This study has lowered the specific resistance by coating a thin film layer of Ag, playing the role of the electron donor on the ZnO that is used usefully for the transparent conductive oxides. Presently, this study has examined the transmittance and electric characteristics according to the thickness of the Ag thin film layer. Also, this study has observed the transmittance and electric characteristics according to the uppermost ZnO thin film layer of ZnO/Ag/ZnO symmetric film and has conducted the theoretical investigation. In order to observe the transmittance and electric characteristics according to the thickness of the Ag thin film layer and the uppermost ZnO thin film layer, this study conducted the film deposition at room temperature while making use of the DC magnetron sputtering system. In order to see the changes in the thickness of the Ag thin film layer, this study coated a thin film while increasing by 4nm; and, in order to see the changes in the thickness of uppermost ZnO thin film layer, it performed the thin film coating by increasing by 5nm. From the experimental result, the researchers observed that the best transmittance could be obtained when the thickness of the Ag thin film layer was 8nm, but the resistance and mobility increased as the thickness got larger. On the other hand, when the thickness of the uppermost ZnO thin film layer was 20nm, the experiment yielded the best transmittance with excellent electric characteristics. Also, when compared the ZnO/Ag asymmetric film with the ZnO/Ag/ZnO symmetric film, the ZnO/Ag asymmetric film showed better transmittance and electric characteristics.
본 연구는 우사의 향방에 의한 사육장 바닥면의 조건이 육우의 생산성에 미치는 영향을 구명할 목적으로 체중 570kg 내외의 거세한우 16두를 남, 북향 톱밥 자리깃 사육장에 각 8두씩 임의배치하고, 16주일간 사양시험을 실시한 후 증체율, 사료효율 및 도축성적을 분석하였던 바 그 결과는 다음과 같다. 투광성이 양호한 남향 사육장의 바닥면은 시험기간 중 표면의 건조 상태가 좋았으나 햇볕의 효과가 적은 북향 사육장은 결빙기 이전까지 다습하고 불규칙한 표면 상태를 나타내다가 결빙기에는 표면이 심하게 돌출 된 상태로 결빙되어 비육우의 휴식과 거동에 지장을 주었다. 남향 사육장과 북향 사육장에 수용된 거세우의 두당 일 평균 사료섭취량은 각각 10.39kg 및 10.32kg으로서 유의차가 없었으나 일당증체량은 각각 0.75kg과 0.64kg으로 나타나 표면 상태가 불량한 북향사육장이 14.3% 적었으며(p<0.05), 사료요구율은 각각 13.91 및 16.12로서 15.9%가 증가하였다(p<0.05). 또한 증체당 TDN 섭취량(TDN/gain)은 각각 11.47 및 13.25로 나타나 사료이용효율은 15.5%가량 저하되었다. 한편, 남쪽과 북쪽 사육장에서 사육된 거세우간의 출하체중, 도체중량, 도체율, 육량등급 및 육질의 통계적 차이는 나타나지 않았다. 결론적으로, 사육장의 위치로 인하여 바닥표면의 상태가 불량한 조건의 깔짚 축적식 우사에서 비육말기 거세우를 사육할 경우, 활동에너지 소비량의 증가와 휴식 시 접촉면을 통한 전도열의 손실요인이 발생하여 증체율 및 사료효율이 크게 저하될 수 있다는 점이 본 연구를 통해 밝혀졌다. 이러한 결과는 육우사육에서 축사의 방향 및 지붕자재 선정의 중요성을 시사한다.
