• Title/Summary/Keyword: 어닐링 효과

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Self Annealing Effects of Arsenic Ion Implanted Amorphous Carbon Films during Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition (As 이온 주입된 비정질 탄소 박막의 마이크로플라즈마 화학기상증착법에 의한 자동 어닐링 효과에 관한 연구)

  • Cho, E.S.;Kwon, S.J.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.22 no.1
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    • pp.31-36
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    • 2013
  • For the simplification of doping process in amorphous carbon film, arsenic (As) ions were implanted on the nucleated silicon wafer before the growth process. Then amorphous carbon films were grown at the condition of $CH_4/H_2=5%$ by microwave plasma chemical vapour deposition. Because the implanted seeds were grown at the high temperature and the implanted ions were spread, it was possible to reduce the process steps by leaving out the annealing process. When the implanted amorphous carbon films were electrically characterized in diode configuration, field emission current of $0.1mA/cm^2$ was obtained at the applied electric field of about $2.5V/{\mu}m$. The results show that the implanted As ions were sufficiently doped by the self-annealing process by using the growth after implantation.

A study of proton deffusion and self-aligned method for optical modulator fabricatio (광 변조기 제작을 위한 양자확산 및 자기정열 방식에 관한 연구)

  • 강기성;채기병;소대화
    • Electrical & Electronic Materials
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    • v.6 no.1
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    • pp.8-13
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    • 1993
  • 본 연구에서는 단일 광 변조기를 양자교환과 자기정열 방식을 이용하여 X-cut NiNbO$_{3}$기판에 제작하였다. 여기에서 어닐링 처리 효과는 단일 광 변조기에서 도파로의 굴절율 변화 특성을 나타냈으며 특히 어닐링 처리 시간의 조절에 의해서 단일 광 도파로가 광범위하게 변화된다는 것을 알았다. 이것을 기초로하여 광 변조기는 어닐링 공정 및 자기 정열방식에 의한 최적화와 간단화를 제작 공정에 응용 할 수 있었다.

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Effects of Annealing on Electromagnetic Wave Absorption Characteristics in FeSiCr Flakes/Polymer Composite Sheets (FeSiCr 박편/폴리머 복합 시트의 전자파 흡수 특성에 미치는 합금 어닐링 효과)

  • Kim, Ju-Beom;Noh, Tae-Hwan
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.23 no.3
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    • pp.83-88
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    • 2013
  • The soft magnetic Fe-Si-Cr flakes with the thickness of about 1 ${\mu}m$ were annealed at 500 and $700^{\circ}C$ for 1 h, and the composite sheets for electromagnetic wave noise absorber available for quasi-microwave band were fabricated by using these annealed flakes and polymer. Further the power loss characteristics of the composite sheets was investigated to clarify the annealing effect on electromagnetic wave absorption properties. The power loss decreased in the frequency range of several GHz when the annealed flakes were used as compared to the sheet using the as-milled FeSiCr alloy flakes. Moreover the sheets using annealed flakes exhibited lower value of real and imaginary part of complex permeability. These inferior electromagnetic wave absorption properties of the composite sheets using annealed alloy flakes were considered to be obtained by the enhanced eddy current effect upon annealing-induced recovery of microstructure and resulted low complex permeability.

Effects of Annealing on Properties of Tin Oxide films prepared by r.f. magnetron sputtering (R.F. magnetron sputter를 이용한 SnO_2$ film 특성에 대한 Annealing효과)

