• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.29 no.4
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• pp.239-254
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• 2016

The Hwangto cave is a sea cave which is located near shore in the Taeha-ri, Ulleung Island, being composed of the reddish tuff wall rock, the topic of this study, and the trachyte ceiling rock. The chemical compositions of the red tuff layer are 49.81-63.63% of $SiO_2$, 13.05-24.91% of $Al_2O_3$, 2.67-5.82% of $Fe_2O_3$, 2.87-6.92% of $Na_2O$, 2.37-3.85% of $K_2O$, 0.55-0.81% of $TiO_2$, 0-0.53% of MnO, 0.39-1.75% of MgO, and 0.60-1.40% of CaO with a pH ranging from 4.5 to 8. The reddish tuff are composed of 23.7-39.4% of anorthoclase, 16.9-33.3% of sanidine, 15.8-26.1% of illite, 5.1-9.0% of hematite, 0-3.7% of goethite, 6.9-9.9% of titanium oxide, and 0.9-9.5% of halite in mineral composition. Although it only includes anorthoclase, sanidine, and illite as major minerals, there can be additional vitric minerals that could not detected by the XRD. The mineralogy and textures of the tuff layer indicate that it became reddish due to the formation of amorphous palagonite and the oxidation of the iron as a heat from the trachytic lava affects the underlying tuff to altered. This iron oxides are enriched in the palagonite, or form microcrystalline or amorphous minerals. We thus suggest that the red tuff layer was generated by the combination of the thermal oxidation involved in the trachytic lava flow on the tuff layer, the palagonitization of the matrix of the tuff, and the oxidation of iron-bearing minerals.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.383.1-383.1
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• 2016

열전달 시스템에서 임계 열유속 발생 시 시스템의 물리적 손상을 야기하기 때문에 비등 열전달에서 임계 열유속은 열전달 시스템의 한계 또는 안전성을 나타낸다. 따라서 열전달 시스템의 안정성을 위해서는 임계 열유속 향상이 필수적이다. 최근에는 나노유체를 열전달 시스템에 적용할 경우 임계 열유속이 증가한다고 보고되었다. 하지만 나노유체는 원전 및 각종 열전달 시스템에 적용 시 나노입자가 열전달 표면에 침착되는 파울링 현상을 발생시킬 수 있으며, 이 때문에 시스템의 열효율이 크게 감소할 수 있다. 따라서 본 연구에서는 열전달 시스템에 나노유체를 적용했을 때, 나노유체의 침착현상이 시스템에 미치는 영향을 분석하였다. 그 결과 유속과 코팅시간이 증가할수록 산화처리된 다중벽 탄소나노튜브 나노유체의 임계 열유속이 크게 증가하고 있음을 확인할 수 있다. 하지만 나노입자 침착정도와 유속이 증가할수록 비등 열전달 표면과 유체의 포화온도의 차이인 과열도가 상당히 크게 증가함을 알 수 있었으며, 열전달 계수는 순수 물의 0 m/s의 비등 열전달 계수와 비교하면 감소하는 것을 확인하였다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.9 no.3
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• pp.203-212
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• 2004

The heat pipe for cooling power semiconductor is required no performance changing during the life cycle up to 20 years. For the long reliable performance of the heat pipe, my reasons that has possibility to generate non condensable gases we not allowed. In this research, the maximum heat transport rate and operation characteristics that are related to various geometric and thermal conditions are carried out. Also the test items, specifications and methods to guarantee the long life cycle of the heat pipe for power semiconductor cooling device are provided and the tests are performed.

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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• 2003.05b
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• pp.391-392
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• 2003

한전 원자력 환경기술원에서는 중ㆍ저준위 방사성폐기물 유리화 기술의 상용화 가능성을 입증하기 위한 유리화 실증설비를 건설하여 시험 중에 있으며 이 유리화 기술은 유도 가열식 저온로(Cold Crucible Melter, CCM)에 폐기물을 투입하는 기술로서 폐기물의 부피 축소 효과와 더불어 최종 고화물로 생성되는 폐기물의 침출율이 매우 낮은 장점을 지닌다. 이와 같은 유리화 공정은 기존의 소각처리에서와 같이 폐기물의 열적 산화과정에 의해 유해오염가스와 입자성 물질이 발생된다. 따라서 이를 처리하기 위해배기체 처리공정(Off Gas Treatment System, OGTS)을 설치하여 환경 배출기준(SO$_2$300ppm, NO$_2$ 200ppm, CO 600ppm, HCI 50ppm, 분진 100mg/Nm$^3$ 등)을 만족하도록 하였고 특히 입자성 물질은 후단 OGTS나 배관내 침적으로 인한 방사성 오염을 막기 위해 CCM 후단에서 효율적으로 제거되어야만 한다. (중략)

