• Title/Summary/Keyword: 아연산화물

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넓은 밴드갭을 갖는 인듐-갈륨-아연 산화막의 광학적 및 전기적 특성에 대한 연구

  • Jang, Gyeong-Su;Baek, Gyeong-Hyeon;Choe, U-Jin;An, Si-Hyeon;Lee, Jun-Sin
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.296-296
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    • 2011
  • 기존에 디스플레이 적용을 위한 TFT의 채널 영역에 널리 이용되고 있는 산화물 반도체의 밴드갭은 약 3.3eV이다. 현재 밴드갭을 증가시키기 위한 연구가 널리 진행 중이며, Mg등의 도핑을 통해 증가시키는 방법이 있다. 기본 sputtering 공정을 이용한 Eg 증가에 대한 연구가 없지만, 이번 연구에서는 가스비, 파워 등의 기본 공정 가변을 통하여 밴드갭 증가와 이를 이용한 광학적 및 전기적 특성을 비교 분석하였다.

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Synthesis and Characterization of Mica Coated with Zinc Oxide Nanoparticles (산화 아연 나노 입자로 도포된 마이카의 합성 및 특성 규명)

  • Kil, Hyun Suk;Kim, Young Ho;Park, Minyoung;Rhee, Seog Woo
    • Applied Chemistry for Engineering
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    • v.23 no.3
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    • pp.271-278
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    • 2012
  • In this work, we have prepared the nanocomposite by the reaction of mica and zinc oxide, and investigated the application of nanocomposite to UV protecting creams. Mica treated with 3-aminopropyltrimethoxysilane (APTMS) reacted with 1,4-phenylenediisothiocyanate (PDC) to give -N=C=S functionalized surface, which was further reacted with zinc oxides coated with APTMS to give mica-zinc oxide nanocomposites. The composites were characterized by EA, EDS, TGA, SEM, zeta potential measurement, powder XRD, and DRS UV/Vis analyses. Finally, we measured transmittances of ultraviolet protection creams manufactured by using mica composite covered with zinc oxides in the range of 280~400 nm. The nanocomposites developed in this work might be applicable as inorganic hybrid materials for UV protecting creams.

Oxidation Reaction of CO and $C_2H_4$ on Zinc Oxide (산화아연에서의 CO, $C_2H_4$의 산화반응)

  • Chong Soo Han;Hakze Chon
    • Journal of the Korean Chemical Society
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    • v.24 no.3
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    • pp.218-224
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    • 1980
  • The surface reactions of CO and $C_2H_4$ with adsorbed oxygen on ZnO were studied by means of EPR spectroscopy. The EPR spectra of $O_2$ adsorbed ZnO at various temperatures were compared, and the signal at g = 2.014 was characterized as trapped $O^-$ at oxygen vacancy. CO and $C_2H_4$ react with $O^-$ at $25^{\circ}C$ and desorbed as $CO_2$ and $H_2O$ above $200^{\circ}C$. $O_2^-$ species interact with $C_2H_4$ about $100^{\circ}C$, but desorption of partial oxidation products also was not observed until the temperature was raised to $200^{\circ}C$.

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CHEMICAL INVESTIGATION ON THE REACTION BETWEEN CALCIUM HYDROXIDE INTRACANAL MEDICAMENT AND ZINC OXIDE-EUGENOL (수산화칼슘 근관약제와 산화아연-유지놀의 반응에 관한 화학적 분석)

  • Park, Sook-Hyung;Park, Joon-Chol;Kim, Sung-Kyo
    • Restorative Dentistry and Endodontics
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    • v.25 no.2
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    • pp.272-288
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    • 2000
  • Calcium hydroxide is used as a root canal medicament with its several pharmacological effects. However, it has been known that the usage of calcium hydroxide in the root canal system before canal filling with gutta-percha and zinc oxide eugenol-based cement induced change in the properties of root canal cement which might adversely affect sealing ability of the canal filling. The purpose of this study was to identify the reactivity of calcium hydroxide-eugenol compound made from chemical interaction of between calcium hydroxide and zinc oxide eugenol. Chemical properties of calcium hydroxide, eugenol, zinc oxide eugenol, calcium hydroxide-eugenol and calcium hydroxide-zinc oxide eugenol compound were analyzed using XRD. FT-IR Spectrophotometer and FT-NMR Spectrometer. The results were as follows: 1. The compound made from interaction between calcium hydroxide and zinc oxide eugenol was as follows : 2. Calcium hydroxide was shown to make chemical bond (ionic bond) with eugenol. 3. Since bonding between $Ca^{2+}$ and eugenol is simple ionic nature, under water existence, calcium hydroxide-eugenol compound may be ionized easily and its physical property be deteriorated.

