As an alternative for solving the incompressible Navier-Stokes equations, we present a vorticity-based integro-differential formulation for vorticity, velocity and pressure variables. One of the most difficult problems encountered in the vorticity-based methods is the introduction of the proper value-value of vorticity or vorticity flux at the solid surface. A practical computational technique toward solving this problem is presented in connection with the coupling between the vorticity and the pressure boundary conditions. Numerical schemes based on an iterative procedure are employed to solve the governing equations with the boundary conditions for the three variables. A finite volume method is implemented to integrate the vorticity transport equation with the dynamic vorticity boundary condition . The velocity field is obtained by using the Biot-Savart integral derived from the mathematical vector identity. Green's scalar identity is used to solve the total pressure in an integral approach similar to the surface panel methods which have been well-established for potential flow analysis. The calculated results with the present mettled for two test problems are compared with data from the literature in order for its validation. The first test problem is one for the two-dimensional square cavity flow driven by shear on the top lid. Two cases are considered here: (i) one driven both by the specified non-uniform shear on the top lid and by the specified body forces acting through the cavity region, for which we find the exact solution, and (ii) one of the classical type (i.e., driven only by uniform shear). Secondly, the present mettled is applied to deal with the early development of the flow around an impulsively started circular cylinder.
Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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v.38
no.6
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pp.723-729
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2014
When the bluetooth technology of smartphone is applied to a remote control system, communication errors caused by wave attenuation and interference results in the shortening of communication distance, loss of the target device control and malfunctioning. In this study, we propose a method to adopt a retransmission persistence controlled S/W ARQ in bluetooth communication to minimize the effect of the communication failure and to detect and handle the state where the target device gets lost control. We implemented a motor-driven RC car equpped with a bluetooth communication module and a steering application program on smartphone to test the proposed method. The experiments are conducted in three communication environments, and have resulted in the increase of the communication distance by at least 30% when S/W ARQ is applied. Moreover, when the communication was disrupted due to environmental disturbances, the S/W ARQ based system stopped immediately any undergoing operations to avoid possible malfunction.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.36
no.12
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pp.1201-1207
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2012
This study was performed to develop a high-efficiency submersible nonclogging pump impeller. Toward this end, we simulated the effect of some parameters such as the outlet position of a blade ($h_I$), outlet width of a blade ($b_2$), and hub profile on the pump efficiency by using the commercial codes ANSYS CFX and BladeGen. The results showed that the pump efficiency was proportional up to $h_I$= 38 mm and $b_2$= 55 mm. It remained constant over these values. However, the head and shaft power were proportional to $h_I$ and $b_2$ in the simulated ranges. The effects of hub profile changes on the pump efficiency were relatively small compared to those of the other parameters.
The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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v.13
no.6
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pp.420-429
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2008
This paper describes design procedure and control strategy of HDC(High side DC/DC Converter) and MCU(Motor Control Unit) for diesel hybrid electric vehicle. In designing HDC and MCU for HEV high power density and reliability is strongly needed to meet the demand of automotive industry. In order to achieve the high performance of a controller, MPC5554 based control board is developed. An optimized film capacitor and inductor are also developed for high efficiency driving. Skim 63 IGBT module of SEMIKRON for automotive is used for power switching device. The most efficient cooling model for optimal size and reliability were verified by simulation. These procedures are verified by bench or driving test and the results are present in this paper.
Microbial fuel cells (MFC) were operated with pig wastes and PEMFC (Proton Exchange Membrane Fuel Cells) MEA (Membrane and Electrode Assembly). Performance of hydrocarbon membrane was compared with that of perfluoro membrane at MFC condition. Sulfonated-Poly(Arylene Ether Sulfone) was used as hydrocarbon membrane and Gore membrane was used as perfluoro membrane. OCV of sPAES MEA was 50mV higher than that of Gore MEA and power density of sPAES MEA was similar that of Gore MEA. Reinforcement of sPAES membrane stabilized the performance of MEA in MFC. The highest performance was obtained at temperature of $45^{\circ}C$ and with culture solution circulation rate of 50 ml/min. The highest power density was $1,100mW/m^2$ at optimum condition in MFC using pig waste.
