적외선 소자로부터 생성되는 신호와의 비교에 의한 잡음 특성의 향상, 즉 좋은 영상을 얻기 위해서 적외선 영상신호 취득회로(ROIC)에서는 안정적인 기준 전압원이 필요하다. 본 논문은 극저온인 77K에서 동작하는 적외선 영상신호 취득회로(readout integrated circuit)를 위한 밴드갭 기준회로에 대해서 제안하고 있다. 기본에 발표된 대부분의 밴드갭 기준회로는 실온에서 동작하는 것이며, 액체질소 온도 77K에서 동작하는 적외선 영상 ROIC에는 적합하지 않다. 본 논문에서는 극저온에서 동작하는 밴드갭 기준회로 설계를 위하여, 온도변화에 따른 사용되는 소자들의 parameter에 대한 특성을 살펴본 후, 이러한 특성들을 고려하여 밴드갭 기준 회로를 제안하였으며 이것은 그 실용 가능성을 입증하고 있다.
다이아몬드상 탄소 박막(Diamond-like carbon, DLC) 박막은 낮은 마찰 계수, 높은 내마모성, 화학적 안정성, 적외선 영역에서의 높은 투과율 등의 장점을 바탕으로 MEMS (Micro-Electro Mechanical System) 소자와 MMAs (Moving Mechanical Assemblies)의 고체윤활코팅, 마그네틱 미디어와 하드디스크의 슬라이딩 표면 등 다양한 분야에 코팅소재로써 응용되어왔다 [1,2]. 현재 전기철도용 집전판은 마찰이 적고 전도성을 지니는 카본 소재로 구성되어 있다. 그러나 그 마모 비율이 너무 심하여 이를 개선할 수 있는 방안으로 고경도 저마찰력을 지니는 DLC 박막을 코팅 소재로써 제안하고자 한다. 그러나 기존에 DLC 박막은 절연특성이 매우 우수하기 때문에 기존에 전도성을 지니는 카본 집전판에 적용하기에는 어려움이 따른다. 따라서 DLC 박막 내에 실리콘(Si) 또는 금속(Metal)을 첨가시키거나, 금속 중간층을 포함시켜 전기적으로 전도특성을 향상시키는 방안이 제시되고 있으며, 본 연구에서는 DLC 박막과 유사하게 우수한 경도특성을 지니고, 낮은 마찰계수등을 지니는 비정질 탄소박막을 연구하여 카본 집전판에 코팅하고자하며, 특히 비정질 탄소박막에 금속 Ti를 도핑하여 집전판과의 접착력과 전기적 전도 특성을 향상시키고자 한다. Ti가 도핑된 탄소박막(TiC) 박막은 비대칭 마그네트론 스퍼터링(unbalanced magnetron sputtering; UBMS) 시스템을 이용하여 제작하였으며, 스퍼터링 조건 중 기판에 인가되어지는 기판온도에 따라 변화되어지는 TiC 박막의 트라이볼로지(Tribology) 특성을 고찰하고자 하였다. 증착시 기판온도의 증가는 TiC 박막의 경도, 마찰계수 특성등 트라이볼로지 특성을 향상시켰으며, 전기적 전도 특성을 향상시켰다. 이러한 결과는 스퍼터링 방법에 의해 증착되어진 TiC 박막내에 존재하는 sp2 결합과 관계가 있음을 확인할 수 있으며, 트라이 볼로지 특성은 TiC 박막내에 sp2 탄소결합의 비율 증가와 관련되어졌다. 특히 sp2 탄소결합은 TiC 박막 증착시 증가된 기판온도와 밀접한 관계가 있으며 기판온도의 증가에 따라 나노결정 클러스터의 크기와 수의 변화와 밀접한 관계가 있음을 확인하였다. 결국 기판온도는 TiC 박막의 트라이볼로지 특성을 향상시켰으며, 전기적 특성 또한 향상시켜 전기철도 집전판에 응용을 위한 소재로 평가할 수 있다.
본 연구에서는 소하천변 충적층을 대상으로 9개 지하수 관측공내 유속 실험과 온도 계측을 통한 시간별, 심도별 온도 변화 추이 평가 및 지화학 분석 등을 통하여 지표수와 지하수간의 상호 작용에 대하여 분석하였다. 하천변에 근접한 2개 지하수 관측공은 타 관측공과 달려 지하수 유향이 하천에서 주변 충적층으로 향하고 있으며, 계절에 따른 온도 변화가 대기 및 하천과 유사하게 나타난다. 또한 이들 지점은 하천수의 영향을 받은 지화학 특성을 보일 뿐 아니라 계절에 따라 지화학 특성이 변화하는 등 지표수의 유입 유출이 활발한 지점에 해당한다. 본 연구에서 사용된 온도 측정 장치인 Thermochron I-button은 저비용의 소규모 장치로서 지표수와 지하수의 상호 작용 평가에 활용도가 높다.
