• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.335-336
• /
• 2009

저가격 고효율 실리콘 태양전지를 구현하기 위하여 핵심적으로 적용되는 공정인 SOD(Spin on Doping) 확산공정 최적화에 관하여 연구하였다. n-type 도핑 물질로는 인(P509)을 사용하였으며, Spinning 속도와 Spinning 시간을 각 3000 rpm, 30 초로 고정하고 급속 열처리로에서 확산 온도와 확산 시간을 $800\;^{\circ}C\;{\sim}\;950\;^{\circ}C$, 2 분에서 20 분까지 가변하며 확산공정을 실시하였다. 4-Point Probe 장비로 에미터 표면 저항을 측정한 결과 확산 온도 $850\;^{\circ}C$에서 5분간 열처리 하여 확산 공정을 하였을 때 저가의 고효율 실리콘 태양전지를 구현하는데 적용 하기위한 $30\;{\sim}\;50\;{\Omega}$-sq의 에미터 표면 저항을 만족 시키는 $36\;{\Omega}$-sq의 값을 얻을 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.253-254
• /
• 2009

본 연구는 다결정 알루미나 소결체와 사파이어웨이퍼(sapphire wafer)의 견고한 접합을 위해 활성금속 Ti가 함유된 Active Filler Metal을 사용하였고, 이를 브레이징한 후 접합 반응층과 Ti 거동 특성에 관한 것이다. 브레이징 (brazing)은 Ar 분위기 종에 $850^{\circ}C$에서 이행하였으며. 이때 다결정 알루미나, 사파이어와 Active Filler Metal 사이의 접합 반응층을 확인하였다. Active Filler Metal 내어| 존재하는 Ti가 접할 반응층의 양계면에 집중되는 것을 SEM을 이용하여 확인하였다. 또한 EDS Line Scanning을 실시하여 접합부에서 원소들의 분포를 관찰하였다.

• 한국진공학회지
• /
• 제2권4호
• /
• pp.424-432
• /
• 1993

AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic structures have been grown by atmosheric pressure-MOCVD . The Al incorporation efficiency is constant but slightly exceeds the Ga incorporation during the growth of AlGaAs layers at $650^{\circ}C$ . Meanwhile , the In incorporation efficiency is constant but slightly less than the Ga incorporation in InGAAs layers. InGaAs/GaAs QWs were grown and their optical properties were characterized . $\delta$-doped Al0.24Ga0.76As/In0.16 Ga0.84As p-HEMT structures were successfully grown by MOCVD and their transport properties were characterized by Hall effect and SdH measurements. SdH Measurements at 3.7K show clear magnetoresistance oscillations and plateaus in the quantum Hall effect confirming the existence of a two-dimensional electron gas(2DEG) and a parallel conduction through the GaAs buffer layer. The fabricated $1.5\mu\textrm{m}$gatelength p-HEMTs having p-type GaAs in the buffer layer show a high transconductance of 200 mS/mm and a good pinch-off characteristics.

• 한국가금학회지
• /
• 제19권3호
• /
• pp.137-150
• /
• 1992

한국에 있어서 양계산업은 대규모의 현대화된 농장과 오래된 소규모농장이 양립하고 있는 매우 복잡한 양상을 나타내고 있는 상황으로써 이러한 연유로 인해 각종 전염성 질병에 있어서도 혼란 된 역학적 상황이 야기되고 있는 실정이다. 국내에서 경제적으로 중요시되고 있는 주요 가금질병으로는 대사균증, 추백이, 마이코플라즈마 갈리셉티쿰 감염병, 전염성 코라이자, 전염성 활막염등의 세균성 질병, 뉴랫슬병, 계두, 마렉병, 조뇌척수염, 전염성 병, 전염성 후두 기관염, 전염성 기관지염 등의 바이러스성 질병 그리고 원충성 질병으로써 콕시듐병을 들 수 있다. 한편으로 가금 인풀루엔자, 가금콜레라 및 가금티푸스는 최근 수십연간 국내발생이 보고된 바 없으며 외래성 질병으로 간주되고 있다. 본고에서는 국내 발생하고 있는 상기 주요 가금질병들의 역학적 상태, 경제적 영향, 방제방안 및 최근 연구 활동에 대해서 논하였다.

