• Title/Summary/Keyword: 유전분극

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Analysis of Thin Films for Semiconductor (반도체소자 박막 분석)

  • Oh, Teresa
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
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    • 2010.11a
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    • pp.73-75
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    • 2010
  • 층간 절연막으로 사용 가능한 SiOC 박막에 대하여 유전상수가 낮아지는 원인을 이온에 의한 분극과 전자에 의한 분극에 대하여 측정하였다. MIS 구조를 이용하여 전형적인 C-V 측적법에 의하여 유전상수를 구하였으며, 굴절률을 측정하여 전자에 의한 분극의 효과에 의한 유전상수를 측정하고 서로 비교하였다. SiOC 박막의 화학적인 특성은 FTIR 분석을 이용하였으며, FTIR 분석에서 디컨벌류션한 데이터는 탄소의 함량에 대한 변화를 구하였다. 탄소의 함량변화는 굴절률의 변화와 비슷한 경향성을 나타내었으나, 유전상수와는 반비례하였다. 전자에 의한 분극의 효과는 유전상수가 떨어지는 것에 큰 영향을 주지는 않았으며, 이온에 의한 분극의 효과가 SiOC 박막의유전상수를 낮게 하는 효과가 더욱 크게 나타났다.

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Correlation between Dielectric Constant and Electronic Polarization by the Reflective Index (굴절률에 의한 유전상수와 전자에 의한 분극에 대한 상관성)

  • Oh, Teresa
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.18 no.1
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    • pp.24-29
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    • 2009
  • The SiOC film as inter layer insulator was researched the reason of the decreasing the dielectric constant by the ionic polarization and electronic polarization, respectively. The dielectric constant was measured using the conventional C-V measurement system, and the reflective index owing to the electronic polarization. Two kinds of dielectric constants were compared and then induced the origin of low-k materials. The chemical properties of the SiOC film were analyzed by the FTIR spectra, and the carbon content was obtained by the deconvoluted data of FTIR spectra. The variation of the carbon content tended to similar to the trend of reflective index, but was in inverse proportion to the dielectric constant. The effect of the electronic polarization did not affect the decreasing the dielectric constant, however the ionic polarization decreased effectively the dielectric constant of the SiOC film.

Analysis on Permittivity of Soil to Evaluate Pore Water Contamination

  • Oh Myoung-Hak;Kim Yong-Sung;Yoo Dong-Ju;Park Jun-Boum
    • Proceedings of the Korean Society of Soil and Groundwater Environment Conference
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    • 2005.04a
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    • pp.249-252
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    • 2005
  • 저주파수에서 유전상수 측정시 100kHz 이하의 주파수 영역에서는 전극분극효과가 발생하므로 100kHz이상의 주파수에서 유전상수가 평가되어야 한다. 유전상수는 쌍극자모멘트의 수에 비례하기 때문에 흙의 유전상수는 체적함수비에 따른 선형적인 증가경향을 나타내었다. 용액에 이온성분이 존재하는 경우에는 수화작용에 의한 물분자의 배향분극 발현의 감소로 인하여 유전상수가 감소한다. 흙과 중금속 혼합시료의 경우 함수비가 큰 시료에서는 용액의 유전특성이 발현되지만, 함수비가 작은 경우에는 공간전하분극의 영향으로 유전상수가 10-20%정도 증가하는 경향을 나타내었다. 현장에서의 정확한 오염도 평가를 위해서는 토양의 함수비에 대한 평가가 반드시 수행되어야 한다.

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Three-dimensinal electro static field calculation of thin film dielectric substance using boundary integral equation method. (경계 적분법을 이용한 박막유전체의 3차원 정전장 해석)