SiC는 큰 에너지 밴드 갭을 갖고, 불순물 도핑에 의해 p형 및 n형 전도의 제어가 용이해서 고온용 전자부품 소재로 활용이 가능한 재료이다. 특히 $N_2$ 분위기, $2000^{\circ}C$에서 ${\beta}-SiC$ 분말로부터 제조한 다공질 n형 SiC 반도체의 경우, $800{\sim}1000^{\circ}C$에서의 도전율 값이 단결정 SiC와 비교해서 비슷하거나 오히려 높은 값을 나타내었으며, 반면에 열전도율은 치밀한 SiC 세라믹스와 비교시 1/10~1/30 정도로 낮은 값을 나타내었다. 본 연구에서는 소결온도를 낮추기 위해 n형 ${\beta}-SiC$에 함침 시킨 polycarbosilane (PCS)의 열분해에 의한 반응소결 공정 ($1400{\sim}1600^{\circ}C$)으로 다공질 소결체를 제작하였다. 함침 및 소결공정($N_2$ 분위기, $1600^{\circ}C$, 3시간)을 반복함에 따라 상대밀도는 크게 증가하지 않았지만 Seebeck 계수 및 도전율은 크게 증가하였다. 본 연구에서의 열전변환 효율을 반영하는 power factor는 고온에서 상압소결 공정으로 제작한 다공질 SiC 반도체에 비해 1/100~1/10 정도 작게 나타났지만, 미세구조 및 캐리어 밀도를 정밀하게 제어하면, 본 연구에서의 반응소결 공정으로 제작한 SiC 반도체의 열전물성은 크게 향상될 것으로 판단된다.
육각형 구조를 지닌 2차원의 물질인 그래핀은 우수한 전도도와 투과율로 투명전극의 신소재로 각광 받고 있다. 특히, 그래핀은 현재 투명전극으로 가장 많이 사용되고 있는 Indium Tin Oxide(ITO)로는 구현하기 힘든 Flexible display의 어플리케이션으로 사용하기 위한 목적으로 많은 기술 개발이 이루어지고 있다. 이러한 그래핀의 응용은 가장 먼저 그래핀의 생산이 안정적이고 원활히 이루어질 때 실질적으로 가능할 것이다. 하지만, 탄소로 이루어진 그래핀의 성장은 제한된 기판 위에서만 가능하기 때문에 성장이 이루어진 그래핀을 다른 기판에 전사시켜야하는 문제점이 있다. 그래핀 전사방법에는 직접전사, PMMA 전사, TRT 전사, 금속전사, 망전사, PDMS 전사 등 다양한 방법이 있다. 이 중에서 현재 가장 많이 사용되고 있는 전사방법으로는 직접전사, PMMA 전사, TRT 전사 방법이 있다. 직접전사의 경우 니켈위에 성장된 다층의 그래핀을 전사시킬 때 많이 사용되는 방법으로 니켈 에천트에 전사 시킬 그래핀을 띄워 니켈을 녹인 후 원하는 기판을 이용하여 전사하는 간단한 방법이다. 직접전사는 전사가 이루어진 후 그래핀에 남는 결함이 거의 존재 하지 않는 장점이 있지만 문제점은 단일층의 그래핀의 경우 니켈 에천트위에서 잘 보이지 않을 뿐 아니라 에천트에서 기판으로 전사할 때 너무 얇은 막으로 인해 다 찢어져버린다는 것이다. 이를 해결하기 위해 사용되는 전사 방법으로 TRT를 이용하여 구리위에 성장된 그래핀을 상온 시에는 점성을 가진 테이프를 이용해 부치고 구리에 천트에 구리를 녹인 후 원하는 기판위에 놓고 열을 가해 그래핀을 전사하는 방법이 있다. TRT 전사방법은 얇은 막의 그래핀을 찢어지지 않도록 지지해주어 대면적 기판위에도 전사 할 수 있는 장점이 있지만 전사 후 그래핀에 남아 있는 잔여물들이 많고(그림 1. (b)), 테이프를 이용한다는 점에서 그래핀의 얇은 막이 손상될 수 있는 단점이 있다. 그렇기 때문에 본 연구에서는 직접전사와 TRT전사의 문제점들인 전사 후 잔여물와 그래핀 단일층의 손상을 최소화할 수 있는 방법으로 PMMA전사를 가장 적합한 전사방법이라는 것을 라만 분석, 면 저항측정, 그래핀을 이용한 LED제작을 통해서 살펴 보았다. 먼저 라만 분석을 이용해 TRT전사 후 상당히 많은 빈 공간이 생김을 확인할 수 있었으며, 결과적으로 면 저항이 약 $1.5k{\Omega}$~$3M{\Omega}$까지 PMMA의 약 0.9~1.2 $k{\Omega}$와 비교했을 때 큰 차이가 있음을 확인할 수 있었다. 또한, 이후 각각의 전사방법으로 얻은 그래핀을 LED의 스프레딩 층으로 제작한 결과에서도 TRT전사방법보다 PMMA전사방법의 결과가 좋음을 알 수 있었다(그림 2).
