• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.275-278
• /
• 2000

We were fabricated of NiCr thin film resistors(TFR) on A1$_2$O$_3$(99.5%) substrates by dc magnetic sputtering system. The characteristics of electrical resistance (Sheet resistance & Temperature-Coefficient of the resistance-value:TCR) by annealing condition and reactive gas on the resistors were studied.

• 센서학회지
• /
• 제5권5호
• /
• pp.31-37
• /
• 1996

본 연구에서는 LPCVD(저압화학기상증착)로 형성된 폴리실리콘의 전단 압저항 효과를 이론적으로 분석하고, 전단 압저항체를 응용한 압력센서를 설계 제작하여 그 특성을 연구하였다. 제작된 센서는 $1kgf/cm^{2}$의 압력과 $-20{\sim}+125^{\circ}C$의 온도범위에서 3.1mV/V의 압력감도, ${\pm}0.012%FS/^{\circ}C$의 오프셀온도계수(TCO), ${\pm}0.08%FS/^{\circ}C$의 감도온도계수(TCS)를 나타내었다. 또한, 같은 온도범위에서 ${\pm}0.2%FS$의 히스테리시스, ${\pm}1.5%FS$의 비직선성 변화를 보였다. 전단형 압력센서는 브리지형과는 달리 하나의 저항체로 이루어져 있어 브리지의 각 저항값 불일치로 인한 특성의 오차를 줄일 수 있고, 절연층 위에 폴리실리콘이 형성되어 있으므로 온도범위를 확장할 수 있는 장점을 가진다.

• 센서학회지
• /
• 제9권3호
• /
• pp.171-176
• /
• 2000

반응성 스퍼터링과 고주파 마그네트론 스퍼터링으로 각각 증착된 MgO 박막과 그 위에 증착된 백금박막의 열처리 온도 및 시간에 따른 물리적, 전기적 특성을 4침 탐침기, 주사전자현미경 및 X선 회절법을 이용하여 분석하였다. $1000^{\circ}C$, 2시간의 열처리 조건하에서 MgO 박막은 백금박막과 화학적 반응없이 백금박막의 열산화막에 대한 부착특성을 개선시켰으며, 그 위에 증착된 백금박막의 면저항 및 비저항은 각각 $0.1288\;{\Omega}/{\square}$, $12.88\;{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$이었다. Lift-off 방법을 이용하여 $SiO_2$/Si기판상에 백금 저항체를 만들었으며, 백금 와이어, 백금 페이스트 그리고 SOG를 이용하여 마이크로 열 센서용 박막형 Pt-RTD를 제작하였다. $25{\sim}400^{\circ}C$의 온도범위에서 $1.0{\mu}m$의 두께를 갖는 제작된 Pt-RTD의 저항온도계수는 벌크 백금에 가까운 $3927ppm/^{\circ}C$로 측정되었다. 측정온도범위내에서 저항값은 선형적인 변화를 보였다.

• 한국건설순환자원학회논문집
• /
• 제7권1호
• /
• pp.82-91
• /
• 2019

본 연구에서는 실 대형 지하구조물의 매스 콘크리트의 수화 발열 특성 및 균열 저항성을 평가하기 위하여 실 구조물 내부의 온도이력 및 열 특성을 고려한 해석을 실시하였다. 해석 결과는 실측값과 비교를 통하여 해석의 신뢰성을 검증하였으며, 균열에 대한 저항성을 평가하였다. 실 구조물의 온도 측정 결과, 슬래브의 단열 온도 상승 계수 K 및 ${\alpha}$은 $35.1^{\circ}C$와 0.72이었으며, 벽체는 $29.3^{\circ}C$와 0.67로 분석되었다. 분석된 단열온도상승계수 및 현장조건을 적용한 수화열 해석 결과 실측값과 상관계수(r)는 각각 0.95 및 0.98로 나타났다. 슬래브 및 벽체의 균열 저항성을 평가한 결과 슬래브 및 벽체의 최소 균열지수는 각각 1.22 및 1.20으로 나타나 현장 관리기준을 만족하는 것으로 나타났다.

