• NEWSLETTER 전기공업
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• no.96-13 s.158
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• pp.26-55
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• 1996

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.15 no.2
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• pp.186-193
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• 2006

In this study, we analyzed the electrical and optical properties of metalorganic chemical vapor deposition grown InGaAs/InGaAsP/InP quantum dot(QD) molecules by using photoluminescence and deep-level transient spectroscopy. From these resulte, the energy levels of the large QDs are located at deeper region from the conduction band edge of the barrier than that of the small QDs, The large QDs seem to have the energy states more than two, and these energy levels of the QD molecules are located at 0.35, 0.42, and 0.45 eV from conduction band edge under -4 V reverse bias conditions. The energy levels are closely coupled under low reverse bias, and then decoupled as the bias voltage is increased.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.10 no.6
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• pp.589-607
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• 1997

• Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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• 2018.07a
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• pp.179-180
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• 2018

자계 검출 센서는 여러 가지 종류가 있으나 벽면에 흐르는 미소 자계 및 차폐 전선에서 검출이 가능한 구조는 초전도 양자 간섭 소자(SQUID)가 주로 사용되지만 가격 및 물성 재료 특성으로 인하여 특수 용도로 사용되고 있다. 이에 본 연구에서는 전선으로부터 발생되는 저주파 자장을 검출할 수 있고 휴대성 및 가격이 저렴한 구조인 코일형 자계측정기를 개발하기 위해 자기 코어 및 코일 Turn수 변화에 따른 자계 검출 감도를 조사하여 최적의 구조를 설정하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.21 no.3
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• pp.151-157
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• 2012

The two dimensional electron gas system based on GaAs/$Al_xGa_{1-x}As$ heterostructure is widely used for fabricating quantum structures such as quantum dot, quantum point contact, electron interferometer and so on. However the conductance of the device is usually unstable due to the presence of random telegraph noise in the device. To overcome such problem, we have studied the effect of surface state on the stability of the device by altering the surface state of the device with oxygen plasma. The dramatic improvement of the device stability has been observed after cleaning the device surface with oxygen plasma (by 50 W~120 W plasma power) for 30 sec followed by etching in HCl : $H_2O$ (1 : 3) solution.

• Superconductivity and Cryogenics
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• v.16 no.1
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• pp.15-20
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• 2014

• Proceedings of the KOSOMBE Conference
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• v.1996 no.11
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• pp.11-14
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• 1996

Biomagnetic measurements provide superior spatial and temporal resolutions compared with the present electric measurements. We developed a SQUID system for biomagnetic applications. A magnetic field from the spontaneous ${\tau}$-rhythm activity and an auditory evoked magnetic field have been measured. And a measurement of magnetocardiogram and its field mapping have been done.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.184-184
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• 2011

반도체 전자 소자의 초고집적회로(VLSI, Very Large Scale Integrated Circuit)가 수년간 지속됨에 따라 실리콘 기반으로 하는 MOSFET 성능의 한계에 도달하게 되었다. 재료 물성, 축소, 소자 공정 등에 대한 원인으로 이를 극복하고자 하는 재료와 성능향상에 관한 연구가 진행되고 있다. 이에 기존 시스템의 전자의 전하 정보만을 응용하는 것이 아니라 전자의 스핀 정보까지 고려하는 스핀트로닉스 연구분야가 주목을 받고 있다. Spin-FET는 스핀 주입, 스핀 조절, 스핀측정 등으로 나뉘어 연구되고 있으며 이 중 스핀 주입의 효율 향상이 우선시 해결되어야 한다. 일반적으로 스핀 주입 과정에서 소스가 되는 강자성체와 스핀 확산 거리가 긴 반도체 물질과의 Conductance mismatch가 문제되고 있다. 이에 자성 반도체는 근본적인 문제를 해결하고 반도체와 자성체의 특성을 동시에 나타내는 물질로써, Si과 Ge (4족) 등의 반도체뿐만 아니라, GaAs, InP (3-5족), ZnO, ZnTe (2-6족) 등의 반도체 또한 많은 연구가 이루어지고 있다. 자성 반도체에서 해결해야 할 가장 큰 문제는 물질이 자성을 잃는 Curie 온도를 상온 이상으로 높이는 것이다. 이에 본 연구는 전이금속이 도핑된 4족 Si 반도체 박막을 성장하고 후처리 공정을 통하여 나타나는 구조적, 자기적 특성을 연구하였다. 펄스 레이저 증착 방법을 통하여 p-type Si 기판위에 전이금속 Fe이 도핑된 박막을 500 nm 로 성장하였다. 성장 온도는 $250^{\circ}C$로 하였고, 성장 분압은 $3 {\times}10^{-3}$Torr 로 유지하며 $N_2$ 가스를 사용하였다. 구조적 결과를 보기 위해 X선 회절 분석과 원자력 현미경 결과를 확인하였고, 자기적 특성을 확인하기 위해 저온에서 초전도 양자 간섭계로 조사하였다. XRD를 통해 (002)면, (004)면의 Si 기판 결정을 보았으며, Fe 관련된 이차상이 형성됨을 예측해 보았다. ($Fe_3Si$, $Fe_2Si$ 등) 초전도 양자 간섭계에서 20 K에서 측정한 이력 현상을 관찰하고, 온도변화에 따른 전체 자기모멘트를 관찰하였으며 이는 상온에서도 강자성 특성이 나타남을 확인하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.37 no.4
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• pp.38-44
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• 2000

In this paper, we have been fabricated λ/2 phase plates lot an optical pick-up using a blue violet laser diode by employing proton exchange and wet etching in LiNbO$_{3}$. Their functions and fabrication processes are described in detail. It is established the optimal fabrication conditions through the experimental results. The device characteristics are measured by the Mach-zender interferometer which is composed of the optical components and 632.8nm He-Ne laser. The measured phase error was ＋5$^{\circ}$~ -6$^{\circ}$(within 3%). This phase plate could be applied an useful device to improve the resolution and the stability of the optical pick-up which has a blue violet laser diode as an optical source.

• The Magazine of the Society of Air-Conditioning and Refrigerating Engineers of Korea
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• v.18 no.2
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• pp.121-129
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• 1989

헬륨을 이용한 극저온 냉동기는 압축기(compressor)을 통하여 압력을 10-20 기압 정도로 높혀준후 여러 단계의 열교환기(heat exchanger)를 통하여 상전위온도(maximum inversion temperature) 이하로 떨어뜨린후 Joule-Thomson 밸브를 통하면 4K까지 온도가 떨어진다. 이때 압력은 1기압 정도이며 헬륨가스는 액체로 변한다. 본 연구의 목적은 Gifford-McMahon 냉동기와 Joule-Thomson 냉동기의 혼합형인 극저온 냉동기를 설계, 제작하여 죠셉슨(Josephson) 소자를 이용한 SQUID(초전도양자 간섭장치), 여러 종류의 탐지기, 컴퓨터 소자 개발 등을 위한 냉동기로 사용하는데 그 목적이 있다. 개발되는 법동기의 용량은 1 W이며, 최저온도는 4K 정도가 된다.