Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Polarity Inversion Driving Method to Reduce the Threshold Voltage Shift in a-Si:H TFT AMOLED

비정질 실리콘(a-Si:H) 박막 트랜지스터 능동 구동형 유기 발광 소자의 문턱 전압 열화(degradation)효과를 줄이기 위한 극성 반전 구동 방법

  • Lee, Woo-Cheul (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Park, Hyun-Sang (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering, Seoul National University)
  • Published : 2007.07.18
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Abstract

본 연구에서는 능동 구동형 유기 발광 소자(AMOLED)에 쓰이는 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H)의 전류 안정성(stability)을 개선하기 위한 새로운 구동방법(driving method)을 제안한다. 제안된 방식은 한 프레임 시간 중 특정 시간동안 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)에 음의 화상데이터전압을 인가함으로써 열화(degradation)를 억제한다. 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 열화를 회복하기 위한 음의 화상데이터의 진폭은 실제 이미지를 표현하는 이전에 인가한 양의 화상데이터에 의해 결정된다. 본 연구에서 제안된 구동방식을 시뮬레이션을 통하여 화소 회로의 동작을 검증하였고, 이를 통해 비정질 실리콘 박막 트랜지스터의 열화가 억제되는 것과 화면의 균일성(screen uniformity) 개선하고자 한다.

Keywords