• 대한기계학회논문집A
• /
• 제38권10호
• /
• pp.1049-1056
• /
• 2014

전자 부품을 이루고 있는 재료들은 여러 다른 열팽창계수를 가지고 있다. 새롭게 개발된 재료나 적용하려는 온도범위가 다른 경우에는 실제 제품을 구성하고 있는 그 재료 자체의 열팽창계수를 측정할 필요가 있으며 이에 대한 신뢰성 있는 측정방법이 필요하다. 재료의 온도가 변화하면, 그에 부착된 스트레인 게이지 저항체의 출력은 기계적인 하중뿐 아니라 온도변화에 의해서도 복합적으로 발생한다. 본 논문에서는 이러한 스트레인 게이지의 특성을 이용하여 온도가 증가함에 따라 변하는 변형률을 측정하고 이로부터 재료의 열팽창계수를 구하는 방법을 실험적으로 제시하였다. 실험의 신뢰성을 검증하기 위해서 일반적으로 열팽창계수가 잘 알려진 탄소강, 알루미늄 및 구리시편을 사용해서 열팽창계수를 측정하고 그 결과를 비교하여 열팽창계수 측정방법의 신뢰성을 평가하였다. 또한 이 방법을 전자 패키지를 구성하고 있는 새로운 전자재료에 적용하여 무섬유 패키지 기판의 온도에 따른 열팽창계수를 측정하였다.

• 센서학회지
• /
• 제7권1호
• /
• pp.45-50
• /
• 1998

마그네트론 코스퍼터링법으로 측온저항체 온도센서용 Pt-Co 합금박막을 $Al_{2}O_{3}$ 기판위에 증착시켰다. Lift-off 방법을 이용하여 $Al_{2}O_{3}$ 기판위에 Pt-Co 합금박막 저항체를 만들었으며, 인가전력, 진공도, 열처리 온도 및 신간에 따른 합금박막의 물리적, 전기적 특성을 조사하였다. 열처리 온도, 시간이 증가할수록 박막의 비저항 및 면저항이 감소하였다. 인가전력 Pt : $4.4 W/cm^{2}$, Co : $6.91\;W/cm^{2}$, 진공도 10 mTorr, $800^{\circ}C$, 60분간 열처리를 행한 Pt-Co 합금박막의 비저항 및 면저항은 각각 $15{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$, $0.5{\Omega}/{\square}$이었다. 그리고 $25{\sim}600^{\circ}C$의 온도범위에서 $3000{\AA}$ 두께를 가지는 Pt-Co 합금박막의 저항온도계수는 $3740ppm/^{\circ}C$로 측정되었다. 이러한 결과로 Pt-Co 합금 박막은 측온저항체 온도센서로서의 가능성을 확인하였다.

• 대한토목학회논문집
• /
• 제26권2D호
• /
• pp.285-292
• /
• 2006

본 연구에서는 국내에서 개발된 Full-Scale 포장가속시험기(HAPT; Hanyang Accelerated Pavement Tester)를 소개하고, 이 시험의 시험운영과 함께 개질아스팔트 혼합물과 일반 밀입도 아스팔트 혼합물의 소성변형 저항성 비교 연구를 수행하였다. 포장가속시험은 일반 밀입도와 3종의 개질아스팔트 각각에 대해 3가지 온도조건(25-30, 40, $50^{\circ}C$)에서 소성변형 저항성을 평가하였으며, 이 평가 결과들은 DSR실험등 바인더의 실내실험 결과들과도 비교하였다. 포장가속시험을 통한 소성변형 발생량을 분석한 결과, 시험 대상이 된 모든 개질아스팔트 구간에서 일반 밀입도에 비해 소성변형 저항성이 큰 것으로 나타났다. 특히 고온조건에서는 그 차이가 매우 크게 나타났다. 일반 밀입도 아스팔트포장을 대상으로 포장온도 증가에 따른 소성변형 저항성을 분석한 결과 온도가 어느 이상 되면 소성변형 저항성이 급격히 떨어짐을 알 수 있었다. 또한 소성변형에 관련한 중요한 인자로 제시되는 $G^*/sin{\delta}$는 소성변형 저항성을 잘 나타내고 있는 것으로 나타났다. 반면에 회복탄성계수는 소성변형 저항성을 나타내는 인자로 바람직하지 않음도 확인하였다.