본 연구에서는 물체의 열전도 특성을 감지하여 임의의 대기온도에서도 열전도가 다른 몇가지 물체의 재질을 식별할 수 있는 센서에 대해 연구하였다. 임의의 대기온도에서 센서의 온도 값을 계산하기 위해 3차 Spline 보간식을 적용하여 계산된 센서의 온도에 따라 재질을 식별하는데, 실측된 온도와 비교하였을 경우 매우 잘 일치하였다. 열전도 특성을 이용한 물체의 재질인식용 능동센서를 설계하였으며 C 언어를 이용한 물체의 재질 식별 프로그램을 개발하였다. 동일한 대기 온도상에서의 재질별 온도응답특성을 조사하였으며 대기온도변화에 따른 재질별 온도응답특성을 조사하였으며, 대기온도 변화에 따라 3 비교점의 온도는 거의 직선적으로 변화하고 평행상태를 유지함을 알 수 있었다.
일당귀[Angelica acutiloba (Siebold & Zucc.) Kitagawa]는 산형과(Apiaceae), 당귀속(Angelica)에 속하는 다년생 식물로 일본이 원산지다. 국내에서는 참당귀(A. gigas)와 더불어 뿌리를 약용의 목적으로 재배하며, 잎과 줄기는 쌈채소로 이용하는 작물 중 하나이다. 본 연구의 목적은 일당귀에 대한 GA3 처리 및 온도에 따른 발아특성을 분석하여 약용 및 식용으로 활용도가 높은 일당귀의 재배 및 생산에 대한 기초자료로 사용함에 있다. 연구에 사용된 일당귀의 종자는 강원도 태백시에 위치하는 일당귀 재배농가에서 2021년 10월에 채종한 종자를 구입하여 실험에 사용하였고, 종자의 수분흡수율과 다온도 종자발아기를 활용하여 GA3농도 4조건(50 ppm, 100 ppm, 500 ppm, 1,000 ppm), 온도 6조건(5 ℃, 10 ℃, 15 ℃, 20 ℃, 25 ℃, 30 ℃)에 따른 발아특성을 조사하였다. 연구결과 일당귀 종자 100립의 초기 무게 0.264 g에서 증류수 침지 2시간이 경과 후 약 60 %의 무게가 증가한 0.424 g으로 증가하였고, 이후 5 %내외의 수분흡수율을 보이며 48시간 경과 후 약 120% 증가한 0.587 g을 나타냈으며, 이후 72시간 경과 후 0.582 g으로 측정되어 일당귀 종자의 수분포화도는 약 120%정도 내외로 사료된다. GA3농도 및 온도에 따른 발아율은 500 ppm의 GA3농도에서 가장 높은 75.63 %의 발아율을 나타냈으며, 15 ℃와 20 ℃의 온도에서 가장 높은 77.6 %의 발아율을 나타냈다. 하지만 각각의 GA3농도 및 온도에 따른 발아율은 500 ppm의 GA3농도, 10 ℃의 온도 처리구에서 가장 높은 89.9 %의 발아율을 나타냈으며, 5 ℃의 온도 처리구에서는 모든 GA3처리구에서 발아가 진행되지 않았다.
본 연구에서는 강도수준(30, 50 및 70 MPa)에 따른 고유동 자기충전 콘크리트의 수화발열 특성을 알아보기 위하여 2성분계 및 3성분계 고유동 자기충전 콘크리트를 제조하여 일반콘크리트와 수화열, 응결 및 역학적 특성을 분석 고찰 하였으며, 콘크리트에 사용된 분체에 대한 미소수화열량을 측정하여 얻은 분체의 열특성값, 간이단열온도실험을 실시하여 얻은 콘크리트의 열특성값 및 콘크리트에 사용된 재료의 일반적인 열특성값을 간편한 방법의 추정식을 이용하여 콘크리트 단열온도를 추정하였다. 또한, 온도해석에 의하여 얻어진 수화열 및 단열온도 특성값을 MIDAS CIVIL 06 프로그램을 이용하여 3차원 온도응력 해석을 실시하여 고유동 자기충전 콘크리트의 수화발열 특성 및 수화열에 의한 온도응력을 분석 고찰하였다.
