Lactobacillus sake는 냉장온도(2-4 ℃)이하에서도 성장이 가능한 통성혐기성균으로서, sausage와 진공포장육의 제조에 관여하며, 동양에서는 청주의 발효와 김치의 숙성에도 큰 비중을 차지하는 것으로 알려지고 있다. 그러나 L. sake는 이들 식품의 제조시 과도한 발효의 진행으로 식품을 변질시켜 가치를 저하시키기도 한다. 본 연구에서는 L. sake의 생육을 효과적으로 저지하는 박테리오신을 생산하는 미생물을 김치로부터 분리하여 Lactobacillus sp. Oh-B3로 명명하였다. 최대의 박테리오신을 생산하기 위한 분리균의 배양조건은 초기 pH를 8.0으로 조절한 MRS배지에 접종하여 25℃에서 24시간동안 배양했을 때 최대의 박테리오신을 생산하였다. 분리균의 배양액을 원심분리하여 균체를 제거한 상등액에 ammonium sulfate를 첨가한 뒤, 얻어진 침전물을 투석하고 여과한 뒤, -20℃에 보관하며 조박테리오신 용액으로 사용하였다. 분리균이 생산하는 박테리오신은 pH 2.0-9.0의 넓은 범위에서 비교적 안정한 활성을 나타내었으며, 그람음성균에 대해서는 항균활성을 보이지 않았고 일부 그람양성균에 대해서만 활성을 나타내었다. 조박테리오신 용액에 각각의 단백질 분해효소를 처리한 후 박테리오신의 잔존활성을 측정한 결과 분리균이 생산하는 박테리오신은 대부분의 단백질분해효소에 의해 활성이 제거되었다. 그리고 조박테리오신 용액을 열처리를 한 뒤 잔존활성을 측정한 결과 분리균이 생산하는 박테리오신은 100℃에서도 매우 안정하였으며, autoclave를 하여도 50% 이상의 활성이 유지되었다. 일반적인 박테리오신과 마찬가지로 분리균이 생산하는 박테리오신은 bacteriocidal action을 하는 것으로 관찰되었다.
본 논문은 마이크로파와 고온발열체에 의한 유류오염토양의 정화효율에 관한 연구를 정리한 것이다. 수분의 함량은 처리량에 따라 측정이 되었는데 상대적으로 짧은 시간에 300 g에 도달했다. TPH(Total Petroleum Hydrocarbons)처리 속도는 SiC 발열체를 단독으로 사용했을 때와 비교하였을 때, SiC와 활성탄을 4 kW/kg에서 동시에 사용했을 때 70.1%의 제거율로 가장 높은 값을 보여주었다. 특히, 3 kW/kg때를 제외하고는 전력이 증가할수록 처리속도도 증가하였다. SiC와 활성탄으로 제작된 발열체를 사용할 경우, 내부 온도가 $300^{\circ}C$를 초과하였으며, 4 kW로 2분동안 유지되었을 때 온도가 다시 하락하였으나, 8분이후에는 다시 온도가 상승하였다. 이러한 결과를 기초로 하여, 샘플을 처리하기 위한 에너지량은 마이크로파의 전력에 따라 계산이 되었으며, TPH처리 상수는 유류오염토양의 처리 특성에 관한 다양한 실험에 의해 측정이 되었다.
닉켈기 내열합금의 일종인 Rene 41을 76$0^{\circ}C$ 및 87$0^{\circ}C$에서 최고 9300 시간까지 시효열처리한 다음, 5% 내지 20%로 압축변형시켜, 이 합금의 실온에서의 소성변형방식 및 석출입자인 ${\gamma}$'입자와 slip line 간의 상호작용을 전자현미경적 방법으로 관찰연구하였다. 본합금의 slip구조는 $\alpha$황동때와 유사하게{111}<110>계에 속하는 단일 slip line으로 구성되어 있었으며, 순알루미늄에서 관찰되는 층상구조는 볼 수 없었다. 또한, slip 구조는 시효조건에 따라 변화한다는 것을 알 수 있었다. 미시효상태뿐만 아니라 과시효상태에 있어서도 Slip line은 여전히${\gamma}$' 석출입자를 통과하였으며, 이 때 석출입자는 지금과 더불어 변형되는 것을 볼 수 있었다. 이 관찰결과를 앞서 발표된 자료와 비교 검토하여 과시효상태에서도 ${\gamma}$'입자는 적어도 일부 지금과 정합되어 있다는 결론을 얻었다.
금 나노입자 촉매를 이용한 전기화학적 식각법에 의해 실리콘 표면에 짧은 시간의 효과적인 텍스쳐링을 통한 나노구조를 제작하여 무반사 특성을 조사하였다. 실험을 위해, 열증발증착법과 급속열처리법을 이용하여 단결정 실리콘 표면에 20 nm에서 150 nm 크기의 금 나노입자를 형성하였고, 습식식각을 위해 금 나노입자가 코팅된 실리콘을 과산화수소와 불화수소가 포함된 식각용액에 1분 동안 담가두었다. 전기화학적 습식식각을 확인하기위해, 금 나노입자가 코팅된 실리콘을 음극으로 각각 -1 V와 -2 V의 전압을 인가하여 식각깊이와 반사율 스펙트럼을 비교하였다. 태양광 스펙트럼(air mass 1.5)을 고려하여 태양가중치 반사율을 계산한 결과, 전압을 인가하지 않고 식각된 실리콘 표면의 반사율이 25.8%인 반면, -2 V의 전압을 인가하여 8.2%로 반사율을 크게 줄일 수 있었다.
