• 제목/요약/키워드: 연마율

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콤포지트 레진의 음식물에 따른 착색과 미백에 따른 색 변화 (Color Change of Food Staining and Bleaching on Composite Resin)

  • 최은정;문성희;문소라;박선영;송미정;김은영;황수정
    • 치위생과학회지
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    • 제12권5호
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    • pp.477-485
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    • 2012
  • 본 연구는 레진 종류별 착색음식물별 착색시간별 착색정도와 연마, 과산화수소에 의한 미백 후의 색 변화를 관찰하여 착색과 미백이 레진의 CIELAB 색 표시계와 반사율에 미치는 영향을 알아보고자 한하였다. 시편은 동일 회사의 전구치부겸용 레진(A2), 유동형 레진(A2)을 가로, 세로 11 mm, 높이 3 mm의 직육면체모양으로 30초간 광중합한 시편 총 36개를 사용하였다. 착색원으로는 김치국물, 고추장, 카레, 블루베리즙, 홍차와 대조군으로 증류수를 사용하였으며 각 레진당 음식물별 3개의 시편을 사용하였고 측정은 윗면과 아랫면을 측정하여 각 6개면을 측정하였다. 착색기간은 총 8일, 35% 과산화 수소에 의한 미백은 1시간이 소요되었고, 음식물의 시간에 따른 착색 정도와, 미백 후의 반사율과 색값은 분광광도계를 이용하여 측정하였다. 그 결과, 1. 음식물별 시간에 따른 착색의 정도는 전구치부겸용 레진과 유동형 레진 모두에서 착색 1일차부터 L, a, b값과 반사율에서 모두 통계적으로 유의한 차이가 있었으며(p<0.05), 그 중 블루베리와 카레의 L, a, b값 변화가 크게 나타났다. 2. 음식물별 시간에 따른 착색후 반사율은 블루베리와 고추장이 대조군에 비해 유의하게 감소하였기 때문에(p<0.05) 같은 L, a, b값이더라도 블루베리, 고추장 착색 레진이 시각적으로 더 어둡게 보였다. 3. 전구치부겸용 레진은 과산화수소 미백과 연마를 한 경우가 단일 방법에 비해 ${\Delta}{E_{ab}}^2$의 값이 유의하게 변하였다(p=0.022). 그러나, 유동형 레진에서는 미백 방법에 따른 유의성은 없었다(p=0.385). 레진의 색 안정성을 위해서 착색이 심한 카레와 블루베리의 섭취빈도를 낮추도록 하거나 섭취 후 가급적 빠른 시간내에 입안을 헹구는 것이 레진수복물의 색 안정성을 유지시킬 것으로 사료되었다.

칫솔질에 의한 레진 표면 강화재의 마모 (THE ABRASION OF SURFACE PENETRATING SEALANT BY TOOTH-BRUSHING)

  • 송주현;한세현;장기택;이상훈
    • 대한소아치과학회지
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    • 제33권4호
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    • pp.633-642
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    • 2006
  • 본 연구는 레진 표면을 연마한 후 레진 표면 강화재를 도포한 것이 표면 처리하지 않은 군에 비해 칫솔질 마모시 표면 특성 즉, 표면 조도, 표면 자유 에너지, 마모율 등의 변화가 있는지 알아 보기 위해 시행하여 다음과 같은 결과를 얻었다(p=0.05). 1. 평균 조도는 Biscover < Forify < Polishing군 순이었다. 마모 전과 6개월에서는 모든 군에서 유의한 차이를 보였고, 1개월, 2개월, 3개월에서는 Polishing군과 Fortify군, Polishing군과 Biscover군에서 유의한 차이를 보였다. 2. 표면 자유 에너지는 마모 전은 Polishing군과 Biscover군, Fortify군과 Biscover군에서 유의한 차이를 보였고(Biscover < Fortify < Polishing), 1개월에서는 Polishing군과 Fortify군에서 유의한 차이를 보였으며, 2개월에서는 각 군간 유의한 차이를 보이지 않았다. 3개월에서는 Fortify군과 Biscover군에서 유의차를 보였고, 6개월에서는 Polishing군과 Fortify군, Fortify군과 Biscover군에서 유의한 차이를 보였다 (Fortify < Polishing < Biscover). 3. 마모율은 1개월에서 모든 군에서 유의차를 보였으며, 2개월에서는 군 간 유의차가 없었고, 3개월과 $4{\sim}6$개월 평균 마모율은 Polishing군과 Biscover군, Fortify군과 Biscover군에서 유의한 차이를 보였다. Fortify와 Biscover의 두께를 고려했을 때, Fortify는 2개월 내에, Biscover는 6개월 정도에 거의 소실되었다.