$SiO_{2}$초박막(ultrathin film)의 두께 조절 용이성, 두께 균일성, 공정 재현성 및 전기적 특성을 향상시키기 위해 실리콘을 $N_{2}O$분위기에서 열산화시켰다. $N_2O$분위기에서 박막 성장시 산화와 동시에 질화가 이루어지기 때문에 전기적 특성의 향상을 가져올 수 있었다. 질화 현상에 의해 형성된 Si-N결합 형성은 습식 식각율과 ESCA분석으로 확인할 수 있었다. $N_2O$분위기에서 성장된 $SiO_{2}$박막은 Fowler-Nordheim(FN)전도 기구를 보여주었으며, 절열파괴 특성과 누설 전류특성 및 산화막의 신뢰성은 건식 산화막에 비해서 우수하였다. 또한 계면 포획밀도는 건식 산화막에 비해 감소하였고, 전하를 주입했을 때 생성되는 계면 준위의 양 또는 크게 감소하였다. 산화막 내부에서의 전하 포획의 양도 감소하였고, 전하를 주입하였을 때 생성되는 전하 포획의 양도 감소하였다. 이와 같은 전기적인 특성의 향상은 산화막 내부에서 약하게 결합하고 있는 Si-O 결합들이 Si-N결합으로의 치환과 스트레스 이완에 의하여 감소하였기 때문이다.
본 실험실에서 연구되어진 poly(vinyl alcohol)(PVA)/poly(styrene sulfonic acid-co-maleic acid) (PSSA-MA) 이온교환막에 메탄올 투과도 감소를 위하여 실리카기를 함유하고 또한 프로톤 도너 역할을 할 수 있는 3-(trihydroxysilyl)-1-propanesulfonic acid(THS-PSA)를 도입하여 가교된 PVA/PSSA-MA/THS-PSA 막을 제조하였다. 제조된 막의 내구성 향상을 위하여 500 ppm $F_2$ 기체를 이용하여 시간에 따라 직접불소화를 실시하였으며, 불소기의 도입에 따른 막의 물리화학적 변화를 관찰하기 위하여 접촉각 특정, 열 중량분석 및 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)를 통해 확인하였다. 표면불소화된 PVA/PSSA-MA/THS-PSA막의 전기화학적 특성을 평가하기 위하여 함수율, 이온교환용량, 이온전도도, 메탄올 투과도 측정을 실시하여 상용화된 Nafion 115와 비교하였다. 불소화 시간이 증가함에 따라 도입된 불소의 함량은 최고 4.3%의 함량과 50 nm의 침투 깊이를 나타내었다. 불소화 시간이 60분 경과했을 때 이온전도도는 0.036 S/cm으로 Nafion 115의 0.024보다 향상되었으며, 메탄올 투과도는 $9.26E-08cm^2/s$으로 Nafion의 1.17E-06보다 감소되었음을 확인하였다. 또한 MEA를 제작하여 전류밀도에 따른 셀 전압을 측정하였다.