기본조성이 0.5[Pb(Ni$_{1}$3/Nb$_{2}$3/)O$_{3}$]-0.5[0.65PbTiO$_{3}$ -0.35PbZrO$_{3}$] (PNN-PT-PZ)인 압전세라믹스를 NaCl-KCI를 사용한 flux의 양 및 소결온도에 따른 생성반응과 소결특성, 유전 및 압전특성을 조사하였다. 이때 1몰의 산화물에 대한 flux의 양은 0.1, 2 및 5mole로 하였으며 소결온도는 1000-1200.deg.C로 하였다. 본 연구의 flux법은 고상반응법에 비해 낮은 하소온도에서 pyrochlore상을 현저히 줄일수 있었으며 고상반응법보다 낮은 온도에서 치밀화가 이루어질뿐 아니라 유전 및 압전특성을 개선할 수 있었으며 소결온도도 낮출 수 있었다. Flux의 양이 증가할수록 결정의 입성장이 빨랐으며 유전 및 압전특성이 가장 좋은 flux의 첨가량의 조건은 1mole이었다.
단층 금속 Al, Au 게이트 MESFET를 제작하여 열처리에 따른 쇼트키 계면에서의 상호확산 상태와 그에 따른 쇼트키 접촉특성 및 MESFET의 전기적 특성을 조사하였다. Al 및 Au 쇼트키 계면의 상호확산은 as-deposited 상태에서도 나타났으며 열처리 온도가 증가함에 따라 상호확산의 정도는 Au 접촉이 Al 접촉보다 컸다. 특히 Au 접촉에서 Ga의 외부확산이 현저했다 .Al 및 Au 게이트에 있어서 공통적으로 열처리 온도 증가에 따라 포화드레인 전류와 핀치오프 전압은 감소하였고 개방채널 저항은 증가하였으며 변화폭은 Au 게이트가 Al 게이트보다 컸다. Al 및 Au 접촉의 장벽높이는 as-deposited 상태에서 각각 0.70eV, 0.73eV로 페르미 준위는 1/2Eg 근처에 피닝되었다. Al 및 Au 접촉에 있어서 열처리 온도 증가에 따라 장벽높이는 각각 증가, 감소하였으며 이상계수는 각각 감소, 증가하였다. Al 접촉의 경우 열처리를 행함으로서 쇼트키 접촉특성이 개선됨을 확인할 수 있었다.
Flexible display의 발전에 따라 점차 고온 공정에서 plastic 기판에 영향을 주지 않는 저온 공정으로 변화해 가고 있다. 이러한 발전에 따라 공정온도에 따른 SiNx의 특성 분석을 위해 우선 150C~300C에서 SiNx의 박막을 증착하였다. gas ratio (SiH4:NH3=4:60)와 Power (50W), 공정시간(25min)을 고정하고 온도만을 가변하여 박막의 특성을 분석하였다. 이후에 150C로 온도를 고정 후 gas ratio를 가변하고 Power (40W)와 온도(150C)는 고정 후 실험을 진행하여, 150C에서 최적화된 gas ratio를 알아내도록 하였다. 위의 실험은 p-type 실리콘 웨이퍼 위에 SiNx 박막 증착 후 굴절률과 증착률을 측정하였고, Al 전극을 증착하여 MIS구조를 구현하여, gate voltage에 따른 capacitance를 측정하였다. 이번 논문에서는 SiNx의 Substrate temperature와 gas ratio의 변화에 따른 다양한 특성을 확인하고 이를 체계적으로 분석하였다.
태양광 모듈의 효율 증가를 위한 고효율태양전지개발, 광투과율향상, 모듈의 대형화 등 많은 연구개발이 이루어지고 있다. 이중 우리는 태양광 모듈의 후면 sheet인 Back sheet의 특성 및 온도 변화에 따른 모듈의 전기적 출력 특성 변화에 대한 연구를 실시하였다. Back sheet의 두께, 재질, 색상 등 종류는 다양하다. 여기서는 백시트의 색상을 중점으로 White, Blue, Black 3가지와 Glass까지 총 4가지 종류를 가지고 반사율을 측정하고, 모듈화 했을 때 출력을 비교하였다. 그리고 온도별로 효율값을 측정하여 백시트의 색상 종류에 따라서 어떠한 차이가 있는지 비교하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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