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폐석분 및 바텀애시를 사용한 인공경량골재의 융제(Flux) 종류에 따른 밀도 및 흡수율 특성 (Density and Water Absorption Characteristics of Artificial Lightweight Aggregates containing Stone-Dust and Bottom Ash Using Different Flux)

  • 한민철;신재경
    • 한국건설순환자원학회논문집
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    • 제7권3호
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    • pp.49-55
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    • 2012
  • 본 연구에서는 인공경량골재의 주요 물성인 밀도 및 흡수율의 성능 향상을 위하여 융제 종류 및 첨가율에 따른 밀도 및 흡수율 특성을 검토하였다. 실험결과, 화학제품의 융제 사용에 관한 특성으로, $Na_2CO_3$$CaSO_4$는 경우 낮은 소성온도에서 소성이 가능하나, 흡수율이 증가하였고, $CaCO_3$, NaOH, $Fe_2O_3$는 첨가율이 증가할수록 흡수율은 낮아졌으나, 절건밀도가 높아지는 것으로 나타나 융제로서 부적합하였다. $Na_2SO_4$의 사용한 경우에는 절건밀도 $1.35{\sim}1.50g/cm^3$와 상대적으로 낮은 흡수율로 융제로서 가장 적합하였다. 산업부산물의 융제 사용에 관한 특성으로 유리연마 슬러지는 절건밀도 $1.45{\sim}1.55g/cm^3$ 및 흡수율 9~12 %로 흡수율이 높게 나타났다. 고로슬래그 미분말은 첨가율이 증가할수록 밀도는 높아지고 흡수율은 낮아지는 것으로 나타났다. 산화슬래그는 첨가율 10 %에서 절건밀도 $1.46g/cm^3$, 흡수율 8,5 %로 낮은 절건밀도와 흡수율을 갖는 양질의 인공경량골재를 제조할 수 있었다.

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텍타이트와 흑요석의 보석학적 특징비교 - 중국 광동 텍타이트와 백두산 흑요석을 중심으로 - (Gemological Comparison between Gwangdong Tektite and Baikdusan Obsidian)

  • 김원사
    • 한국광물학회지
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    • 제20권3호
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    • pp.181-191
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    • 2007
  • 천연유리로 만든 보석들의 보석학적 특징을 알아보기 위하여 중국 광동성 마오밍산 텍타이트와 백두산에서 채취한 흑요석을 대상으로 편광 및 반사현미경, 주사전자현미경, 비중 및 굴절율 측정, X-선형광분석, ICP-MS분석, X-선회절분석, 전자현미분석 등을 실시하였다. 중국산 텍타이트와 북한산 흑요석은 모두 검고, 패각상 단구를 나타내며, 수 mm 두께로 연마하였을 경우에는 모두 짙은 갈색의 반투명한 특징을 나타낸다. 텍타이트는 $4{\sim}10 cm$ 크기의 길쭉한 원통형 모양으로, 또는 직경이 $3{\sim}5 cm$인 구형으로 산출된다. 텍타이트의 표면에는 직경이 최대 3 mm인 함몰구조가 있는 것이 특징이다. 텍타이트의 모스경도는 $5{\sim}5.5$, 비중은 2.66이며, 단굴절을 일으키며, 굴절율은 1.51이다. 텍타이트 속에는 다수의 구형 기포가 분산되어 있으며, 규질성분이 높은 유리질물질이 존재한다. X-선회절 분석결과 비정질상태임이 확인되었다. 백두산 흑요석은 두 가지 형태로 나타난다. 즉, 균질한 검은색의 흑요석과 백색 결정을 함유하고 있는 것 등이다. 주된 차이점인 굴절율은 $1.49{\sim}1.50$으로서 텍타이트보다는 작으며, 비중은 텍타이트보다 다소 큰 $2.67{\sim}2.68$을 나타낸다. 또한 구형 기포 내포물이 없는 대신 새니딘과 자철석 침상결정을 함유하고 있다.