폴리머 광도파로를 기반으로 제작된 편광유지 3-dB 방향성 광분배기, 편광기, 위상 변조기 등의 광부품들을 이용하여 편광 회전 반사 간섭계형 광섬유 전류 센서를 제작하였다. 광섬유 전류센서를 위해 필요한 상기 광부품들을 개별적으로 설계 및 제작하여 특성을 확인하였으며, 전류 측정을 위해 사용되는 광섬유 센서 코일에서 발생되는 스트레인에 의한 복굴절을 제거하기 위하여 $850^{\circ}C$의 온도에서 24시간 동안 열처리를 실시하였다. 완성된 반사 간섭계형 광섬유 전류 센서를 이용하여 전선에 흐르는 전류의 크기를 측정하는 실험을 수행하였으며 전류의 양에 비례하는 안정적인 응답 특성을 확인하였다.
고상반응법으로 $SrTiO_3$ : AI, Pr 적색 형광체를 합성하였다. PL 스펙트럼과 CL 스펙트럼의 발광 강도를 소결 온도와 소결 시간등의 형광체의 제조 변수에 대하여 최적화 하였다. 열처리한 분말은 XRD 분석 결과 페로브스카이트구조를 보였고, PSD 분석결과 평균입자크기는 약 3~5$\mu\textrm{m}$이었다. 또한 분말의 주사 전자 현미경 사진에 의한면 구형을 갖는잘 결정화된 입자들이 관찰되었다. 특히, 본 연구에서 합성된 분말의 특성은 상용화된 $Y_2O_3: Eu 형광체 보다 저전압에서의 CL 특성이 더 우수하였으며, 이 형광체는 저전압에서 구동하는 FED에 응용할 가능성이 높을 것으로 생각된다.
플리즈마 변수로서 가스조성과 압력 및 RF 전력이 인 및 붕소가 각각 다른 양으로 주입된 다결정 실리콘의 식각율 변화에 미치는 영향을 고찰하였다. $POCl_3$에 의해 인이 주입된 경우, 염소조성보다 불소조성이 많은 영역, 즉 $Cl_2$와 $SF_4$의 비가 17대 33일 때, 가장 큰 비등방성과 가장 작은 선폭손실을 달성하였다. 플라즈마 조건에 관계없이 주입된 불순물 농도의 증가에 다라, 인이 주입된 경우는 식각율이 증가하였고, 붕소가 주입된 경우는 식각율이 반대로 감소하였다. 또한, 급속 열처리에 의한 활성화 시간의 함수로서 인이 주입된 다결정실리콘의 식각율변화를 측정한 결과, 도우핑 농도뿐 아니라 활성화된 운반자, 즉 전자의 농도가 그 식각율 증가에 중요한 역할을 한다는 것을 확인하였다.
본 연구에서는 고순도 균질 마이크로 Ag 입자를 얻기 위하여 용매추출법과 RF-LPP법을 이용하여 Air 분위기에서 $500^{\circ}C$에서 3시간 동안 열처리하여 Ag 입자를 합성하였다. 합성된 마이크로 Ag 입자를 XRD에 의해 비교 분석한 결과 주요 peak들이 JCPDS card(No. 87-0719)와 일치하는 것을 확인하였다. RF-LPP법을 이용함으로써, 핵 생성 싸이트 제어를 통해 균질 마이크로 Ag 입자를 합성하였으며, 환원처리 후 산소의 함유가 줄어드는 것을 확인하였다. 본 연구를 통하여 재활용 기술에 큰 기여를 할 것이라 기대한다.
본 연구는 염화아연을 이용한 화학약품 부활법으로 잣나무재 활성탄을 제조하기 위해 원료에 대한 화학약품부활제 비율의 영향을 검토하였다. 염화아연과 혼합한 목분은 질소분위기에서 상온에서 $600^{\circ}C$까지 1시간 열처리하여 중량변화를 측정하였다. 이 처리과정에 있어 활성탄 내부에 다양한 공극크기 분포와 표면특성이 확인되었다. 즉, 최대 BET 표면적과 총 공극체적은 목분에 대하여 염화아연의 비율이 5배인 경우였으며, 각각 그 값은 $1468m^2/g$와 1.74 cc/g이었다. 결론적으로 활성탄 제조시 화학약품부활제의 비율에 의해 활성탄의 특성이 뚜렷하게 차이가 나타나는 것이 확인되었다.
저압화학기상증착(LPCVD)법에 의해 비정질 실리콘 박막을 증착한 후, 자기 이온주입 (self-implantation)과 저온 열처리에 의해 결정화와 입자성장을 유도하였다. 그리고 여러가지 공정변수의 변화에 따른 결정화 양상을 관찰함으로써 최적의 물리적 성질 즉, 입자크기 및 분포를 갖는 공정조건을 도출하였다. 다결정 성장막의 균일성은 광학현미경 분석에 의존하였으며, 이를 위해 KOH : (IPA) : $H_2$O $K_2$C${r_2}{O_7}$, 에칭용액을 개발하였다. 비정질 박막의 결정화 양상에 있어서는 XRD와 TEM 분석결과 결정들이 (111) 우선방위를 갖고 수지상(dendrite) 형태로 성장하였으며, 이온 주입량의 증가에 따라 입자 크기는 증가하였다. 최대 입자는 3${\times}{10^{15}}$c$m^2$의 농도로 Si 이은주입한 비정질 Si박막을 55$0^{\circ}C$에서 40시간 이상 결정화시켜 얻었으며, 이때의 최대 입자크기는 3.2${\mu}$m로 측정되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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