  • Kim, Yong-Il;HwangBo, Hoon;Choi, Hong-Soon;Park, Il-Han
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2005.07b
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    • pp.1123-1125
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    • 2005
  • 본 논문에서는 3차원 공간에 종이와 같은 박막형 유전체가 있을 때 임의의 점에서의 전계$\vec{E}$를 구하기 위해 유전체의 분극벡터$\vec{P}$를 미지수로 하는 경계적분법(Boundary integral method)을 사용한다. 경계적분법의 사용으로 FEM 3차원 해석에 있어서의 요소분할의 난이성 및 계수 행렬의 대형화로 인한 컴퓨터 수행능력의 한계를 극복할 수 있다. 여기서 분극벡터$\vec{P}$를 구하기 위해 전하에서의 전계${ves{E}}_s$에 의한 유전체내의 분극벡터$\vec{P}$를 수식으로 정리하여 $[\vec{K}][\vec{P}]=[\vec{E}]$ 형태의 $\vec{P}$를 미지수로 하는 system matrix를 구성한다. 위의 system matrix 통해 구해진 분극벡터 $\vec{P}$를 이용하여 유전체 밖의 한 점에서의 전계세기 ${\vec{E}}_m$를 구한 후 우리가 구하고자 하는 전계$\vec{E}$를 계산한다.

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Complex Permittivity of Sand at Low Frequency (저주파수 영역에서 측정된 사질토의 유전특성)

  • Oh Myoung Hak;Kim Yong Sung;Park Jun Boum;Yoon Hyun Suk
    • Journal of the Korean Geotechnical Society
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    • v.21 no.2
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    • pp.93-103
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    • 2005
  • This study was performed to identify the presence of measurement distortions such as electrode polarization and to investigate the influence of soil water content on complex permittivity at low frequency. In low frequency measurement using two-terminal electrode system, electrode polarization effect was observed at frequencies less than approximately 100 HBz. The analysis for real permittivity should be performed at frequencies above 100 kHz in order to exclude electrode polarization effect in the analysis of real permittivity at low frequency measurements. For a given soil, both of real and effective imaginary permittivity of wet soil increased continuously with volumetric water content. This is evidenced by the facts that the real permittivity is proportional to the number of dipole moments per unit volume and effective imaginary permittivity is effected by the conduction due to water. However, proportional relation between real permittivity and volumetric water content is valid at upper MHz frequencies.

Dielectric characteristics with poling of P(VDF/TrFE) films for pyroelectric infrared sensor (초전형 적외선 센서용 P(VDF/TrFE) 막의 분극에 따른 유전특성의 변화)

  • Kwon, Sung-Yeol;Kim, Young-Woo;Baem, Seung-Choon;Park, Sung-Kun;Kim, Ki-Wan
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.9 no.1
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    • pp.9-14
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    • 2000
  • Dielectric characteristics of P(VDF/TrFE) film manufactured using spin coating technique have been investigated. To improve the crystallinity and quality of film, the film was three step annealed. Simple etching process and conditions for P(VDF/TrFE) film were established using top electrode as a mask. Poling is performed by several steps. $1.87\;{\mu}m$ thick P(VDF/TrFE) films were obtained with conditions such that the solution of 10 wt% concentration was spun at 3000rpm for 30 seconds. Before poling, dielectric constant and dielectric loss of P(VDF/TrFE) film were 13.5 and 0.042, respectively. After poling, dielectric constant and dielectric loss of P(VDF/TrFE) film were 11.5 and 0.037, respectively.

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Study on Lowering of the Polarization in SiOC Thin FIlms by Post Annealing (SiOC 박막에서 열처리에 의한 분극의 감쇄현상에 관한 연구)

  • Oh, Teresa
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.16 no.8
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    • pp.1747-1752
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    • 2012
  • The SiOC film of carbon centered system was prepared using bistrimethylsilylmethane (BTMSM) and oxygen mixed precursor by the chemical vapor deposition. The dielectric constant is measured by MIS(metal/insulator/Si) structure, but it could decrease the reliability because the uniformity is not assured. To research the dielectric constant of SiOC film, the range of low polarization was researched in SiOC film using the optical analysis and hardness, and then calculated the dielectric constant of SiOC film with amorphous structure of high degree. After annealing, the dielectric constant of SiOC film was decreased owing to the lowering of polarization, and FTIR spectra of the main bond was shifted to higher wave number. The main bond of 950~1200 cm-1 was composed of the Si-C and Si-O bonds. The intensity increases in Si-O bond infers the bonding strength became stronger than that of deposited film. Annealed SiOC film showed 2.06 in dielectric constant.