기계적 합금법으로 제조된 Ni기 산화물 분산강화 합금의 마찰압접에 관한 연구 (Friction Welding of Ni-Base ODS Alloy Prepared by Mechanical Alloying)

  • 강지훈;박성계;김지순;권영순
    • 한국분말야금학회:학술대회논문집
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    • 한국분말야금학회 1994년도 추계학술대회강연 및 발표대회 강연및 발표논문 초록집
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    • pp.15-15
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    • 1994
  • M MA ODS 합금의 보다 폭넓용 실용확훌 위해 크게 요구되고 있는 적정 접합기술 개발의 한 방안£로, 마찰압접(Friction Welding) 방법의 가능성옳 조사하기 위하여 마찰압력과 시간, 마 찰 후 접촉압력(Upset Pressure) 풍을 다양하게 변화시켜 접합체톨 제조한 후, 접합체 강도에 대한 인장시험과 접합계연의 결합 및 미세구조에 대한 현미경 관찰, EDS에 의한 원소분석, 접 합이옴부의 경도분포와 파단면 분석 풍율 행하였다. 실험에 사용된 모재는 기계적 합금법으로 제조된 Inca사의 Ni기 MA 754 합금이었으며, 직경 l 10 mm, 길이 50 mm로 가공한 후, 아세통£로 초음파 세척하여 접합에 사용하였다. 접합온 브 레이크식 마찰압접기틀 사용하여 행하였으며, 회전시험편의 회전수는 2400 rpm이었A며, 다른 한쪽의 고정시험편과의 마찰압력 및 마찰시간온 각각 50 - 500 MPa과 1-5초로, 또한 업셋압 력도 50 - 600 MPa로 변화시켰다. 이때 업셋압력은 모든 시편에 대해 일정하게 6초동안 가하 였다. 얻어진 접합체는 각 압접조건 당 2개 이상의 접합시험편에 대해 상온 인장강도톨 측정하 였으며, 파단이 일어난 위치를 확인한 후 파면에 대한 분석율 주사전자현미경(SEM)과 에너지 분산형 분광분석기mDS)릎 사용하여 행하였다. 컵합이옴부의 첩합성올 확인하기 위하여, 접합 체를 접합변에 수직으로 절단, 연마한 후 광학현미경과 SEM, EDS 퉁으로 관찰, 분석하여 접 합부의 형상과 결합형성 여부, 접합계면의 미세조직 퉁옳 조사하였다. 또한 마찰압접에 따론 모재와 접합계연부의 경도분포훌 접합이옴부로부터 모재쪽으로 일정 간격율 두어 마이크로 비 커스 경도기로 측정, 조사하였다. 이상의 설험 결과, 다옴과 같온 결론옳 얻었다. ( (1) 접합체 강도가 모채 강도의 95% 이상이 되는 양호한 렵합체흩 얻기 위한 마찰압력 조건 온, 2400 rpm의 회전속도와 6초의 업셋압력 유지시간에서 마찰압력과 업셋압력, 그리고 마찰시 간이 각각 400 MPa 이상과 500 MPa 이상,2초입율 확인하였다. ( (2) 컵합이옴부의 관찰 결과, 모든 마찰압접 조건에서 컵합이옴부는, 기폰 모재의 texture 조직 을 유지하고 있는 모재부 영역(영역 ill)과 첩합계면부에 인접하여 업셋압력이 주어질 때 단조 효과에 의해 계연 외부로 metal flow가 일어나면서 형성된 영역 II, 매우 미세한 결정립으로 구성된 중앙부의 영역 1 로 이투어져 있옴융 확인하였다. ( (3) 최적접합조건이 충족되지 않온 경우, 접합부의 영역 I 에서 관찰된 void와 균열, 불균일한 접합계면 통의 접합결함에 Al과 Y. Ti 퉁£로 구성된 산화물률이 용집되어 있옴을 확인하였 다-( (4) 접합체의 파단 양상온 크게 접합부 파단과 모재부 파단, 이률의 혼합형 파단i로 나눌수 있었다. 모재부 파단의 경우, 파단면이 매끄럽고 파변상의 결정립도 매우 미세하였으며, 산확물 의 용집도 찾아보기 어려웠 나, 접합부 파단의 경우에는 파변의 굴곡이 비교척 심하고 연성 입계파괴의 형태를 보였£며, 결정립도 모채부 파단의 경우에 비해 조대하였다. 조대하였다.