  • 박용주;박진성
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2003.11a
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    • pp.208-208
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    • 2003
  • RF 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 Ar과 $O_2$의 유량을 25sccm씩 흘리면서 $SiO_2$/Si기판 위에 Sn $O_2$ 박막을 증착하였다. 증착된 박막은 columnar 구조로 성장하였으며 많은 입자들이 뭉쳐서 형성된 양배추꽃(cauliflower) 형태의 뭉친 입자(agglomerates)를 가지는 표면형상이 관찰되었다. 분위기에 따른 어닐링 효과를 확인하기 위하여 50$0^{\circ}C$에서 공기와 질소 분위기하에서 열처리하였다. 열처리한 후 표면거칠기가 개선되었으며, 표면형상의 변화가 발생하였다. 특히 50$0^{\circ}C$, 질소분위기에서 어닐링한 경우는 양배추꽃 형태의 표면형상이 소수의 작은 입자가 뭉친 형태로 분리되면서 입도분포가 개선되었다. 이러한 결과는 어닐링 과정에서 발생되는 응력을 완화시키기 위하여 표면형상의 변화가 발생하는 것으로 판단된다. XPS 측정 결과, 질소 분위기에서 어닐링한 후에 OIs와 Sn5/3d 피크가 낮은 결합에너지에 위치하고 있어 산소공공의 농도가 어닐링 전에 비하여 증가하였음을 확인할 수 있다. 어닐링 전후에 Sn $O_2$ 박막의 면저항 측정 값은 XPS 결과와는 달리 질소 분위기 어닐링한 후에 오히려 면저항값이 크게 증가하였다. 이러한 결과는 질소 분위기 어닐링한 후 표면형상의 변화에 기인하여 입자간의 연결성이 저하되어 면저항값이 증가한 것으로 추정된다. 산소분위기에서 어닐링한 후에 전체적으로 전기적 특성의 재현성이 개선되었으며 Sensitivity( $R_{air}$/ $R_{gas}$)가 향상되었음을 확인하였다.하였다.석을 통하여 La의 분포를 확인하였으며, HRTEM 분석을 통하여 미세구조분석을 실시하였다.2463eV였다. 10K에서 광발광 봉우리의 919.8nm (1.3479eV)는 free exciton(Ex), 954.5nm (1.2989eV)는 donor-bound exciton 인 I2(DO,X)와 959.5nm (1.2921eV)는 acceptor-bound exciton 인 I1(AO,X) 이고, 964.6nm(1.2853eV)는 donor-acceptor pair(DAP) 발광, 1341.9nm (0.9239eV)는 self activated(SA)에 기인하는 광발광 봉우리로 고찰되었다.가 높을수록 방출전류가 시간에 따라 급격히 감소하였다. 각 duty비에서 방출전류의 양이 1/2로 감소하는 시점을 에미터의 수명으로 볼 때 duty비 대 에미터 수명관계를 구해 높은 duty비에서 전계방출을 시킴으로써 실제의 구동조건인 낮은 duty비에서의 수명을 단시간에 예측할 수 있었다. 단속적으로 일어난 것으로 생각된다.리 폐 관류는 정맥주입 방법에 비해 고농도의 cisplatin 투여로 인한 다른 장기에서의 농도 증가 없이 폐 조직에 약 50배 정도의 고농도 cisplatin을 투여할 수 있었으며, 또한 분리 폐 관류 시 cisplatin에 의한 직접적 폐 독성은 발견되지 않았다이 낮았으나 통계학적 의의는 없었다[10.0%(4/40) : 8.2%(20/244), p>0.05]. 결론: 비디오흉강경술에서 재발을 낮추기 위해 수술시 폐야 전체를 관찰하여 존재하는 폐기포를 놓치지 않는 것이 중요하며, 폐기포를 확인하지 못한 경우와 이차성 자연기흉에 대해서는 흉막유착술에 더 세심한 주의가 필요하다는 것을 확인하였다. 비디오흉강경수술은 통증이 적고, 입원기간이 짧고,

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A Study of Adapted Genetic Algorithm for Circuit Partitioning (회로 분할을 위한 어댑티드 유전자 알고리즘 연구)

