산화물 반도체 소재 및 소자 기술

  • 정우석 (한국전자통신연구원 투명디스플레이팀) ;
  • 양신혁 (한국전자통신연구원 투명디스플레이팀) ;
  • 유민기 (한국전자통신연구원 투명디스플레이팀) ;
  • 박상희 (한국전자통신연구원 투명디스플레이팀) ;
  • 조두희 (한국전자통신연구원 투명디스플레이팀) ;
  • 윤성민 (한국전자통신연구원 투명디스플레이팀) ;
  • 변춘원 (한국전자통신연구원 투명디스플레이팀) ;
  • 정승묵 (한국전자통신연구원 투명디스플레이팀) ;
  • 조경익 (한국전자통신연구원 투명디스플레이팀) ;
  • 황치선 (한국전자통신연구원 투명디스플레이팀)
  • 발행 : 2009.05.21

초록

산화아연 (ZnO)으로 대표되는 산화물반도체는 최근 다양한 비정질 산화물반도체들이 개발되고 있고 높은 이동도와 저온공정 등의 장점으로, 실리콘 기반 박막소자 (비정질-Si, 또는 다결정-Si(LTPS) 트랜지스터)를 대체할 차세대 박막 트랜지스터 (Thin-Film Transistor)의 핵심소재로 관심을 모으고 있다. 또한, 산화물 반도체는 근본적으로 투명하므로, 투명 전극 및 투명 기판재료와 함께 투명 디스플레이도 구현시킬 수 있을 것이다. 그렇지만, 핵심 전자소재로서 향후 디스플레이 및 디바이스에 성공적으로 적용되기 위해서는 소자의 특성 뿐만아니라, 전기적 신뢰성(reliability)을 강화시킬 필요가 있다. 본 발표에서는 In-Ga-Zn-oxide (IGZO), Zn-Sn-oxide (ZTO), Zn-In-Sn-oxide (ZITO) 및 도핑원소를 첨가한 소재에 이르기까지 다양한 산화물 반도체 소재 기술과 소자의 신뢰성 향상을 위한 기술 등을 소개할 것이다.

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