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NKNLTS 비납계 압전체의 도핑원소에 따른 특성평가

  • 이윤기;박은혜;류성림;권순용
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.83-83
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    • 2009
  • 우수한 압전성을 가지는 PZT는 인체에 유해한 다량의 PbO을 함유하여 심각한 환경문제를 야기함은 물론 제조 공정 중 PbO 휘발 억제 시설 구비에 따른 경제적 부담 등 문제점이 지적되었다. 따라서 환경오염 및 가격경쟁력을 갖추기 위해 현재 무연 조성 세라믹스에 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 최근 비납계 압전 세라믹의 연구는 비스무스 레이어형과 페로브스카이트 형 비납계 세라믹스의 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히 $(Na,K)NbO_3$ 계는 페로브스카이트 구조를 가지는 비납계 세라믹으로 현재 많은 연구가 진행되고 있다. 이 물질은 PZT계와 유사하게 상전이(morphotropic phase boundary:MPB)영역을 가지고 있 으며 이 영역에서 높은 압전 특성을 보여주고 있다. 최근 $Na_{0.5}K_{0.5}NbO_3$$LiTaO_3$를 치환하여 우수한 압전 특성을 지니는 조성이 개발되고 있지만, 보통 소성법으로 제조된 세라믹스는 PZT계 세라믹스와 비교하여 특성이 떨어진다. 본 연구에서는 압전성이 우수한 $(Na_{0.44}K_{0.52}Li_{0.44})(Nb_{0.90}Sb_{0.06}Ta_{0.04})O_3$ 조성에 도너 도핑과 억셉터 도핑을 한 다음 전기기계결합계수, 압전상수, 유전상수의 변화를 평가하고, hardener 와 softener 특성이 본조성에서 나타나는지를 관찰하였다. 실험방법은 보통 소성법을 사용하였으며, 분쇄와 혼합은 직경 3 mm zirconia ball을 사용하여 볼밀 하였다. $850^{\circ}C$ 에서 5h 하소 후 $1100{\sim}1200^{\circ}C$ 에서 소결하고, 두께 1 mm로 연마한 다음 silver paste를 $650^{\circ}C$ 에서 소부하여 전극을 형성하였다. 제작된 시편은 $90^{\circ}C$의 실리콘유에서 3~4 kV/mm의 전계를 가해 20분간 분극 처리를 수행하였다. 제작된 시편의 압전전하 상수 값은 d33-meter(APC-8000)를 이용하여 측정하였고, 유전율, 전기기계결합계수 및 기계적품질계수 등은 임피던스 분석기 (impedance/gain phase analyzer)를 이용하여 특성을 측정 하였다. 또한 전압-분극 특성의 평가에는 강유전특성 측정기(ferroelectric tester: Precision-LC, Radiant Technologies, USA)를 이용하였다.

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저산란 반사경을 이용한 링레이저 자이로의 주파수 잠긴 개선 (Lock-in frequency improvement of ring laser gyro using a low - scattering mirror)

  • 조민식;심규민;권용율;정태호;오문수;이수상;조현주;손승현;문건;이재철
    • 한국광학회지
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    • 제13권4호
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    • pp.336-339
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    • 2002
  • 링레이저 자이로의 주파수 잠김을 개선하기 위하여, 링레이저 공진기에 저산란 반사경을 적용하는 연구가 수행되었다. 초정밀 연마기술을 통해 표면 거칠기 1Å rms 이하의 반사경 기판을 가공하였으며, 가공된 기판에 이온빔 스퍼터링 코팅방식을 이용하여 산란율 300ppm 이하의 반사경을 제작하였다. 제작된 저산란 반사경을 링레이저 자이로에 적용한 결과, 자이로의 잠김 주파수를 약 0.1 deg/sec 이하로 개선할 수 있었다.