As information and business communication via Internet are growing up, web-based software is wide spread and more important on the viewpoint of software qualify than stand-alone. Research on verification of web content links and web-based Program was tried, but has short on covering various types of web based software and making experiments to be applied in real testing practice. This paper suggests a modeling technique to be applied to dynamic and various types of web-based software. First, it identifies each elements consisting of web-based software and then construct a model of Object Control Flow Graph and Object Relationship Diagram. We can generate test cases covering all test paths of ORD or invoking key points test route. Suggested modeling method and test case selection technique are verified by applying five types of web-based software and compared with other web-based test techniques.
Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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v.39
no.11
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pp.1060-1068
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2011
In this paper, we present a development of an Operation Flight Program(OFP) on Real Time Operating System(RTOS) and Java Virtual Machine(JVM) of real-time and embedded system. The OFPs are consisted of Multi Function Display(MFD), Integrated Up Front Control(IUFC), Head Up Display(HUD) and Fire Control(FC) and loaded for localization Mission Computer(MC). This paper describes the structure and implementation of a MFD OFP and middleware based on Java.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.105-105
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2012
본 논문에서는 전세계적으로 차세대 에너지절감 반도체로 각광을 받고 있는 GaN 소자의 연구개발 동향에 관하여 발표하고자 한다. GaN 반도체는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$)등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. 고출력용 GaN RF 전력증폭 소자의 전력밀도는 기존 Si-기반 LDMOS 트랜지스터보다 10배 이상 높아 제품의 소형화와 경량화를 통하여 30% 이상의 전력절감이 가능하며, 레이더, 위성등 송수신 트랜시버 모듈에 GaN 전력증폭기를 이용할 경우 기존 GaAs-기반 전력증폭기에 비하여 높은 전력밀도(>x8)와 높은 효율(>20%)로 인하여 모듈 크기를 50% 이상 줄임과 동시에 경량화를 이룰 수 있어 비행기, 위성등 탑재체의 에너지 절감에 크게 기여할 수 있다. 고전력용 GaN 전력 스위칭 소자는 기존 Si-기반 IGBT에 비하여 스위칭 손실과 온-저항 손실이 낮아 30% 이상의 에너지 절감이 가능하다. 뿐만 아니라, 일본 도요타 자동차사의 보고에 의하면 HEV등 전기자동차의 DC-DC 부스터 컨버터나 DC-AC 인버터에 GaN 전력반도체를 적용할 경우 경량화, 변환효율 향상, 전용 냉각시스템을 제거할 수 있어 연료소모를 10% 이상 줄일 수 있어 연간 400불 이상의 에너지 절감 효과를 가진다. 이러한 에너지절감 효과는 미국, 유럽, 일본등 선진국을 중심으로 차세대 GaN 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 치열한 경쟁 구도의 구동력이 될 것이며, 본 논문을 통하여 GaN 반도체의 연구개발 방향과 상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.