  • Song, Ho-Jeong;Kim, Hyun-Gi
    • The Journal of the Korea Contents Association
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    • v.21 no.7
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    • pp.164-170
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    • 2021
  • In VLSI design, partitioning is a task of clustering objects into groups so that a given objective circuit is optimized. It is used at the layout level to find strongly connected components that can be placed together in order to minimize the layout area and propagation delay. The most popular algorithms for partitioning include the Kernighan-Lin algorithm, Fiduccia-Mattheyses heuristic and simulated annealing. In this paper, we propose a adapted genetic algorithm searching solution space for the circuit partitioning problem, and then compare it with simulated annealing and genetic algorithm by analyzing the results of implementation. As a result, it was found that an adaptive genetic algorithm approaches the optimal solution more effectively than the simulated annealing and genetic algorithm.

Effect of Zn Concentration on Amorphous ITZO Films Deposited on Polymer Substrate Using Magnetron Co-sputtering (마그네트론 2원 동시 방전법을 이용하여 polymer 기판위에 증착한 비정질 ITZO 박막의 Zn 함량 효과)

  • Gwon, Se-Hui;Gang, Yong-Min;Lee, Geon-Hwan;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.134-134
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    • 2009
  • ITZO 박막은 2개의 캐소드 (DC, RF)를 이용하여 마그네트론 2원 동시 방전법에 의해 고온에서 안정한 polyimide 기판위에 상온에서 증착하고 $200^{\circ}C$에서 어닐링 하였다. XRD 측정 결과 어닐링 과정을 거친 막들은 Zn의 도입에 따란 결정성이 감소하다가 RF파워 280W에서 증착한 박막은 완전한 비정질 구조를 보였다. AFM 측정과 밴딩 테스트 결과, ITO 및 ITZO 박막들은 결정성이 감소할수록 매끄러운 표면과 낮은 저항 변화율을 보여주었다. 전기 비정항은 Zn 함량이 증가함에 따라 증가하였지만, 광학적 투과율은 $200^{\circ}C$ 어닐링 과정을 거친후의 막들에 있어서 증가됨을 보였다.

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A Simulated Annealing Algorithm for Maximum Lifetime Data Aggregation Problem in Wireless Sensor Networks (무선 센서 네트워크에서 최대 수명 데이터 수집 문제를 위한 시뮬레이티드 어닐링 알고리즘)

  • Jang, Kil-Woong
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.17 no.7
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    • pp.1715-1724
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    • 2013
  • The maximum lifetime data aggregation problem is to maximize the network lifetime as minimizing the transmission energy of all deployed nodes in wireless sensor networks. In this paper, we propose a simulated annealing algorithm to solve efficiently the maximum lifetime data aggregation problem on the basis of meta-heuristic approach in wireless sensor networks. In order to make a search more efficient, we propose a novel neighborhood generating method and a repair function of the proposed algorithm. We compare the performance of the proposed algorithm with other existing algorithms through some experiments in terms of the network lifetime and algorithm computation time. Experimental results show that the proposed algorithm is efficient for the maximum lifetime data aggregation problem in wireless sensor networks.

Dependence of contact resistance in SiC device by annealing conditions (어닐링 조건에 의한 SiC 소자에서 콘택저항의 변화)

  • Kim, Seong-Jeen
    • Journal of IKEEE
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    • v.25 no.3
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    • pp.467-472
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    • 2021
  • Stable operation of semiconductor devices is needed even at high temperatures. Among the structures of semiconductor devices, the area that can cause unstable electrical responses at high temperatures is the contact layer between the metal and the semiconductor. In this study, the effect of annealing conditions included in the process of forming a contact layer of nickel silicide(NiSix) on a p-type SiC layer on the specific contact resistance of the contact layer and the total resistance between the metal and the semiconductor was investigated. To this end, a series of electrodes for TLM (transfer length method) measurements were patterned on the 4 inch p-type SiC layer under conditions of changing annealing temperature of 1700 and 1800 ℃ and annealing time of 30 and 60 minutes. As a result, it was confirmed that the annealing conditions affect the resistance of the contact layer and the electrical stability of the device.