사파이어 웨이퍼 DMP에서 마찰력 모니터링을 통한 재료 제거 특성에 관한 연구 (A Study of Material Removal Characteristics by Friction Monitoring System of Sapphire Wafer in Single Side DMP)

  • 조원석;이상직;김형재;이태경;이성범
    • Tribology and Lubricants
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    • 제32권2호
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    • pp.56-60
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    • 2016
  • Sapphire has a high hardness and strength and chemical stability as a superior material. It is used mainly as a material for a semiconductor as well as LED. Recently, the cover glass industry used by a sapphire is getting a lot of attention. The sapphire substrate is manufactured through ingot sawing, lapping, diamond mechanical polishing (DMP) and chemical mechanical polishing (CMP) process. DMP is an important process to ensure the surface quality of several nm for CMP process as well as to determine the final form accuracy of the substrate. In DMP process, the material removal is achieved by using the mechanical energy of the relative motion to each other in the state that the diamond slurry is disposed between the sapphire substrate and the polishing platen. The polishing platen is one of the most important factors that determine the material removal characteristics in DMP. Especially, it is known that the geometric characteristics of the polishing platen affects the material removal amount and its distribution. This paper investigated the material removal characteristics and the effects of the polishing platen groove in sapphire DMP. The experiments were preliminarily carried out to evaluate the sapphire material removal characteristics according to process parameters such as pressure, relative velocity and so on. In the experiment, the monitoring apparatus was applied to analyze process phenomena in accordance with the processing conditions. From the experimental results, the correlation was analyzed among process parameters, polishing phenomena and the material removal characteristics. The material removal equation based on phenomenological factors could be derived. And the experiment was followed to investigate the effects of platen groove on material removal characteristics.

DHF를 적용한 웨이퍼의 층간 절연막 평탄화에 관한 연구 (A Study on ILD(Interlayer Dielectric) Planarization of Wafer by DHF)

  • 김도윤;김형재;정해도;이은상
    • 한국정밀공학회지
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    • 제19권5호
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    • pp.149-158
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    • 2002
  • Recently, the minimum line width shows a tendency to decrease and the multi-level increases in semiconductor. Therefore, a planarization technique is needed and chemical mechanical polishing(CMP) is considered as one of the most suitable process. CMP accomplishes a high polishing performance and a global planarization of high quality. However there are several defects in CMF, such as micro-scratches, abrasive contaminations and non-uniformity of polished wafer edges. Wet etching process including spin-etching can eliminate the defects of CMP. It uses abrasive-free chemical solution instead of slurry. On this study, ILD(Interlayer-Dielectric) was removed by CMP and wet etching process using DHF(Diluted HF) in order to investigate the possibility of planrization by wet etching mechanism. In the thin film wafer, the results were evaluated from the viewpoint of material removal rate(MRR) and within wafer non-uniformity(WIWNU). And the pattern step heights were also compared for the purpose of planarity characterization of the patterned wafer. Moreover, Chemical polishing process which is the wet etching process with mechanical energy was introduced and evaluated for examining the characteristics of planarization.

구리 ECMP에서 전류밀도가 재료제거에 미치는 영향 (Effect of Current Density on Material Removal in Cu ECMP)

  • 박은정;이현섭;정호빈;정해도
    • Tribology and Lubricants
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    • 제31권3호
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    • pp.79-85
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    • 2015
  • RC delay is a critical issue for achieving high performance of ULSI devices. In order to minimize the RC delay time, we uses the CMP process to introduce high-conductivity Cu and low-k materials on the damascene. The low-k materials are generally soft and fragile, resulting in structure collapse during the conventional high-pressure CMP process. One troubleshooting method is electrochemical mechanical polishing (ECMP) which has the advantages of high removal rate, and low polishing pressure, resulting in a well-polished surface because of high removal rate, low polishing pressure, and well-polished surface, due to the electrochemical acceleration of the copper dissolution. This study analyzes an electrochemical state (active, passive, transpassive state) on a potentiodynamic curve using a three-electrode cell consisting of a working electrode (WE), counter electrode (CE), and reference electrode (RE) in a potentiostat to verify an electrochemical removal mechanism. This study also tries to find optimum conditions for ECMP through experimentation. Furthermore, during the low-pressure ECMP process, we investigate the effect of current density on surface roughness and removal rate through anodic oxidation, dissolution, and reaction with a chelating agent. In addition, according to the Faraday’s law, as the current density increases, the amount of oxidized and dissolved copper increases. Finally, we confirm that the surface roughness improves with polishing time, and the current decreases in this process.