• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.5
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• pp.17-17
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• 2001

고유전 (Ba, Sr)TiO₃ (BST) 박막을 이용한 DRAM storage capacitor의 저전계 영역에서의 전하손실을 발생시키는 커패시터의 누설전류는 유전완화전류와 진성 누설전류로 이루진다고 알려져 있다. 특히, 기가급 DRAM의 동작 전압(~IV)에서 유전완화전류가 진성 누설전류에 비해 훨씬 크기 때문에 이에 대한 심도 있는 연구가 필요하다. 본 연구에서는 thermally stimulated current (TSC) 측정법을 BST 박막에 처음으로 적용하여 트랩의 에너지 level 및 공정변화에 따른 트랩 밀도의 상대적 평가를 하였다. 그리고, 기존에 사용되던 전류-전압(I-V) 측정이나 전류-시간(I-t) 측정과 비교 및 분석함으로써 유전완화 전류의 원인을 규명하고 TSC 측정법의 신뢰성을 살펴보았다. 먼저 안정적인 TSC 측정을 위해 전계, 시간, 온도 및 승온속도에 따른 polarization condition을 알아보았다 이 조건을 이용한 TSC 측정으로부터 BST 박막에서의 트랩의 energy level이 0.20(±0.01) eV와 0.45(±0.02) eV임을 알 수 있었다. Rapid thermal annealing (RTA)을 이용한 후속 열처리에 따른 TSC 측정을 통하여 이 트랩들이 산소결핍(oxygen vacancy)에 기인함을 확인할 수 있었다. MIM BST 커패시터의 열처리에 대한 TSC 특성은 전류-전압(I-V) 및 전류-시간(I-t) 특성과 같은 경향성을 보인다. 이것은 TSC 측정이 BST 박막내의 트랩을 평가하는데 있어서 매우 효과적인 방법이라는 것을 보여준다.

• 전기의세계
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• v.30 no.11
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• pp.671-680
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• 1981

영구쌍극자를 함유한 판상시료 양면에 전극을 접촉한 계의 TSC에 관해서 쌍극자의 완화시간이 단일인 경우와 분포된 경우로 구분하여 설명하기로 한다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.37 no.4
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• pp.15-24
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• 2000

The dielectric relaxation of high-dielectric capacitors could be understood as a dynamic property of the capacitor in the time domain, which is regarded as a primarily important charge loss mechanism during the refresh time of DRAMs. Therefore, the equivalent circuit of the dielectric relaxation of the high-dielectric capacitor is essentially required to investigate its effects on DRAM. Nevertheless, There is not any theoretical method which is generally applied to realize the equivalent circuit of the dielectric relaxation. Recently, we have developed a novel procedure for the circuit modeling of the dielectric relaxation of high-dielectric capacitor utilizing the frequency domain. This procedure is a general method based on theoretical approach. We have also verified the feasibility of this procedure through experimental process. Finally, we successfully investigated the effect of dielectric relaxation on DRAM operation with the obtained equivalent circuit through this new method.

• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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• v.2 no.1
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• pp.9-16
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• 1997

Ferroelectric $Pb_5Ge_{3-x}Ti_xO_{11}$(x=0, 0.015, 0.021, 0.03) single crystals were obtained from the melt by the Czochralski method. Grown crystals were pale brownish yellow and fully transparent. The dielectric relaxation of the $Pb_5Ge_{3-x}Ti_xO_{11}$ single crystals has been studied in the frequency range from 100 Hz to 10 MHz between $20^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$. From the results of the these measurements. the temperature of the permittivity maximum was shifted to low temperature with increasing Ti content and the permittivity maximum decreased with increasing Ti content. The frequency dependent dielectric response of $Pb_5Ge_{3-x}Ti_xO_{11}$ single crystals exhibits a Debye type relaxation, with a distribution of relaxation times. Dielectric behavior is characteristic of carrier-dominated response.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1998.06a
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• pp.173-176
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• 1998

We experimentally investigated the dielectric relaxation phenomena of a liquid crystal monolayers by the Displacement current techique and displacement current flowing across monolayers is analyzed using rod-like molecular model. It is revealed that the dielectric reaxation time $\tau$ of monolaters in the isotropic polar orientational phase is determined using a linear relashionship between the monolayers compression speed $\alpha$ and the molecular area. The dielectric relaxation time of phospholipid monolayers was examined on the basis of the analysis developed here.

• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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• v.3 no.1
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• pp.269-277
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• 1998

The TSDC(Thermally Stimulated Depolarization Current) measurement were carried out in the temperature range $30{\sim}500^{\circ}C$. We observed the anomalous two peaks that have a thousand times longer relaxation time than that of the space charge. It seems that the origin of the two peak are due to the electron trapping effect and to the adsorption of the vacancies at silver electrode.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.13 no.1
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• pp.53-59
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• 1999

The ceramic capacitor was fabricated by $(Ba_{0.85}Ca_(0.15)TiO_3+ZnO$ + ZnO(from 0.1 to 0.4 mol ratio). The electrical and structural properties of ceramic capacitor for high voltage application was studied in this study. The relative rensity of ceramics capacitor has shown high in all specimen. The grain was a small size from $1.0[\mum]$ to $1.22[\mum]$ and it was increased with ZnO at 0.3 mol ratio. It was stabilized that the temperature coefficient of ceramic capacitor to change temperature had below 100[ppm] at 0.12~10[kHz]. The dielectric reIaxation time was decreased by interface polarization over $110[^{\circ}C]$ and it was increased by space polarization of paraelectric layer below $110[^{\circ}C]$. The insulating layer was increased with ZnO and dielectric constant to voltage was stabilized by 0.1[%].0.1[%].

• 전자공학회논문지 IE
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• v.49 no.1
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• pp.7-11
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• 2012

In this paper, evaluation of physical properties about dielectric relaxation phenomena by the detection of the surface pressures and displacements current on the monolayer films of phospolipid monomolecular DMPC using pressure stimulus. As a result, It is found that the phospolipid monolayer of dielectric relaxation takes a little time and depend on the molecular area. When electric bias is applied across the manufactured MIM device by the deposition condition of phospolipid monomolecular, it is found that be characteristic of insulation generated it wasn't breakdown when the higher electric field to impress by increase of deposition layers.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.12
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• pp.1033-1040
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• 1997

Si가 첨가된 ZNR의 겉보기 유전상구, 겉보기 비유전손율, 유전비저항의 주파수 특성을 여러 측정온도에서 조사하였다. 모든 ZNR에 대하여 유전분산현상 및 유전흡수현상이 뚜렷이 나타났으며, 비슷한 경향의 유전성질을 나타냈다. SiO$_{2}$첨가량이 증가함에 따라 겉보기 유전상수, 피이크 겉보기 비유전손율은 감소하였으며, 유전비저항은 증가하였다. 온도상승시 겉보기 유전상수, 피이크 겉보기 비유전손율은 증가하였으며, 흡수 피이크 주파수는 고주파측으로 이동하였다. SiO$_{2}$첨가량이 증가함에 따라 ZNR은 Cole-Cole원호에서 0.68-0.72범위 내에서 증가하는 $\beta$값을 가지며, 완화시간의 분포가 좁아지는 유전특성을 나타냈다.

• Proceedings of The KACE
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• 2018.01a
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• pp.129-132
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• 2018

교통 체증은 차량 이용이 대중화된 지금 많은 문제를 야기하고 있다. 교통 정체로 인한 시간 허비, 장시간 운전으로 인한 운전자의 피로 증가, 매연 배출로 인한 환경 오염 촉진 등 교통 체증은 사회적으로 무시할 수 없는 여러 문제들을 불러온다. 이에 본 연구는 신호 체계 개선에 초점을 두어 유전 알고리즘을 이용한 도시 규모의 유동성 연동 신호 체계를 구현하고자 하였다. 이를 위하여 교통 시뮬레이션 프로그램 SUMO를 이용하여 실험 환경을 조성하고, 4개의 사거리와 16개의 사거리, 그리고 선릉역 인근의 실제 도로망에서의 최적 신호 주기를 탐색하였다. 실험 결과 4개의 사거리의 경우 유전 알고리즘 적용 전의 초기 설정에 비해 자동차들의 평균 이동 시간이 31.1% 감소, 16개의 사거리의 경우 6.2% 감소, 실제 도로에서는 1.1% 감소함을 확인할 수 있었다. 따라서 유전 알고리즘을 이용한 새로운 교통 체계는 교통 정체를 완화하는 효과가 있으며 본 연구를 실제에 적용한다면 도시 규모의 도로망에서 시간대 별로 교통 흐름을 최적화하는 맞춤형 신호 주기를 구할 수 있을 것이다.