• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.18 no.1
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• pp.15-21
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• 2011

In this study, flexural strength and fracture behavior of silicon die from single crystalline silicon wafer were investigated as a function of thickness. Silicon wafers with various thickness of 300, 200, 180, 160, 150, and 100 ${\mu}m$ were prepared by mechanical grinding and polishing of as-saw wafers. Flexural strength of 40 silicon dies (size: 62.5 mm${\times}$4 mm) from each wafer was measured by four point bending test, respectively. For statistical analysis of flexural strength, shape factor(i.e., Weibull modulus) and scale factor were determined from Weibull plot. Flexural strength reflecting both statistical fracture probability and size (thickness) effect of brittle silicon die was obtained as a linear function of die thickness. Fracture appearance was discussed in relation with measured fracture strength.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.175-175
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• 2012

플라즈마를 이용하는 공정은 평판 디스플레이와 박막 트렌지스터, LCD 같은 반도체 산업에 널리 사용되고 있다. 최근 이와 같은 산업을 위한 공정은 마이크로 단위 이하에서 진행되고 있으며, 그 크기가 작아질수록 공정을 위한 비용은 증가하게 되었다. 따라서 제품의 대량생산 및 원가절감을 위해 웨이퍼의 대구경화가 진행되었고, 그런 대구경의 웨이퍼을 생산하기 위한 대면적 플라즈마 소스 개발 역시도 필요하게 되었다. 그리고 2014년에는 450 mm 크기의 웨이퍼가 사용될 것으로 예상되고 있다. 450 mm 대구경 웨이퍼용 유도결합플라자마 장치를 이용하여 플라즈마의 특성을 Langmuir probe를 사용하여 측정하였다. 플라즈마를 방전시키는 안테나의 형태는 spiral 형태의 안테나를 사용하였고, 이중주파수를 사용하기 위해 spiral 형태의 안테나를 두개로 나누어 안쪽의 안테나에는 2 Mhz를 바깥쪽의 안테나에는 13.56 Mhz를 인가하였다. 공정 압력은 10 mTorr로 유지하고 안쪽의 2 Mhz 안테나에는 100~800 W까지 변화시키고 바깥쪽의 13.56 Mhz 안테나에는 100~1,000 W까지 변화시켜 그 때의 플라즈마의 특성을 분석해 보았다. Langmuir probe를 이용하여 방전된 플라즈마를 관찰한 결과, 기판 위에서의 플라즈마 균일도가 4~23%가 되는 것을 확인 할 수 있었다. 13.56 Mhz의 인가되는 파워를 고정 시키고 2 Mhz만을 변화시켰을 경우 2 Mhz의 파워를 400 W까지 증가시켰을 때는 플라즈마의 밀도가 서서히 증가하였으나 400 W 이상에서는 밀도가 크게 증가하는 것을 볼 수 있었다. 하지만 플라즈마의 온도와 potential의 경우 밀도와는 반대로 2 Mhz에 인가되는 파워가 증가 될수록 감소하는 경향을 보였다. 위의 실험을 통해 우리는 전자에너지분포함수(EEDFs)를 얻을 수 있었고, 그 안에서 낮은 주파수(2 Mhz)를 이용하여 낮은 에너지를 가진 전자의 밀도를 조절할 수 있다는 것과 높은 주파수(13.56 Mhz)에 인가된 파워가 증가함에 따라 높은 에너지를 얻을 수 있다는 결과를 확인 할 수 있었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.9 no.2
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• pp.157-161
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• 1999

We investigated the effect of mechanical back side damage in Czochralski silicon wafer. The intensity of mechanical damage was evaluated by minority carrier recombination lifetime by laser excitation/microwave reflection photoconductance decay ($\mu$-PCD) technique, wet oxidation/preferential etching methods, near surface micro defect (NSMD) analysis, and X-ray section topography. The data indicate that the higher the mechanical damage intensity, the lower the minority carrier lifetime, and NSMD density increased proportionally, also correlated to the oxidation induced stacking fault (OISF) density. Thus, NSMD technique can be used separately from conventional etching method in OISF measurement.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2011.05a
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• pp.124.1-124.1
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• 2011

