Determination of optimal pressure monitoring location is essential to manage water distribution system efficiently and safely. In this study, entropy theory is applied to overcome defects of previous researches about determining the optimal sensor location. The previous studies required the calibration using historical data, therefore, it was difficult to apply the proposed method in the place where the enough data were not available. Also, most researches have focused on the locations to minimize cost and maximize accuracy of the model, which is not appropriate for the purpose of maintenance of the water distribution system. The proposed method in this study quantify the entropy which is defined as the amount of information calculated from the pressure change due to the variation of discharge. When abnormal condition is occurred in a node, the effect on the entire network is presented by the entropy, and the emitter is used to reproduce actual pressure change pattern in EPANET. The optimal location to install pressure sensors in water distribution system is the nodes having the maximum information from other nodes. The looped and branched networks are evaluated using the proposed model. As a result, entropy theory provides general guideline to select the locations to install pressure sensors and the results can be used to help decision makers.
Kim, K.S.;Ryu, J.H.;Lee, C.S.;Lim, H.E.;Ahn, J.S.;Jang, J.;Park, K.C.
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.17
no.2
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pp.90-95
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2008
We studied the effect of thermal annealing and hydrofluoric (HF) acid treatment on the field emission properties of carbon nanotube field emitter arrays (CNT-FEAs) grown with the resist-assisted patterning (RAP) process. After thermal and HF treatment, it was observed that the electron emission properties were remarkably improved. The enhanced electron emission was also found to depend strongly on the sequence of the treatments; the electronemission current density is 656 $mA/cm^2$ with the process of thermal treatment prior to HF treatment while the current density is reduced by 426 $mA/cm^2$ with the reversal processes. This is due to the increased crystalline structure by thermal annealing and then strong fluorine bond was formed by HF treatment.
Park, Kwang-Mook;Jung, Jee-Hee;Bae, So-Ik;Choi, Si-Young;Lee, Myoung-Bok
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.20
no.3
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pp.225-232
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2011
Reactive ion etching (RIE) technique for maskless surface texturing of mc-silicon solar wafers has been applied and succeed in fabricating a grass-like black-silicon with an average reflectance of $4{\pm}1%$ in a wavelength range of 300~1,200 nm. In order to investigate the optimized texturing conditions for mass production of high quantum efficiency solar cell Surface characteristics such as the spatial distribution of average reflectance, micrscopic surface morphology and minority carrier lifetime were monitored for samples from saw-damaged $15.6{\times}15.6\;cm^2$ bare wafer to key-processed wafers as well as the mc-Si solar cells. We observed that RIE textured wafers reveal lower average reflectance along from center to edges by 1% and referred the origin to the non-uniform surface structures with a depth of 2 times deeper and half-maximum width of 3 times. Samples with anti-reflection coating after forming emitter layer also revealed longer minority carrier lifetime by 40% for the edge compared to wafer center due to size effects. As results, mc-Si solar cells with RIE-textured surface also revealed higher efficiency by 2% and better external quantum efficiency by 15% for edge positions with higher height.
Metal coating with several nanometer thickness was applied on the carbon nanotubes (CNTs) in order to improve electron emission characteristics and emission reliability for the potential applications in the area of various electron sources and displays. CNTs were grown on the 2-nm thick Invar (52% Fe, 42% Ni, 6% Co alloy)-catalized Si substrate by using plasma-enhanced chemical vapor deposition at $450^{\circ}C$. In order to reduce the spatial density of densely packed CNTs, as-grown CNTs were partly etched back by $N_2$ plasma and subsequently coated with 5~150 nm thick Ti by a sputtering method. 5 nm thick Ti-coated CNTs produced four times higher emission current density at the electric field of 6 V/${\mu}m$ and much lower emission current fluctuation, compared with the as-grown CNTs. These improved emission properties are mainly due to not only the work function of Ti (4.3 eV) lower than that of pristine CNTs (5 eV), but also lower contact resistance and better adhesion between CNT emitters and substrate accomplished by Ti coating.
Kim, Il-Du;Woo, Young-Yun;Hong, Sung-Chul;Kim, Jang-Heon;Moon, Jung-Hwan;Jun, Myoung-Su;Kim, Jung-Joon;Kim, Bum-Man
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.18
no.8
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pp.880-886
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2007
We have proposed a new "hybrid" envelope elimination and restoration(EER) transmitter architecture using an efficiency optimized power amplifier(PA) and modified bias modulator. The efficiency of the PA at the average drain voltage is very important for the overall transmitter efficiency because the PA operates mostly at the average power region of the modulation signal. Accordingly, the efficiency of the PA has been optimized at the region. Besides, the bias modulator has been accompanied with the emitter follower for the minimization of memory effect. A saturation amplifier, class $F^{-1}$ is built using a 5-W PEP LDMOSFET for forward-link single-carrier wideband code-division multiple-access(WCDMA) at 1-GHz. For the interlock experiment, the bias modulator has been built with the efficiency of 64.16% and peak output voltage of 31.8 V. The transmitter with the proposed PA and bias modulator has been achieved an efficiency of 44.19%, an improvement of 8.11%. Besides, the output power is enhanced to 32.33 dBm due to the class F operation and the PAE is 38.28% with ACLRs of -35.9 dBc at 5-MHz offset. These results show that the proposed architecture is a very good candidate for the linear and efficient high power transmitter.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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