Errors and Their Corrections in the Measurement of Dielectric Hysteresis in Ferroelectrics (강유전체의 유전이력특성 측정에서의 오차요인 및 보정)

  • 박재환
    • Journal of the Korean Ceramic Society
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    • v.38 no.7
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    • pp.667-671
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    • 2001
  • Sawyer-tower 회로를 이용한 강유전 이력곡선의 측정과정에서의 주요 오차 원인을 살펴보고 이에 대한 대안을 제시해 보았다. 강유전체 시편에 존재하는 직류 누설성분에 의해 잔류분극과 항전계는 과대평가될 수 있는 위험성이 항상 있음을 알 수 있었으며 이러한 오차의 보정에 대하여 논의하였다. 또한 강유전 이력곡선의 측정에서 측정하는 시간이 증가되면서 시편의 발열로 인해서 시편의 온도가 증가하게 되어 잔류분극 값과 항전계 값이 감소하는 경향으로 나타남을 관찰하였고, 그 대책을 제안하였다.

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Applicability of Permittivity Measurement Method for Investigating the Heavy Metal Contamination of Subsurface (지반의 중금속 오염도 조사를 위한 흙의 유전상수 측정기법의 적용성 평가)

  • Oh, Myoung-Hak;Kim, Yong-Sung;Yoo, Dong-Ju;Park, Jun-Boum
    • Proceedings of the Korean Geotechical Society Conference
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    • 2005.03a
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    • pp.499-506
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    • 2005
  • 지반오염조사에 대한 유전상수 측정기법의 적용성을 평가하기 위하여 중금속 오염도에 따른 흙의 유전특성 변화를 분석하였다. 유전상수의 실수부와 허수부 모두 체적함수비에 따른 증가경향을 나타내었으며, 특히 MHz 범위에서 유전상수 실수부는 쌍극자모멘트에 비례하기 때문에 흙의 유전상수는 체적함수비에 따른 선형적인 증가경향을 나타내었다. 중금속 용액은 50kHz 이하의 저주파영역에서 전극 분극효과에 의해 농도 증가에 따라 유전상수 실수부가 증가하는 경향을 나타내었으나, 고주파 영역에서는 이온의 수화작용에 의한 물분자의 배향분극 발현 감소로 인하여 유전상수 실수부가 감소하였다. 유전상수 허수부의 경우에는 모든 주파수 영역에서 중금속 농도 증가에 따른 전도손실에 의하여 증가하는 경향을 나타내었다. 흙과 중금속 혼합시료의 경우 함수비가 큰 시료에서는 중금속 용액 자체의 유전특성이 그대로 발현되었으나, 함수비가 작은 시료에서는 공간전하분극의 영향이 우세하여 유전상수 실수부가 10-20%정도 증가하는 경향을 나타내었다. 유전상수 허수부의 경우에는 중금속 농도 증가에 따른 뚜렷한 증가경향을 확인할 수 있었다. 본 연구의 결과에 의하면 중금속의 오염감지에 대해서는 유전상수 실수부보다는 허수부의 적용성이 높은 것으로 나타났으며, 현장에서의 정확한 오염도 평가를 위해서는 함수비에 대한 평가가 선행되어야 할 것으로 판단된다.

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Improvement of Precision in Ferroelectric Polarization Hysteresis Measurement (강유전체 분극 이력곡선의 측정 정밀도 향상)

  • Jae Hwan Park
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.30 no.3
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    • pp.51-55
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    • 2023
  • Measurement of the ferroelectric polarization hysteresis curve is an important means of overall evaluation and interpretation of the ferroelectric structure and dielectric properties. If a resistive component is included in the ferroelectric sample, an error is included in the measured value of the spontaneous polarization. When configuring the electrical circuit to measure the polarization, by properly utilizing the external resistance corresponding to the resistive component included in the sample, the error due to the resistive loss of the sample was excluded and the size of the ferroelectric polarization induced inside could be accurately measured. It is expected that the displacement and dielectric characteristics of ions inside the ferroelectric can be more accurately evaluated through the evaluation of such an accurate polarization hysteresis curve.