결정질 태양전지에서 도핑(Doping)은 반도체(Semiconductor)의 PN 접합(Junction)을 형성하는 중요한 역할을 한다. 도핑은 반도체에 불순물(Dopant)을 주입하는 공정으로 고온에서 진행되며 온도는 중요한 변수(Parameter)로 작용한다. 본 연구에서는 여러 가지 도핑 방법 중 SOD(Spin-On Dopant)를 이용하여 온도에 따른 도핑 결과와 특성을 분석 하였다. P-type 웨이퍼(Wafer)에 SOD를 이용하여 불순물을 증착 후 Hot-plate에서 15분간 Baking 하였다. Baking된 웨이퍼는 노(Furnace)에 넣고 $860^{\circ}C{\sim}880^{\circ}C$까지 $10^{\circ}C$씩 가변하였다. 각각의 조건에 대해 Lifetime과 Sheet Resistance을 측정하였고, 그 결과 $880^{\circ}C$에서의 Lifetime이 $23.58{\mu}s$로 $860^{\circ}C$에 비해 235.8% 증가하여 가장 우수 하였으며, Sheet Resistance 또한 $68{\Omega}$/sq로 $860^{\circ}C$에서 가장 우수하게 측정되었다. SOD의 속도 가변에 따른 특성 변화를 보기 위해 온도는 $880^{\circ}C$에 고정한 후 속도를 3000rpm~4500rpm까지 500rpm간격으로 1시간동안 실험한 결과 rpm 속도에 따른 lifetime 변화는 거의 없었으며, Sheet Resistance는 3000rpm에서 $63{\Omega}$/sq로 가장 우수 하였다. 본 연구를 통해 온도와 Spin rpm에 따른 특성을 확인한 결과 온도가 높을 때 Sheet Resistance가 가장 안정화 되며, lifetime이 더욱 우수한 것을 확인할 수 있었다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.13 no.1 s.38
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• pp.23-29
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• 2006

Ultrasonic soldering of Si-wafer to FR-4 PCB at ambient temperature was investigated. The UBM of Si-substrate was Cu/ Ni/ Al from top to bottom with thickness of $0.4{\mu}m,\;0.4{\mu}m$, and $0.3{\mu}m$ respectively. The pad on FR-4 PCB comprised of Au/ Ni/ Cu from top to bottom with thickness of $0.05{\mu}m,\;5{\mu}m$, and $18{\mu}m$ respectively. Sn-3.5wt%Ag foil rolled to $100{\mu}m$ was used for solder. The ultrasonic soldering time was varied from 0.5 s to 3.0 s and the ultrasonic power was 1,400 W. The experimental results show that a reliable bond by ultrasonic soldering at ambient temperature was obtained. The shear strength increased with soldering time up to a maximum of 65 N at 2.5 s. The strength decreased to 34 N at 3.0 s because cracks were generated along the intermetallic compound between Si-wafer and Sn-3.5wt%Ag solder. The Intermetallic compound produced by ultrasonic soldering between the Si-wafer and the solder was $(Cu,Ni)_{6}Sn_{5}$.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.6 no.1
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• pp.9-19
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• 1997

The reaction mechanisms of dry cleaning with UV-excited chlorine radical for Zn, Fe and Ti trace contaminants on the Si wafer have been studied by SEM, AFM and XPS analyses in this work. The patterned Zn, Fe and Ti films were deposited on the Si wafer surface by thermal evaporation and changes in the surface morphology after dry cleaning with $Cl_2$and UV/$Cl_2$at $200^{\circ}C$ were studied by optical microscopy and SEM. In addition, changes in the surface roughness of Si wafer with the cleaning was observed by AFM. The chemical bonding states of the Zn, Fe and Ti deposited silicon surface were observed with in-line XPS analysis. Zn and Fe were easily cleaned in the form of volatile zinc-chloride and iron-chloride as verified by the surface morphology changes. Ti which forms involatile oxides was not easily removed at room temperature but was slightly removed by UV/$Cl_2$at elevated temperature of $200^{\circ}C$. It was also found that the surface roughness of the Si wafer increased after $Cl_2$and UV/$Cl_2$cleaning. Therefore, the metallic contaminants on the Si wafer can be easily removed at lower temperature without surface damage by a continuous process using wet cleaning followed by UV/$Cl_2$dry cleaning.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.22 no.1
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• pp.461-467
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• 2021