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.58-58
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• 2003

최근 전자재료분야 중 고집적 소자를 다루는 분야에서는 산화규소 유전박막의 두께가 얇아짐에 따라 상부전극과 하부기판 사이에서 발생하는 누설전류가 큰 문제가 되었다. 따라서 이를 극복하기 위해 고유전상수를 가진 두꺼운 유전박막을 사용하기 시작하였는데, 그 중 대표적 인 것이 하프늄옥사이드(HfO2)와 알루미나(A12O3)이다. HfO2의 장점은 큰 유전상수를 갖는다는 것이고, A1203의 장점은 열적 안정성 이 뛰어나며, 높은 bandgap에너지를 갖는 것인데, 이 둘의 장점을 살려서 보다 편리한 방법으로 박막을 증착한 것이 바로 HfAlO이다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2009.10a
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• pp.335-338
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• 2009

In this study, in order to investigate the thermal and electrical properties of ZnO arrester block against 60[Hz] AC voltage, the changes in leakage current were measured. The temperature distribution appearing on the ZnO arrester blocks was observed using a forward looking infrared camera. In particular, the correlation between the thermal and electrical properties of a ZnO arrester block was analyzed experimentally. From this analysis, the thermal phenomena resulting from the heat generation and dissipation of the ZnO arrester block were interpreted. The degradation and thermal runaway phenomena of ZnO arrester block are closely related to the temperature limit of the ZnO arrester block. The installation of an additional metal electrode has resulted in the decrease of the leakage current due to the heat dissipation.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2009.06a
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• pp.147-149
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• 2009

가수분해 및 응축반응을 사용하여 다공성의 TiO2입자를 합성하였다. 다공성 구조의 열적 영향을 살펴보기위해 annealing 시간을 조절하였고 태양전지에 적용하기 위해 paste로 만들었다. 그 구조적 특성을TEM(Transmission electron microscopy)과 XRD(X-ray diffraction) 통하여 분석하였고 광 전기화학적 활성을 측정해 보았다. 결과적으로 3시간 열처리한 시료의 효율이 최적화된 조건이였음을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.648-648
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• 2013

물리적, 열적, 광학적, 그리고 전기적으로 우수한 특성을 가져 학계의 관심을 받는, 2차원 탄소 물질인 그래핀을 준비하는 방법에는 여러가지가 있다. 초창기 그래핀 연구방법에 사용됐던 흑연 플레이크와 스카치테이프를 이용한 기계적 박리법, 흑연의산화와 환원을이용한 화학적 합성법, 구리나 니켈과 같은 전이금속을 촉매로 이용한 화학기상증착을 이용한 합성법 등이 있고 각각은 그 방법에 따른 장단점이 있다. 본 포스터에서는 이 중 물리적 박리법과 화학기 상증착 성장법을 이용해 얻은 그래핀의 물리적, 전기적 특성을 비교분석하였다.

• Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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• v.3 no.4
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• pp.23-30
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• 1999

The thermal decomposition of phase stabilized ammonium nitrate(PSAN) was studied by means of thermogravimetric analysis(TGA). In this study, potassium nitrate and zinc oxide were used as the phase stabilizers in the range of contents from 0 wt.% to 8 wt.%. The kinetics and mechanism for the decomposition were evaluated using integral methods. It was found that the thermal kinetic parameters such as activation energy(I) and frequency factor(A) increase with the increase of the stabilizer contents, and the mechanism of decomposition also changes.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.22 no.4
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• pp.84-91
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• 1985

Acute angle etching Process of thermally grown silicon dioxide layer has been Proposed by depositing a thin layer of silicafilm on the thermal oxide layer. As densification temper-ature of silicafilm is varied from 175$^{\circ}C$ to 1,15$0^{\circ}C$, taper angles from 3$^{\circ}$ to 40$^{\circ}$ are ob-tained. Analytical model of the acute angle etching process has also been presented and etched profile equations of the silicon dioxide layer have been derived using format's principle of lease time. Etched profiles obtained from scanning electron microscope analysis show good agreement with the theoretically calculated profiles.