1 |
H. M. W. Khalil, O. Kelekci, H. Noh, and Y. H. Xie, J. Korean Vac. Soc. 21, 279 (2012).
DOI
ScienceOn
|
2 |
S. W. Jang, W. Song, Y. Kim, S. H. Kim, S. Park, and C.-Y. Park, J. Korean Vac. Soc. 21, 113 (2012).
DOI
ScienceOn
|
3 |
T. Kim, W. Song, Y. Kim, S. Kim, W. Choi, and J. Park, J. Korean Vac. Soc. 19, 377 (2010).
DOI
ScienceOn
|
4 |
H. S. Uh, S. Park, and B. Kim, J. Korean Vac. Soc. 20, 436 (2011).
DOI
ScienceOn
|
5 |
N. Schauer, J. R. Flemish, R. Wittstruck, M. I. Landstrass, and M. A. Plano, Appl. Phys. Lett. 15, 366 (1996).
|
6 |
G. Z. Cao, F. A. J. Driessen, G. J. Bauhuis, and L. J. Giling, J. Appl. Phys. 78, 3125 (1995).
DOI
ScienceOn
|
7 |
C. Kimura, S. Koizumi, M. Kamo, and T. Sugino, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1024 (2000).
DOI
ScienceOn
|
8 |
H. Hofass, M. Dalmer, M. Restle, and C. Ronning, J. Appl. Phys. 81, 2566 (1997).
DOI
ScienceOn
|
9 |
L. S. Pan and D. R. Kania, Diamond: Electronic properties and applications (Kluwer Academic Publishers, Boston, 1995).
|
10 |
S. A. Kajihara, A. Antonelli, J. Bernholc, and R. Car, Phys. Rev. Lett. 16, 2010 (1991).
|
11 |
H. Maeda, S. Ikari, T. Okubo, K, Kusakabe, and S. Morooka, J. Mater. Res. 28, 129 (1993).
|
12 |
C.-P. Chang, D. L. Flamm, D. E. Ibbotson, and J. A. Mucha, J. Appl. Phys. 63, 1744 (1988).
DOI
|
13 |
M. W. Geis, J. C. Twichell, and T. M. Lyszczarz, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2060 (1996).
DOI
ScienceOn
|
14 |
T. Sugino, Y. Iwasaki, S. Kawasaki, R. Hattori, and J. Shirafuji, Diamond Relat. Mater. 6, 889 (1997).
DOI
ScienceOn
|
15 |
I. H. Shin and T. D. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1027 (2000).
DOI
ScienceOn
|