• 한국항행학회논문지
• /
• 제14권1호
• /
• pp.119-126
• /
• 2010

지난 30여년간 개발소프트웨어의 잔여결함, 결함률 및 신뢰도와 같은 신뢰도 척도를 분석하기 위해 소프트웨어의 신뢰도 성장 모델이 개발되어 왔다. 이들 대부분은 개발중 검출되는 소프트웨어의 오류가 완벽하게 수정되는 것으로 가정하였다. 즉, 이들은 테스트중에 검출되는 오류가 완벽하게 제거되는 것을 가정하여 그들의 연구를 진행해왔던 것이다. 그러나 오류를 검출하는 것이 어려울 뿐만 아니라 그 과정에서 새로운 오류가 도입되기도 하기 때문에 오류를 완벽하게 제거하기는 대단히 어렵다. 따라서 본 논문에서는 그동안 가장 보편 타당한 것으로 평가되어 왔던 웨이불형과 비교하여 로지스틱 테스트 노력함수를 적용한 불왼전한 소프트웨어의 테스트 노력을 제안하여 연구 검토한다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제7권4호
• /
• pp.712-718
• /
• 2003

진공 증착한 CdS 박막의 질소 이온 주입 효과를 X-선 회절 검사, 광 투과율, 라만 산란 특성을 통하여 조사하였다. 질소 이온 주입하지 않은 CdS 박막은 (0 0 2)면으로의 우선 방위를 가지고 성장하였다. 질소 이온 주입한 시편의 경우 metallic Cd가 형성됨을 XRD 분석 결과 알 수 있었다. 가시광 영역에서의 광투과율은 질소 이온 주입 양이 많아짐에 따라 크게 감소하였다. 또한 질소 이온 주입 양에 따라 CdS 박막의 흡수 계수는 지수 함수적으로 증가하였고, 밴드 갭은 감소하였다 CdS 박막의 라만 peak 위치는 질소 이온 주입 양에 관계없이 299 cm-1로 거의 일정하지만, peak의 FWHM은 이온 주입 양이 증가함에 따라 커졌고, peak 면적은 감소하였다.

• Current Research on Agriculture and Life Sciences
• /
• 제3권
• /
• pp.55-61
• /
• 1985

양계 및 양돈용 배합사료중 pellet 사료와 분말사료의 생산비를 비교하였다. 비교분석을 위하여 박(1982)이 개발한 모형을 이용하였으며 공장의 규모는 일산 80ton으로부터 400ton이었다. 분석된 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 동력비는 pellet 사료가 분말사료에 비해 4배가 높았다. 2. 노동비는 pellet 사료가 분말사료에 비해 20%가 높았다. 3. 일산 200ton 규모의 경우 투자비용은 pellet 사료가 20% 높았다. 4. 고정비 및 변동비를 고려한 총생산비를 공장규모가 100ton에서 400ton으로 커질 경우 pellet 사료가 분말사료에 비해 30%에서 50%로 증가되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.117-120
• /
• 1998

It is analyzed the erosing process of the polymeric insulator for outdoor use with the inclined plane method. Materials used are the different type of silicone rubber, they have the content of filler and component each other. As the content of filler added to improve the tracking and erosion resistance. It has the difference of electrical performance and erosion rate. The dry-band arc is also the parameter of accelerating erosion, and appear in the form of leakage current, and the activities of leakage current has a close relationship with the surface hydrophobicity. In this paper, the erosion growth is observed by measuring the time from the voltage application to the whole breakdown, and the erosion depth. In addition, it is measured the hydrophobicity and leakage current to be a cause of erosion by the erosion steps, studied SEM, EDX for observing the transformation of surface structure by erosing.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제19권2호
• /
• pp.189-194
• /
• 2006

Ordered nanostructure materials have received attention due to their unique physical properties and potential applications in electronics, mechanics and optical devices. To actualize most of the proposed applications, it is quite important to obtain highly ordered nanostructure arrays. The well-aligned nanostructure can be achieved by synthesizing nanostructure material in the highly ordered template. To get well-aligned pore array and reduce process time, rapid thermal anneal by an IR lamp was employed in vacuum state at $500^{\circ}C$ for 2 hour. The pore array is comparable to a template annealed in vacuum furnace at $500^{\circ}C$ for 30 hours. The well-fabricated AAO template has the mean pore diameter of 70 nm, the barrier layer thickness of 25 nm, the pore depth of $9{\mu}m$, and the pore density of higher than $1.2{\times}10^{10}cm^{-2}$.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제19권4호
• /
• pp.322-327
• /
• 2006

CdS films have been prepared on polycarbonate, polyethylene terephthalate, and Coming 7059 substrates by r.f magnetron sputtering technique at room temperature. A comparison of the properties of the films deposited on polymer and glass substrates was performed. In addition, the influence of the sputter power on the structural and optical properties of these films was evaluated. The XRD measurements revealed that CdS films were polycrystalline and retained the mixed structure of hexagonal wurtzite and cubic phase, regardless of substrate types. As the sputter power was increased from 75 to 150 Watt, the structure of CdS films was converted from the mixed of hexagonal and cubic phase to hexagonal phase. The morphology of CdS films is found to be continuous and dense. Also, the grain of CdS films is larger with increasing the sputter power. The average transmittance exceeded 80 % in the visible spectrum for all films and decreases slightly with the sputter power.