• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.2
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• pp.144-149
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• 2000

Variables affecting the passivation capability of Cu(Mg) alloy films, which were sputter deposited from a Cu (4.5 at. %) target, have been investigated. The results show that the passivation capability of a Cu(Mg) alloy film is a function of annealing temperature, $O_2$ pressure, and Mg content in the film. Increasing the annealing temperature up to $500^{\circ}C$ favors formation of a dense MgO layer on the surface which has a growth limited thickness of 150 $\AA$. Decreasing the $O_2$ pressure enhances the preferential oxidation of Mg over Cu. Furthermore, increasing the Mg content in the Cu(Mg) film promotes formation of a dense MgO layer. Vacuum pre-annealing was found to be very effective in segregating Mg to the surface, facilitating the passivation capability of the Cu(Mg) alloy film even when the Mg content is low. In the current study, self-aligned MgO layers with low resistivity and an effective passivation capability over the Cu surface, have been obtained by manipulating these factors when Cu(Mg) thin films are annealed.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.6 no.2
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• pp.81-86
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• 1997

Platinum thin films were deposited on $SiO_{2}/Si$ and $Al_{2}O_{3}$ substrates by DC magnetron sputtering for RTD (resistance thermometer devices) temperature sensors. The resistivity and sheet resistivity of these films were decreased with increasing the annealing temperature and time. We made Pt resistance pattern on $Al_{2}O_{3}$ substrate by lift-off method and fabricated Pt-RTD temperature sensors by using W-wire, silver epoxy and SOG(spin-on-glass). In the temperature range of $25{\sim}400^{\circ}C$, we investigated TCR(temperature coefficient of resistance) and resistance ratio of Pt-RTD temperature sensors. TCR values were increased with increasing the annealing temperature, time and the thickness of Pt thin films. Resistance values were varied linearly within the range of measurement temperature. At annealing temperature of $1000^{\circ}C$, time of 240min and thin film thickness of $1{\mu}m$, we obtained TCR value of $3825ppm/^{\circ}C$ close to the Pt bulk value.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.30 no.1
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• pp.12-16
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• 2020

Indium tin oxide (ITO) films were prepared onto transparent polyimide (PI) substrates by RF magnetron sputtering at room temperature. The deposited ITO films were heat-treated at various temperatures (50, 100, 150, and 200℃). The effect of post heat-treatment temperature on structural, electrical and optical properties of ITO films were investigated. It was found that the as-deposited ITO films were amorphous and the degree of crystallinity and the grain size increased with an increasing heat-treatment temperature, which led to the increase in carrier concentration and mobility. The electrical resistivity of as-deposited ITO films was 2.73 × 10^-3 Ω·cm. With the heat-treatment temperature increasing from 50 to 200℃, the electrical resistivity decreased from 2.93 × 10^-3 to 1.21 × 10^-4 Ω·cm. The average transmittance (400~800 nm) of the ITO deposited PI substrates was decreasing with post heat-treatment temperature and was above 81 % for the temperatures 50~150℃ and decreased considerably to 78 % at 200℃.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.36 no.3
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• pp.231-236
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• 1999

냉각속도가 재열처리가 AFD 방법에 의해 제작된 76SiO2-14B2O3-6Na2O-4Al2O3 유리박막의 광학적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 유리박막의 열팽창계수는 30$0^{\circ}C$부터 전이온도 사이에서 약 5$\times$10-6/$^{\circ}C$이었으며, 전이온도는 62$0^{\circ}C$였다. 유리박막을 전이온도 이하에서 열처리할 경우 열처리 시간이 증가함에 따라 굴절률은 증가하였으며, 열처리 온도가 증가함에 따라 굴절률의 증가속도는 더 컸다. 열처리온도에 따른 유리박막의 복굴절(TE-TM)감소는 굴절률이 가장 크게 증가하는 온도인 $600^{\circ}C$에서 가장 효과적이다. 한편, 냉각속도가 증가함에 따라 유리박막의 두께는 증가하였으며, 굴절류른 감소하였다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1996.11b
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• pp.527-532
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• 1996