Kim, Dong-Su;Kim, Hyo-Jung;Lee, Jun-Gi;Choe, Byeong-Deok
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.352-352
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2012
MOSFET의 크기는 작아지고 다양한 소자열화 현상으로 신뢰성 문제가 나타나고 있다. 특히 CMOS 인버터에서 PMOS가 'HIGH'일 때 음의 게이트 전압이 인가되고 소자 구동으로 인해 온도가 높아지면 드레인 전류의 절대값은 줄어들고 문턱 전압 절대값과 GIDL전류가 증가하는 NBTI현상이 발생한다. 본 연구에서는 NBTI현상에 따른 열화 특성을 분석하였다. 측정은 드레인과 소스는 접지시킨 상태에서 온도 $100^{\circ}C$에서 게이트에 -3.4V과 -4V의 게이트 스트레스를 인가한 후 게이트 전압에 따른 드레인 전류를 스트레스 시간에 따라 측정하였다. 측정에 사용된 소자의 산화막 두께는 25A, 채널 길이는 $0.17{\mu}m$, 폭은 $3{\mu}m$이다. 게이트에 음의 전압이 가해지면 게이트 산화막에 양전하의 interface trap이 생기게 된다. 이로 인해 채널 형성을 방해하고 문턱 전압은 높아지고 드레인 전류의 절대값은 낮아지게 된다. 또한 게이트와 드레인 사이의 에너지 밴드는 게이트 전압으로 인해 휘어지게 되면서 터널링이 더 쉽게 일어나 GIDL전류가 증가한다. NBTI스트레스 시간이 증가함에 따라 게이트 산화막에 생긴 양전하로 인해 문턱 전압은 1,000초 스트레스 후 스트레스 전압이 각각 -3.4V, -4V일 때 스트레스 전에 비해 각각 -0.12V, -0.14V정도 높아지고 드레인 전류의 절대값은 5%와 24% 감소한다. GIDL전류 역시 스트레스 후 게이트 전압이 0.5V일 때, 스트레스 전에 비해 각각 $0.021{\mu}A$, $67{\mu}A$씩 증가하였다. 결과적으로, NBTI스트레스가 인가됨에 따라 게이트 전압 0.5V에서 0V사이의 드레인 전류가 증가함으로 GIDL전류가 증가하고 문턱전압이 높아져 드레인 전류가 -1.5V에서 드레인 전류의 절대값이 줄어드는 것을 확인할 수 있다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.162-162
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2012
Sub 100 nm의 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) 소자를 구동하기 위해서는 2.0 nm 이하의 $SiO_2$ oxide에 해당하는 전기적 특성이 요구된다. 그러나 2.0 nm 이하의 $SiO_2$에서는 누설 전류가 너무 크기 때문에 이를 대체하기 위해서 유전 상수 (dielectric permittivity)가 높은 $HfO_2$ (${\varepsilon}=25$), $Al_2O_3$, $HfO_2/Al_2O_3$ laminate 등의 high-k dielectric 물질들이 연구되고 있다[1]. High-k dielectric 물질의 전기적 특성은 박막 조성, 두께 및 전극과의 계면에 생성되는 계면 층이나 불순물(Impurity) 거동에 크게 의존하므로 High-k dielectric/전극(Metal or Si) 구조에서 조성 및 불순물의 거동에 대한 정확한 평가가 주요 쟁점으로 부각되고 있다. 이를 평가하기 위해 일반적으로 $Ar^+$ ion에 의한 depth profiling 분석이 진행되나 Oxygen 원자의 선택적 식각에 기인된 분석 깊이 분해능(Depth Resolution) 왜곡으로 계면 층의 형성이나 불순물의 거동을 정확하게 평가할 수 없다. 이러한 예로는 $Ta_2O_5$ 및 $SrBi_2Ta_2O_9$와 같은 다 성분 계 산화막에 $Ar^+$ ion 주사 시 발생하는 선택적인 식각(Preferential Sputtering) 때문에 박막의 실제 조성 및 거동을 평가하는 것은 어렵다고 보고된 바 있다[2,3]. 본 연구에서는 $90{\AA}$인 적층 $Hf_xO_y/Al_xO_y/Hf_xO_y$ 구조에서의 불순물 거동 분석 능력 확보 상 주요 인자인 깊이 분해능 개선을 Secondary Ion Mass Spectroscopy(SIMS)의 primary ion 종, impact energy 및 주사 각도를 변화시켜 ~1 nm 수준까지 구현하였다. 이러한 분석 깊이 분해능의 개선은 Low Impact Energy, 입사 이온의 glancing angle 및 Cluster ion 적용에 의존하며 이들 요인의 효과에 대해 비교/고찰하고자 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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