Among the defect factors that can occur when a wafer-level lens is molded using a thermosetting material, the mold sticking problem of a molded lens during the release process can damage the molded substrate and deform the substrate at the wafer level. An experiment was conducted to examine the factors affecting the demolding force in the lens forming process. The demolding force was examined according to the coating material of the molds. The mold was surface-treated with ITO and Ti, followed by plasma treatment in an O2 atmosphere. A DLC coating was then performed, and the curing and releasability were examined. A coating method for the pull-off experiment was selected based on the results. To measure the demolding force according to the curing process conditions, a method of curing at a constant pressure and a method of curing at a constant position were applied. As a result, the TiO2 surface treatment reduced the release force. When cured by controlling the location, curing shrinkage can reduce the adhesion energy of the interface during curing, resulting in better demolding.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.101.2-101.2
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• 2010

태양전지에서 고효율을 얻기 위해서는 알루미늄 원자의 확산에 의한 불순물층으로서 p+층이 필수적이다. P+층은 형성전자의 재결합을 방지하고, 생성 캐리어의 수집 효율을 향상시키는 BSF(Back Surface Field) 효과의 역할을 한다. 도포된 알루미늄 페이스트가 부족할 경우 BSF효과가 나타나지 않으며 과할 경우 웨이퍼가 휨이 발생하여 최적 인쇄도포량이 중요하다. 본 연구에서는 레오미터 측정조건을 스크린 프린팅 인쇄 조건과 유사하게 진행하여 저장탄성율(G') 과 손실탄성율(G")의 관계를 살펴보았다. 회복단계에서 G'>G" 이고 Cross point가 없을 경우 도포량이 1.8g 이상이였으며, 웨이퍼의 휨(bowing)이 크게 발생하였고, 이와 반대로 회복시 20초 후에 Cross point가 나타난 경우 10% 정도 도포량 감소와 함께 휨 발생도 1 mm 이하로 양호한 특성을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2005.06a
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• pp.1083-1086
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• 2005

Light scattering measurement system that can evaluate light scattering characteristic from defects on silicon wafer surface has been developed. The system uses $Ar^+$ laser as an illumination source, and a highly sensitive photomultiplier tube (PMT) for detecting scattered light from defects. Unlike with conventional measurement system, our system has ability to measure scattered light pattern from wide range of scattering angles with changeable incidence condition. It is shown that our developed system is effective to discriminate the types and sizes of defects from basic experimental results using a microscatch and a PSL sphere.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2006.11a
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• pp.370-371
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• 2006

본 연구에서는 PZT박막의 강 유전 캐패시터 제작을 위한 연구로, 4-inch크기의 $SiO_2$/Pt/Ti/Si가 증착된 웨이퍼를 습식 식각하여 $SiO_2$ 패턴(0.8um)을 형성하였고, PZT박막의 캐패시터 제작을 위해 패턴 웨이퍼에 $Pb_{1.1}$($Zr_{0.52}Ti_{0.48}$)$O_3$조성을 갖는 PZT를 증착하였다. $600^{\circ}C$에서 열처리 후 페로브스카이트 구조를 가지는 PZT 박막의 CMP(chemical mechanical polishing) 공정에 따른 전기적 특성을 연구하였다. 강유전체 소자 적용을 위한 CMP 공정으로 제조된 PZT 박막 캐패시터의 P-E특성, I-V특성, 피로특성 등의 전기적 특성을 측정하였다.