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Synthesis of Metal Doped ZnO Nanoclusters by Microwave Assisted Polyol Process (마이크로웨이브 폴리올 공정에서 금속 도핑 산화아연 나노클러스터의 합성)

  • Kwon, Oh-San;Kang, Kuk-Hyoun;Lee, Dong-Kyu
    • Journal of the Korean Applied Science and Technology
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    • v.31 no.3
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    • pp.525-533
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    • 2014
  • ZnO has attracted much attention such as photocatalysts, sensors, piezoelectricity and etc. At present, an economical and rapid synthesis route based on the efficient microwave polyol process is used to synthesized metal-doped ZnO nanoclusters. Diethylene glycol has a property of high polarizability, and is an excellent microwave absorbing agent, thus leading to a high heating rate and a significantly shorter reaction time. In this study, metal-doped ZnO nanoclusters are obtained with different seed volumes, when zinc acetate dihydrate is used as a precursor, and metal acetate hydrate is used as a doped-metal and diethylene glycol is used as a solvent. The obtained metal-doped ZnO nanoclusters were characterized by FE-SEM, XRD, Raman and PSA.

산화물 반도체 소재 및 소자 기술

  • Jeong, U-Seok;Yang, Sin-Hyeok;Yu, Min-Gi;Park, Sang-Hui;Jo, Du-Hui;Yun, Seong-Min;Byeon, Chun-Won;Jeong, Seung-Muk;Jo, Gyeong-Ik;Hwang, Chi-Seon
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.4.2-4.2
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    • 2009
  • 산화아연 (ZnO)으로 대표되는 산화물반도체는 최근 다양한 비정질 산화물반도체들이 개발되고 있고 높은 이동도와 저온공정 등의 장점으로, 실리콘 기반 박막소자 (비정질-Si, 또는 다결정-Si(LTPS) 트랜지스터)를 대체할 차세대 박막 트랜지스터 (Thin-Film Transistor)의 핵심소재로 관심을 모으고 있다. 또한, 산화물 반도체는 근본적으로 투명하므로, 투명 전극 및 투명 기판재료와 함께 투명 디스플레이도 구현시킬 수 있을 것이다. 그렇지만, 핵심 전자소재로서 향후 디스플레이 및 디바이스에 성공적으로 적용되기 위해서는 소자의 특성 뿐만아니라, 전기적 신뢰성(reliability)을 강화시킬 필요가 있다. 본 발표에서는 In-Ga-Zn-oxide (IGZO), Zn-Sn-oxide (ZTO), Zn-In-Sn-oxide (ZITO) 및 도핑원소를 첨가한 소재에 이르기까지 다양한 산화물 반도체 소재 기술과 소자의 신뢰성 향상을 위한 기술 등을 소개할 것이다.

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Improvement of Memory Window Characteristics by Controlling SiH4/NH3 Gas Ratio of Silicon Nitride Trapping Layer in a-ITZO Nonvolatile Memory Devices

  • Kim, Tae-Yong;Kim, Ji-Ung;Lee, Jun-Sin
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.238.1-238.1
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    • 2014
  • 이번 연구는 system-on-panel에 적용하기 위한 비휘발성 메모리의 메모리 윈도우 특성 향상에 관한 연구이다. 이를 위해 SiO2/SiNX/SiOXNY의 메모리 구조를 이용하였으며, 채널층으로 투명한 비정질 인듐-주석-아연-산화물을 이용하였다. N형 물질의 특성인 수많은 전자로 인해 erasing의 어려움이 발생하는데 이는 빛과 전압의 동시 인가로 해결하였다. 전하트랩층은 비휘발성 메모리에서 가장 널리 이용되는 질화막을 이용하였으며, SiH4과 NH3의 비율은 8대 1에서 1대 2까지 이용하였다. 이번 연구에서 SiH4과 NH3의 비율이 2대 1일 때 쓰기 전압 +13V와 지우기 전압 -6V에서 약 3.7V의 높은 메모리 윈도우를 얻을 수 있었다.

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Growth of Oxides Single Crystals by Hydrothermal Method (수열법에 의한 산화물 단결정 성장)

  • Lee, Young-Kuk
    • Korean Journal of Crystallography
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    • v.17 no.2
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    • pp.66-85
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    • 2006
  • 수열법으로 압전수정, 방해석 및 산화아연 단결정을 성장하고 각종 결함 및 성장된 단결정의 구조적, 화학적, 물리적 특성을 고찰하였다. 수열법은 직접 용융법으로 단결정을 성장할 수 없는 재료의 결정 성장에 많이 이용되며 수정의 경우, 융액의 점도가 매우 높고 유리화하는 성질이 있어 직접 용융으로 단결정을 성장할 수 없다. 방해석과 산화아연의 경우 용융하였을 때 분해되기 때문에 직접 용융법으로 단결정을 성장할 수 없어 수열법이 사용된다. 본 고찰에서는 수열법의 성장 원리와 성장 방법, 결함 검출 방법 및 물리적, 화학적 특성 측정 등을 다루었으며 또한 산업화 적용에 대하여 다루었다.