively. In particular, $m-TiO_2$ was prepared by means of a facile, mass-producible method using poly(vinyl chloride)-g-poly(oxyethylene methacrylate) graft copolymer as the template. The crystal phase of $m-TiO_2$ consisted of an anatase/rutile mixture, of crystallite size approximately 16 nm as determined by X-ray diffraction. The introduction of $m-TiO_2$ increased the membrane diffusivity, thereby increasing the mixed-gas permeance from 1.6 to 16.0 GPU ($1GPU=10^{-6}cm^3$(STP)/($s{\times}cm^2{\times}cmHg$), and slightly decreased the propylene/propane selectivity from 45 to 37. However, both the mixed-gas permeance and selectivity of the membrane containing $m-TiO_2$ rapidly decreased over time, whereas the membrane without $m-TiO_2$ had more stable long-term performance. This difference might be attributed to specific chemical interactions between $TiO_2$ and Ag nanoparticles, causing Ag to lose activity as an olefin carrier.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.7 no.3
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• pp.169-175
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• 1998

The plasma etching of polysilicon was performed with the HBr/$Cl_2/He-O_2$ gas mixture. The residual layers after photoresist strip were investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and scanning electron microscopy (SEM). The etch residue was identified as silicon oxide deposited on the top of the patterned polysilicon. In order to clarify the formation mechanism of the etch residue, the effects of various gas mixtures such as $Cl_2/He-O_2$and HBr/$Cl_2$were investigated. We found that the etch residue is well formed in the presence of oxygen, suggesting that the etch residue is caused by the reaction of oxvgen and non-volatile silicon halide compounds. Wet cleaning and dry etch cleaning processes were applied to remove the polysilicon etch residue, which can affect the electrical characteristics and further device processes. XPS results show that the wet cleaning is suitable for the removal of the etch residue.