비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 트랜지스터 능동 구동형 유기 발광 소자의 문턱 전압 열화(degradation)효과를 줄이기 위한 극성 반전 구동 방법 (Polarity Inversion Driving Method to Reduce the Threshold Voltage Shift in a-Si:H TFT AMOLED)
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- 대한전기학회:학술대회논문집
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- 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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- pp.248-249
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- 2007