Fe-Cr-Mn계 스테인리스강을 진공 용해하여 최적 소둔 조건인 1,20$0^{\circ}C$에서 30분동안 소둔 열처리한 후 미세 조직, 기계적 특성 및 부식 특성에 미치는 시효 열처리의 영향에 대하여 실험하였다. 미세 조직 분석은 광학 현미경 관찰, XRD분석, SEM분석, TEM분석 등으로 행하였고, 기계적 시험은 인장 시험, 충격 시험, 경도 시험을 행하였다. 부식 저항성을 평가하기 위해 황산, 염산분위기에서 양극 분극 시험을 행하였다. 시효 열처리에 따른 미세 조직간의 상분율 변화는 거의 없었지만 입계를 중심으로 제2상이 석출되었고, 그 양은 시효 시간이 증가함에 따라 증가하였다. 인장 강도 및 연신율은 낮은 시효 온도에서는 시효 온도와 시효 시간에 따라 큰 차이를 보이지 않았지만 고온으로 갈수록 시효 시간이 증가함에 따라 다소 감소하는 경향이 나타났다. 충격에너지는 1시간 시효시에는 시효 온도에 따라 큰 변화를 보이지 않았지만 10시간, 100시간 시효한 경우 시효 온도가 상승함에 따라 감소하였다. 이러한 경향은 고온에서 시효한 경우 입계성장이 가속화되어 나타난 것으로 판단된다. 시효 시간이 증가함에 따라 부식 환경에 관계없이 부식 저항성이 감소하였다. 85$0^{\circ}C$에서 시효한 경우 가장 우수한 내식성을 보였고, $650^{\circ}C$에서 낮은 내식성을 나타냈는데 이는 이 온도 구간에서 탄화물 등의 제2상의 석출에 의한 것으로 판단된다.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• v.33 no.4 s.132
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• pp.30-37
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• 2005

Heating and Steaming treatments were carried for deresinning and color change of radiata pine juvenile wood. The boards of 20 mm and 30 mm thicknesses were heat-treated at $150^{\circ}C$ and $220^{\circ}C$ for 2, 4 and 6 hours and steamed at $100^{\circ}C$ for 6, 24 and 48 hours. For extracting residual resin in treated boards and measuring wood surface color, alcohol-benzene solution and a portable colorimeter were used, respectively. The board of 20 mm thickness were deresined effectively by heating at over $150^{\circ}C$ for 2 hours or steaming for 6 hours while that of 30 mm thickness by steaming for 48 hours. For the board of 30 mm thickness treatment time was more influencing on deresinning than treatment temperature. The steamed boards showed higher $L^*$ than the heat-treated for both thicknesses. $L^*$ decreased with the increase of treatment temperature and time, but for the board heat-treated at $220^{\circ}C$ it didn't change after 4 hours. The surface color of the boards heat-treated at $220^{\circ}C$ for 4 and 6 hours were obviously changed, but those at $150^{\circ}C$ were not. It was revealed that the core of the heat-treated board was color changed as well as the surface.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1996.05c
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• pp.182-187
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• 1996

원자로 압력용기강의 품질 열처리인 ？칭과 템퍼링 중간에 페라이트와 오스테나이트가 공존하는 2상영역에서 열처리를 행함으로써 인성을 향상시키는 제조공정을 개발하였다. 710~74$0^{\circ}C$에서 4~8시간 동안 2상영역 열처리를 추가하면 기존 열처리 과정에 비하여 상온 충격인성이 크게 증가하였다. 상온 충격인성과 두께를 고려하여 결정한 최적 조건안 7$25^{\circ}C$에서 6시간 동안 2상영역 열처리를 하면 최대 흡수 에너지가 30~50% 증가하고, 천이 온도가 약 l$0^{\circ}C$ 감소하였다. 2상영역에서 형성된 침상 오스테나이트는 냉각 중에 하부 베이나이트 또는 마르텐사이트로 변태하여 템퍼드 베이나이트와 복합조직을 이루므로 균열진전을 억제하여 충격인성이 향상되었다. 2상영역 열처리 온도가 높거나 시간이 길면 오스테나이트의 체적 분율이 증가하거나 조대화가 일어나 균열진전억제 효과는 저하되었다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.1
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• pp.28-33
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• 2001

