Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2009.06a
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- Pages.253-254
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- 2009
A study about composition of $Al_2O_3/Al_2O_3$ brazing reaction layer and behavior of Ti using active filler metal
Ti가 함유된 Active Filler Metal을 이용한 $Al_2O_3/Al_2O_3$ Brazing 반응층의 조성과 Ti 거동에 관한 연구
- Son, Won-Geon (Unique Korea co., ctd) ;
- Chang, Sung-Chin (Unique Korea co., ctd) ;
- Kim, Eun-Sup (Dong-Eui Univ) ;
-
Moon, Hung-Sin
(Dong-Eui Univ)
;
- Kim, Kyung-Min (Dong-Eui Univ) ;
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Park, Sung-Hyun
(Dong-Eui Univ)
;
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Shin, Byoung-Chu
(Dong-Eui Univ)
- 손원근 ((주)유니크코리아 NI 부설연구소) ;
- 장성진 ((주)유니크코리아 NI 부설연구소) ;
- 김은섭 (동의대학교) ;
-
문형신
(동의대학교)
;
- 김경민 (동의대학교) ;
-
박성현
(동의대학교)
;
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신병철
(동의대학교)
- Published : 2009.06.18
Abstract
본 연구는 다결정 알루미나 소결체와 사파이어웨이퍼(sapphire wafer)의 견고한 접합을 위해 활성금속 Ti가 함유된 Active Filler Metal을 사용하였고, 이를 브레이징한 후 접합 반응층과 Ti 거동 특성에 관한 것이다. 브레이징 (brazing)은 Ar 분위기 종에