• Journal of the Korea Society of Computer and Information
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• v.17 no.12
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• pp.149-158
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• 2012

Proposed is a hybrid randomizing function using two asymptotically optimal randomizing functions: Elias function and Peres function. Randomizing function is an mathematical abstraction of producing a uniform random bits from a source of randomness with bias. It is known that the output rate of Elias function and Peres function approaches to the information-theoretic upper bound. Especially, for each fixed input length, Elias function is optimal. However, its computation is relatively complicated and depends on input lengths. On the contrary, Peres function is defined by a simple recursion. So its computation is much simpler, uniform over the input lengths, and runs on a small footprint. In view of this tradeoff between computational complexity and output efficiency, we propose a hybrid randomizing function that has strengths of the two randomizing functions and analyze it.

• Journal of Convergence for Information Technology
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• v.9 no.8
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• pp.134-139
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• 2019

This paper describes the effect of multiple signal regeneration in quadrature digital radio frequency memory(DRFM). Single channel DRFM have good reproducibility after storing a single signal. However, when reproduced after storing multiple signals, the spurious signal is large. The quadrature DRFM consists of I and Q channels, which can greatly reduce the spurious signal. The amplitude of the spurious signal depends on the number of bits of data stored in the DRFM. In this paper, we have obtained the number of bits of signal regeneration according to the application of radio frequency memory by obtaining the size of the spurious signal according to the number of bits of the stored data of the DRFM for multiple signals. As a result of this study, 4 bits quadrature DRFM can achieve a spurious output of less than -20dB, which is used for 4 signals. Those are expected to greatly contribute to the signal analysis of electronic warfare equipment and the development of jamming device.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.16 no.8 s.99
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• pp.777-782
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• 2005

In this paper, adaptive bias circuit and PBG structure have been employed to suppress IMD(Inter-Modulation Distortion) and improve PAE(Power Added Efficiency) of the Doherty amplifier. Gate bias voltage has been controlled with the envelope of the input RF signal and PBG structure has been employed on the output port of Doherty amplifier. The proposed power amplifier using adaptive bias circuit and PBG has been improved the $IMD_3$ by 7.5 dBc, and the average PAR by $12\%$, respectively.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.11a
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• pp.221-221
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• 2003

본 연구에서는 스핀밸브 다층박막에서 교환 바이어스에 영향을 끼치는 요인 중 하나인 강자성층과 반강자성층사이의 접합 계면에서의 표면 거칠기 [1,2]를 줄이기 위해 현재 반도체 공정에 사용되고 있는 이온빔 에칭 장비를 사용하여 스핀 밸브 다층박막의 씨앗층 에칭에 따른 교환 바이어스를 알아보고자 하였다. 스핀밸브 구조는 강자성층/비자성층/강자성층의 기본구조를 갖는데 이중 하나의 강자성층의 스핀방향이 반강자성층에 의해 고정되는 구조[3]로써 이러한 고정 효과를 교환 바이어스(exchange bias)라 부른다. 교환 바이어스(exchange bias)현상은 강자성과 반강자성의 접합계면에서 강한 상호 교환결합력에 의해 나타나는 현상으로 이러한 교환 바이어스 특성은 하드드라이브의 고밀도 자기헤드소자 및 비휘발성 자기 메모리소자에 응용되어 기존의 자기저항 소자의 특성을 크게 향상시킬 수 있게 되었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2013.05a
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• pp.453-455
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• 2013

전자문화지도는 지도를 인터페이스로 문화와 관련된 정보를 디지털화시켜 나타내는 시스템이며 공간데이터와 문화정보의 연계를 통해 다양한 정보를 제공한다. 이는 문화와 관련된 정보를 시 공간데이터와의 조합을 통해 유기적으로 연계된 형태의 정보를 효율적으로 검색할 수 있다. 기존의 전자문화지도는 2차원 지도(베이스맵)에 점, 선, 면 데이터를 활용해 정보를 표현하는 방법이 대부분이다. 이는 3차원 공간을 2차원 평면으로 표현하기 때문에 지리적 왜곡, 입체감 결여 등의 문제점을 발생시킨다. 본 논문에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 구글 어스에서 제공하는 3차원 형태의 지도서비스를 활용하여 전자문화지도를 설계한다. 전자문화지도는 문화(주제), 시간, 공간 데이터를 조합하여 검색이 가능하며 이는 지역연구의 방법으로 활용할 수 있다. 또한 3차원 지도를 활용해 시각적인 효과를 높임으로써 사용자의 사용성 및 이해도를 향상시킬 수 있다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.05a
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• pp.98-98
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• 2009