WC-6%Co 소결체를 열처리할 때 발생하는, 시편 표면에서의 급격한 입자 성장 거동을 열처리 분위기를 변수로 하여 관찰하였다. 열처리 분위기로 수소와 메탄을 각각 사용하였고, 온도는 1400~145$0^{\circ}C$, 압력은 1~3 Torr, 그리고 시간은 100분까지 변화시켰다. 표면에서의 입자 성장은 수소 분위기보다 메탄 분위기를 사용하는 경우 훨씬 빠르게 일어났다. 그리고 열처리 온도가 증가할수록, 압력이 감소할수록 입자 성장 속도가 증가하였다. 이때 성장한 입자의 크기 분포는 비정규 분포를 보였다. 한편, 입자 성장은 열처리시 증발하는 시편의 Co 무게 감소와 밀접한 관계를 보였다. 이러한 표면에서의 입자 성장 현상을 열처리한 조건과 관련되어 WC-Co 상태도에서 예측할 수 있는, 탈탄-탄화 반응 및 비정상 입자 성장 현상 관점으로 설명하였다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.11 no.2
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• pp.72-77
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• 2001

Top spin valve films with PtMn antiferromagnetic layers were deposited using a multi-target dc magnetron sputtering in (100)Si substrates overcoated with 500 $\AA$ of Al$_2$O$_3$. Firstly, the post-deposition annealing was performed at 270$\^{C}$ in a unidirectional magnetic field of 3 kOe to induce the crystallographic transformation of the PtMn layer from a fcc (111) to a fct (111) structure. Secondly, the spin valve films were annealed without magnetic fields and magnetic properties were measured. In Si/A1$_2$O$_3$ (500$\AA$)/Ta(50$\AA$)NiFe(40$\AA$)/CoFe(17$\AA$)/Cu(28$\AA$)/CoFe (30$\AA$)PtMn(200$\AA$)Ta(50$\AA$) top spin valve samples, the MR ratio decreased slowly with increasing annealing temperature up to 325$\^{C}$. But above 325$\^{C}$, the MR ratio decreased rapidly to 1%, due to a collapse of the exchange coupling between a antiferromagnetic layer and a pinned layer with increasing annealing temperature. Also above 325$\^{C}$, the exchange biased field rapidly decreased and the interlayer coupling field rapidly increased with increasing annealing temperature. A change in the interlayer coupling field was resulted from the increase in interface roughness due to Mn-interdiffusion through the grain boundaries. We confirmed the temperature in changing magnetic properties agreed well with the blocking temperature of PtMn based spin valve structure.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.07d
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• pp.1710-1712
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• 1999

암모니아가스에 민감한 In이 도핑된 ZnO(ZnO:In) 박막을 In 박막$(100{\AA})$ 및 ZnO박막$(3000{\AA})$의 연속적인 증착과 열처리공정을 통하여 제조하고, 이와 같은 방법으로 Al과 In이 도핑된 ZnO (ZnO:Al, In) 박막을 In 박막과 ZnO:Al 박막의 연속적인 증착과 같은 조건에서의 열처리를 통하여 제조하였다. 기판은 $1000{\AA}$의 산화막이 열적으로 성장되어 있는 Si 기판을 사용하였다. In/ZnO 및 In/ZnO:Al 박막 이중층의 열처리온도에 따른 구조적 및 전기적 특성을 x-선회절기, 주사전자현미경, 오제전자분광법 및 4점측정시스템을 통하여 조사하였다. 이들 막에 대하여 열처리온도에 따른 암모니아가스에 대한 감도, 선택성 및 시간응답특성을 구하였다. 열처리온도 $400^{\circ}C$, 동작온도 $300^{\circ}C$에서 100 ppm의 암모니아가스를 주입한 결과 140 %의 최대감도를 나타내었으며 CO, $NO_x$ 가스에 대한 감도는 아주 낮은 것으로 나타났다.