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이상욱;김훈;임준영;안영웅;황인욱;김정희;지종열;최준영;이영종;한승희
- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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- pp.328-329
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- 2006
반도체 소자의 소형화, 고질적화는 junction 깊이 감소와 도핑농도의 증가를 요구한다. 현재 상용화되는 도핑법은 이온빔 주입(Ion Beam Ion Implantation, IBII)인데, 이 방법은 낮은 가속에너지를 가하는 경우 이온빔의 정류가 금속이 감소해 주입 속도가 낮아져 대랑 생산이 어렵고 장비가 고가라는 단점이 있다. 하지만 플라즈마를 이용한 이온주입법 (Plasma Source Ion Implantation, PSII)은 공정 속도가 빠르고 제조비용이 매우 저렴해 새로운 이온주입법으로 주목받고 있다. PSII법에서 플라즈마 특성은 그 결과에 큰 영향을 미치므로 플라즈마 특성의 적절한 제어가 필수적으로 요구된다. 본 연구에서는 공정압력과 RF power를 변화시키며 플라즈마 밀도 측정했다. 그 결과 공정압력이 증가함에 따라서 플라즈마 밀도는 감소되었고 RF power 증가함에 따라서 플라즈마 밀도는 증가되었다.
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양혜순;김영만;김선태;최범석
- 분석과학
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- 제7권3호
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- pp.253-260
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- 1994
Low power-low flow 유도결합 플라즈마 원자방출 분광법(ICP-AES)에서 분석적 특성에 대해 연구하였다. Low power ICP에서는 moderate power ICP보다 알짜세기는 감소하지만 바탕세기도 감소하여 알짜세기에 대한 바탕세기의 비는 오히려 증가하였다. Low power ICP에서도 작동조건에 따라 moderate power와 비슷한 검출한계를 얻을 수 있으며, 검량곡선도 $10^4{\sim}10^5$ 정도의 직선성을 가질 수 있었다. 알칼리 금속에 의한 이온화 방해영향은 시료운반기체의 사용량을 증가시킬수록 증가하지만, RF power의 변화에 대해서는 큰 차이가 없었다.
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신형선;최만식;김강진
- 분석과학
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- 제12권4호
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- pp.273-278
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- 1999
수은과 비소를 동일한 반응조건으로 환원 증기 발생법-유도결합 플라즈마 원자방출 분광계로 동시에 분석할 수 있는 방법을 연구하였다. 수은과 비소는 휘발성이 강하므로 시료를 마이크로파 용해 장치와 산을 이용한 추출법으로 전처리를 실시하였다. 환원 증기 발생법 반응조건은 6N HCl과 2% $NaBH_4$로 비교적 농도를 진하게 사용하였으며, 이 조건에서 검출한계는 수은과 비소가 각각 0.06 ppb, 0.08 ppb를 얻었다. 수은은 모두 표준시료의 검증값에 일치하였으며 비소도 무기물 시료에서는 검증값에 일치하였으나 유기물 시료에서는 약 80%의 회수율을 얻었다.
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