Hydrogenated nano-, microcrystalline silicon 박막(nc-, ${\mu}c-Si:H$)은 박막 트랜지스터 및 실리콘 박막형 태양전지등에 널리 쓰이고 있다. 이러한 결정화 실리콘 박막을 내장형 안테나를 사용하여 고밀도 플라즈마를 발생시킬 수 있는 장치를 통하여 증착 후 열처리 공정이 없는 방법을 사용하여 박막을 제작하였다. 특히, 증착시 기판에 바이어스를 함께 인가하므로 증착된 박막의 결정화에 미치는 영향에 관한 연구를 하였다. 기판에 인가된 바이어스가 60W일 때 가장 높은 결정화율을 보이는 것을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Society of Surveying, Geodesy, Photogrammetry, and Cartography Conference
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• 2009.04a
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• pp.83-86
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• 2009

현재 인터넷을 통한 지도서비스는 지역의 경계 및 지리적 위치만을 표현하던 지도에서 벗어나, 실세계를 직접 눈으로 보는 듯한 3차원의 지도를 서비스하고 있다. 따라서 지도의 신속한 갱신은 매우 중요한 문제로 부각되었다. 그러나 현재의 시스템은 지도를 일정한 주기로 일괄 갱신하고 있어 지도상에 변화지역을 신속하게 표현할 수 없는 실정이다. 따라서 본 연구에서는 지형지물 변화정보 시스템을 통하여 변화가 예상되는 지역을 사전에 파악하고, 구글 어스 엔터프라이즈를 통해 웹상에서 사용자들에게 지형지물 변화정보를 제공할 수 있도록 하였다. 이를 통해 지도의 일괄 갱신으로 인해 소요되는 비용을 절감할 수 있을 것으로 판단되며 사용자들에게 보다 신속하고 정확한 공간정보를 제공할 수 있을 것이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2009.10a
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• pp.161-162
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• 2009

하이브리드 코팅장비를 이용해 WC-CO기판위에 Ti-Si-N박막을 증착 시켰다. 이 연구는 Ti-Si-N박막의 기계적 성질에 온도와 바이어스가 미치는 영향에 대해 실험을 하였다. 증착온도가 $300^{\circ}C$까진 Ti-Si-N박막의 미세경도와 탄성률은 증가했지만 증착온도가 $300{\sim}350^{\circ}C$에서는 탄성률은 감소하고 결정 성장으로 인해 미세경도는 감소하였다. 기판 바이어스는 박막과 미세구조에 압축 잔류 응력을 야기 시킨다. 그러나 기판바이어스가 -400V 이상에서는 re-sputtering에 의해 Si함량이 감소한다. Ti-Si-N 박막의 가장 우수한 기계적 성질은 $300^{\circ}C$, -100V에서 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.145-146
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• 2007

Cr-Si-N 박막은 하이브리드 코팅 시스템에 의해 온도와 바이어스의 변화에 따라 증착 되었다. 증착온도 $0{\sim}300^{\circ}C$ 범위에서, 경도와 탄성계수는 이온의 surface mobility의 증가 때문에 향상되었지만 $350^{\circ}C$ 이상의 증착 온도에서는 결정성장 때문에 경도는 다시 감소하였다. 바이어스 $0{\sim}-100V$까지 범위에서는, 경도와 탄성계수는 각각 46GPa, 600GPa의 최대값을 보여주었으며 바이어스 -100V에서 macro-particle과 surface molphology 감소가 발생하였다. 그러나 -100V이상의 바이어스에서 resputtering 현상에 의해 Si 의 양이 감소한다. 증착온도는 Si 함량에 많은 영향을 주지 못한다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.14 no.1
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• pp.17-23
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• 2005

Glow discharge mass spectrometry(GDMS) was used to determine the impurity concentrations of the deposited Cu films and the 6N Cu target. Cu films were deposited on Si (100) substrates at zero substrate bias voltage and a substrate bias voltage of -50 V using a non-mass separated ion beam deposition method. Since do GDMS has a little difficulty to apply to thin films because of the accompanying non-conducting substrate, we have used an aluminum foil to cover the edge of the Cu film in order to make an electrical contact of the Cu film deposited on the non-conducting substrate. As a result, the Cu film deposited at the substrate bias voltage of -50 V showed lower impurity contents than the Cu film deposited without the substrate bias voltage although both the Cu films were contaminated during the deposition. It was found that the concentration change of each impurity in the Cu films by applying the negative substrate bias voltage is related to the difference in their ionization potentials. The purification effect by applying the negative substrate bias voltage might result from the following reasons: 1) Penning ionization and an ionization mechanism proposed in the present study, 2) difference in the kinetic energy of accelerated Cu+ ions toward the substrate with/without the negative substrate bias voltage.