본 연구에서는 열가공공정을 거쳐 제조된 Cu-Fe-Xi(Xi=Ag, Cr 또는 Co) 미세복합재료의 미세구조와 기계적 특성 및 전기적 특성에 대하여 조사하였다. 냉각가공 중에 수지상정들은 인발 방향에 평행하게 배열되고 필라멘트 형태로 연산되었다. Ag를 첨가한 미세복합재료가 같은 가공율에서 Co나 Cr를 첨가하는 미세복합재료보다 미세조직이 더욱 미세하게 관찰되었다. 제3첨가원소로 Ag를 함유하고 있는 Cu-Fe-Ag 미세복합재료의 강도와 전도도는 Co나 Cr를 첨가하는 미세복합재료보다 높게 나타났다. Cu-Fe-Ag 미세복합재료의 우수한 기계적 성질과 전기적 특성은 Ag가 함유되어 있는 경우 필라멘트의 미세성과 균일성이 높게 관찰되는 것과 관련이 있다. Cu-Fe-Xi 미세복합재료의 강도는 Fe 필라멘트의 간격을 고려한 Hall-Petch 형태의 식과 일치한다. Cu-Fe-Xi 미세복합재료의 파괴는 연성파괴가 관찰되었다.
Ni-YSZ(Yttria Stabilized Zirconia) composite powders를 glycine nitrate process으로 만들었다. 합성된 분말은 $1300{\sim}1400^{\circ}C$ 4시간 동안 소성하였으며 $1000^{\circ}C$에서 2시간 동안 질소 및 수소 분위기에서 환원 소성하여 Ni-YSZ cermet을 제조하였다. Ni의 부피비를 변화 시켜 각기 그들의 미세구조, 전기전도도, 열팽창 및 강도 특성을 알아보았다. Ni과 YSZ 상 사이에 상호 연결된 균질하게 분포된 다공성 미세구조를 얻을 수 있었다. 기공률, 전기전도도, 열팽창계수 및 곡강도 모두 Ni의 양에 민감하게 영향 받는 것을 알 수 있으며 40 vol%의 Ni를 함유한 Ni-YSZ cermet가 전극재료로 가장 적당하였다. $1350^{\circ}C$에서 소성한 40 vol% Ni-YSZ 시편의 경우 30 %의 기공율, 65.5 Mpa의 강도, 917.4 S/cm의 전기 전도도($1000^{\circ}C$)및 $12.6{\times}10^{-6}^{\circ}C^{-1}$의 열팽창계수($1000^{\circ}C$)를 가져 YSZ 전해질의 음극재료로 가장 적합하였다.
본 연구는Isoniazid의 hydrazone으로부터 유도된 새로운 리간드를 갖는 몇 가지 새로운 니켈(II) 착물의 합성에 대해 보고한다. 착물의 조성은 [$Ni(L)_2X_2$] 또는 $[Ni(L)_3](ClO_4)_2$ {L = N-isonicotinamidofurfuraldimine(INH-FFL), N-isonicotinamido-3',4',5'-trimethoxybenzaldimine (INH-TMB) 또는 N-isonicotinamido-cinnamalidene (INH-CIN) 및 X=$Cl^-$, ${NO_3}^-$, $NCS^-$ 또는 $CH_3COO^-$} 이다. 리간드 hydrazone 은 카보닐 산소와 아조메틴 질소를 통해서 중성의 두 자리 (N및 O주개) 리간드로 작용한다. 육면체 구조를 갖는 새로운 착물들은 원소분석, 분자질량분석, 자화율, 열분석과 적외선 및 전기적 스펙트럼을 이용한 전기화학 및 분광학적 연구를 통해 규명하였다. 니트로벤젠($PhNO_2$) 에서의 전기 전도성 측정에 의하면 [$Ni(L)_2X_2$] 및 $[Ni(L)_3](ClO_4)_2$ 착물들은 각각 비전해질 및 1:2전해질임을 알았다. 착물의 기하구조를 알기 위한 열적특성도 역시 연구되었다. 니켈(II) 착물 및 약간의 표준 약품의 항균성 및 항진균성 또한 연구되었고, 이를 통해 착물이 적당한 향균성 활동을 하는 것을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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