• 한국재료학회지
• /
• 제6권2호
• /
• pp.204-209
• /
• 1996

각종 전자부품에 이용되는 백금막의 밀착력과 응집화 현상에 대해 연구하였다. 온도저항계수(TCR)의 열화 없이 밀착력을 향상 시키기 위해서 AI, Si의 산화물을 adhesion promoting layer로 이용한 결과 매우 우수한 밀착력과 TCR을 보였다. 질소분위기 600-90$0^{\circ}C$의 온도범위에서 행한 열처리를 통해 응집화현상을 관찰한 결과 응집화는 기판거칠기에 따라 다른 양상을 보였다. Si3N4등의 기판거칠기가 작은 adhesion promoting layer를 이용한 시편의 경우 고온인 90$0^{\circ}C$에서 응집화 현상이 발생되었다. 표면거칠기가 큰 AI-Si 산화물을 adhesion promoting layer로 이용한 시편의 경우 비교적 저온인 $600^{\circ}C$에서 응집화 현상이 발생했으며 80$0^{\circ}C$이상의 열처리의 경우 중앙응집체와 응집체고갈지역이 형성되는 현상을 나타내었다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
• /
• 한국반도체및디스플레이장비학회 2005년도 추계 학술대회
• /
• pp.133-136
• /
• 2005

스퍼터링 공정으로 Al이 $2\%$ 함유된 ZnO 박막을 PET에 증착하여 김서림 제거용 투명발열체를 제작하였다. 증착된 투명발열체는 $5\;{\times}\;10^{-3}{\Omega}\;cm$ 의 비저항과 $80\%$ 이상의 가시광 투과도를 나타내었고, 조도는 12.5nm로 양호하였다. 투명발열체의 비저항, 가시광 투과도, 그리고 조도는 각각 Hall 계수 측정장비, IR-VIS-UV spectrophotometer, 그리고 AFM을 이용하여 측정하였다. 증착된 투명발열체에 12V의 전압을 인가하였을 때, 표면의 온도는 평균적으로 1분에 약 $10^{\circ}C$ 증가하였다.

• 전자공학회논문지C
• /
• 제35C권9호
• /
• pp.49-56
• /
• 1998

본 논문에서는 온도에 의존하지 않는 전압 감시회로에서 바이어스 회로에 대한 설계 방법을 제안한다. 제안한 방법을 실현하기 위하여 비교기를 구성하는 트랜지스터의 순방향 전압과 V/sub T/(Thermal Voltage) 그리고 저항 등의 서로 다른 온도계수 차이를 이용한다. 즉, 전압 감시회로에서 각각 다른 온도계수를 갖는 소자를 이용하여 서로 상쇄되도록 바이어스회로를 실현한다. 그리고 전압 감시회로의 기준전압은 비교기를 구성하는 트랜지스터의 순방향 전압 차(△V/sub BE/)를 이용하여 구현한다. 이 기준전압과 저항 및 V/sub BE/ 멀티플라이어를 이용하여 전압 감시회로의 검출전압을 설계한다. 제안한 회로의 동작검증을 위해 IC로 제작하였다. HP4145B와 온도 Chamber를 이용하여 특성을 평가한 결과, 온도변화율이 -0.01 %/℃ ∼ -0.025 %/℃의 양호한 특성을 얻었다.